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1 impact ionization avalanche transit time diode
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См. также в других словарях:
Impact ionization — is the process in a material by which one energetic charge carrier can lose energy by the creation of other charge carriers. For example, in semiconductors, an electron (or hole) with enough kinetic energy can knock a bound electron out of its… … Wikipedia
Impact Ionization Avalanche Transit Time Diode — Die IMPATT Diode ist ein Hochfrequenz Halbleiter Bauelement der Mikroelektronik, das als Diode zu den elektronischen Bauelementen gehört. Der Name leitet sich von der englischen Bezeichnung Impact Ionization Avalanche Transit Time Diode ab, im… … Deutsch Wikipedia
Impact Avalanche Transit Time Diode — Die IMPATT Diode ist ein Hochfrequenz Halbleiter Bauelement der Mikroelektronik, das als Diode zu den elektronischen Bauelementen gehört. Der Name leitet sich von der englischen Bezeichnung Impact Ionization Avalanche Transit Time Diode ab, im… … Deutsch Wikipedia
IMPATT diode — An IMPATT diode (IMPact ionization Avalanche Transit Time) is a form of high power diode used in high frequency electronics and microwave devices. They are typically made with silicon carbide owing to their high breakdown fields.They operate at… … Wikipedia
IMPATT-Diode — Die IMPATT Diode ist ein Hochfrequenz Halbleiter Bauelement der Mikroelektronik, das als Diode zu den elektronischen Bauelementen gehört. Der Name leitet sich von der englischen Bezeichnung Impact Ionization Avalanche Transit Time Diode ab, im… … Deutsch Wikipedia
Lawinen-Laufzeit-Diode — Die IMPATT Diode ist ein Hochfrequenz Halbleiter Bauelement der Mikroelektronik, das als Diode zu den elektronischen Bauelementen gehört. Der Name leitet sich von der englischen Bezeichnung Impact Ionization Avalanche Transit Time Diode ab, im… … Deutsch Wikipedia
Read-Diode — Die IMPATT Diode ist ein Hochfrequenz Halbleiter Bauelement der Mikroelektronik, das als Diode zu den elektronischen Bauelementen gehört. Der Name leitet sich von der englischen Bezeichnung Impact Ionization Avalanche Transit Time Diode ab, im… … Deutsch Wikipedia
Single-Photon Avalanche Diode — In optoelectronics the term Single Photon Avalanche Diode (SPAD)(also know as a Geiger mode APD or G APD) identifies a class of solid state photodetectors based on a reverse biased p n junction in which a photo generated carrier can trigger an… … Wikipedia
Avalanche transistor — An Avalanche Transistor is a bipolar junction transistor designed for operation in the region of its collector current/collector to emitter voltage characteristics beyond the collector to emitter breakdown voltage, called avalanche breakdown… … Wikipedia
Avalanche photodiode — Avalanche photodiodes (APDs) are photodetectors that can be regarded as the semiconductor analog to photomultipliers. By applying a high reverse bias voltage (typically 100 200 V in silicon), APDs show an internal current gain effect (around 100) … Wikipedia
Kleinsignalanalyse — Die IMPATT Diode ist ein Hochfrequenz Halbleiter Bauelement der Mikroelektronik, das als Diode zu den elektronischen Bauelementen gehört. Der Name leitet sich von der englischen Bezeichnung Impact Ionization Avalanche Transit Time Diode ab, im… … Deutsch Wikipedia