-
1 Ion-Implanted Base Transistor
microel. IBTУниверсальный русско-немецкий словарь > Ion-Implanted Base Transistor
-
2 Ion-Implanted MOS
microel. IIMOS -
3 Ion-Implanted Oxide-Isolated
Универсальный русско-немецкий словарь > Ion-Implanted Oxide-Isolated
-
4 IMOX-метод
n -
5 МОП-структура, полученная методом ионной имплантации
abbrmicroel. IIMOS, Ion-Implanted MOSУниверсальный русско-немецкий словарь > МОП-структура, полученная методом ионной имплантации
-
6 метод оксидной изоляции с использованием ионной имплантации
nmicroel. IMOX-ìåòîä, Ion-Implanted Oxide-Isolated (process)Универсальный русско-немецкий словарь > метод оксидной изоляции с использованием ионной имплантации
-
7 технология изготовления МОП ИС методом ионной имплантации
nmicroel. IIMOS, Ion-Implanted MOSУниверсальный русско-немецкий словарь > технология изготовления МОП ИС методом ионной имплантации
-
8 транзистор с ионно-имплантированной базой
Универсальный русско-немецкий словарь > транзистор с ионно-имплантированной базой
См. также в других словарях:
implanted ion — implantuotasis jonas statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. implanted ion vok. implantiertes Ion, n rus. имплантированный ион, m pranc. ion implanté, m … Fizikos terminų žodynas
ion implanté — implantuotasis jonas statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. implanted ion vok. implantiertes Ion, n rus. имплантированный ион, m pranc. ion implanté, m … Fizikos terminų žodynas
Ion implantation — is a materials engineering process by which ions of a material can be implanted into another solid, thereby changing the physical properties of the solid. Ion implantation is used in semiconductor device fabrication and in metal finishing, as… … Wikipedia
Ion Beam Mixing — is a process for adhering two multilayers, especially a substrate and deposited surface layer. The process involves bombarding layered samples with doses of ion radiation in order to promote mixing at the interface, and generally serves as a… … Wikipedia
ion-implanted MOS — jonais implantuotas MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted MOS; ion implanted MOS structure vok. ionenimplantierter MOS Schaltkreis, m rus. ионно имплантированная МОП структура, f pranc. circuit MOS à… … Radioelektronikos terminų žodynas
ion-implanted MOS structure — jonais implantuotas MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted MOS; ion implanted MOS structure vok. ionenimplantierter MOS Schaltkreis, m rus. ионно имплантированная МОП структура, f pranc. circuit MOS à… … Radioelektronikos terminų žodynas
ion-implanted impurity — implantuotoji priemaiša statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. implanted dopant; implanted impurity; ion implanted impurity vok. Implantationsstoff, m; implantierter Dotant, m; ionenimplantierter Dotant, m rus. ионно… … Radioelektronikos terminų žodynas
implanted dopant — implantuotoji priemaiša statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. implanted dopant; implanted impurity; ion implanted impurity vok. Implantationsstoff, m; implantierter Dotant, m; ionenimplantierter Dotant, m rus. ионно… … Radioelektronikos terminų žodynas
implanted impurity — implantuotoji priemaiša statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. implanted dopant; implanted impurity; ion implanted impurity vok. Implantationsstoff, m; implantierter Dotant, m; ionenimplantierter Dotant, m rus. ионно… … Radioelektronikos terminų žodynas
ion implanted MOS device — jonais implantuotas MOP įtaisas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted MOS device vok. Ionenimplantations MOS Gerät, n rus. ионно имплантированный МОП прибор, m pranc. dispositif MOS à implantation ionique, m … Radioelektronikos terminų žodynas
ion-implanted layer — jonais implantuotas sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted layer vok. Ionenimplantationsschicht, f rus. ионно имплантированный слой, m pranc. couche implantée par ions, f … Radioelektronikos terminų žodynas
