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1 фоточувствительный полупроводниковый прибор
фоточувствительный полупроводниковый прибор
Полупроводниковый прибор, чувствительный к электромагнитному излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
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1. Фоточувствительный полупроводниковый прибор
D. Photoempfindliches Halbleiterbauelement
E. Photosensitive semiconductor device
F. Dispositif semiconducteur photosensible
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Полупроводниковый прибор, чувствительный к электромагнитному излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > фоточувствительный полупроводниковый прибор
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2 бескорпусный полупроводниковый прибор
бескорпусный полупроводниковый прибор
Ндп. полупроводниковая структура
Полупроводниковый прибор, не защищенный корпусом и предназначенный для использования в гибридных интегральных микросхемах, герметизируемых блоках и аппаратуре.
[ ГОСТ 15133-77]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
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3 оптоэлектронный полупроводниковый прибор
оптоэлектронный полупроводниковый прибор
Полупроводниковый прибор, излучающий или преобразующий электромагнитное излучение или чувствительный к этому излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра, или использующий подобное излучение для внутреннего взаимодействия его элементов.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
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Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > оптоэлектронный полупроводниковый прибор
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4 полупроводниковое устройство
полупроводниковое устройство
Устройство, основные характеристики которого обуславливаются движением носителей заряда в полупроводнике.
[ ГОСТ Р 50339.4-92]
полупроводниковое устройство
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[IEV number 151-13-63]EN
semiconductor device
device the essential electric characteristics of which are due to the flow of charge carriers within one or more semiconductor materials
Source: 521-04-01 MOD
[IEV number 151-13-63]FR
dispositif à semiconducteur, m
dispositif dont les caractéristiques électriques essentielles sont dues au déplacement de porteurs de charge dans un ou plusieurs matériaux semiconducteurs
Source: 521-04-01 MOD
[IEV number 151-13-63]Тематики
- электронная техника, основные понятия
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5 полупроводниковый прибор
полупроводниковый прибор
ПП
Прибор, действие которого основано на использовании свойств полупроводника.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
Синонимы
- ПП
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См. также в других словарях:
Halbleiterbauelement — Ein elektrisches Bauelement (oder kurz Bauelement, auch Bauteil) bezeichnet in der Elektrotechnik einen grundlegenden, als Einheit betrachteten Bestandteil einer elektrischen Schaltung oder Baugruppe. Beispiele sind u. a. Glühlampen, Zeitschalter … Deutsch Wikipedia
Halbleiterbauelement — Hạlb|lei|ter|bau|ele|ment 〈n. 11; El.〉 elektronisches Bauelement, dessen Funktionsweise auf physikalischen Effekten in Halbleitern beruht … Universal-Lexikon
diskretes Halbleiterbauelement — diskretusis puslaidininkinis elementas statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. discrete semiconductor vok. diskretes Halbleiterbauelement, n rus. дискретный полупроводниковый элемент, m pranc. semi conducteur discret, m … Automatikos terminų žodynas
gehäuseloses Halbleiterbauelement — bekorpusis puslaidininkinis elementas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bare semiconductor element; uncased semiconductor element vok. gehäuseloses Halbleiterbauelement, n rus. бескорпусный полупроводниковый элемент, m pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
diskretes Halbleiterbauelement — diskretusis puslaidininkinis įtaisas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. discrete semiconductor device vok. diskretes Halbleiterbauelement, n rus. дискретный полупроводниковый прибор, m pranc. dispositif discret à semi… … Radioelektronikos terminų žodynas
IGCT — Dieser Artikel wurde aufgrund von inhaltlichen Mängeln auf der Qualitätssicherungsseite des Portals Elektrotechnik eingetragen. Dies geschieht, um die Qualität der Artikel aus dem Themengebiet auf ein akzeptables Niveau zu bringen. Dabei werden… … Deutsch Wikipedia
IGCT-Thyristor — Dieser Artikel wurde aufgrund von inhaltlichen Mängeln auf der Qualitätssicherungsseite des Portals Elektrotechnik eingetragen. Dies geschieht, um die Qualität der Artikel aus dem Themengebiet auf ein akzeptables Niveau zu bringen. Dabei werden… … Deutsch Wikipedia
Bipolartransistor mit isolierter Gateelektrode — Schaltzeichen eines IGBT Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate Elektrode (engl. insulated gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des… … Deutsch Wikipedia
Diodenarraydetektor — CMOS Fotodiodenarray der Firma Melexis in SMD Bauform Eine Fotodiodenzeile (engl. photo diode array, kurz: PDA oder diode array bzw.linear array) ist ein Halbleiterbauelement, auf dem mehrere Fotodioden in einer Reihe auf einem Chip zusammen mit… … Deutsch Wikipedia
Fotodiodenzeile — CMOS Fotodiodenarray der Firma Melexis in SMD Bauform Eine Fotodiodenzeile (engl. photo diode array, kurz: PDA oder diode array bzw.linear array) ist ein Halbleiterbauelement, auf dem mehrere Fotodioden in einer Reihe auf einem Chip zusammen mit… … Deutsch Wikipedia
Fotothyristor — Ein Fotothyristor (auch Optothyristor) ist Halbleiterbauelement. Aufbau und Funktionsweise Fotothyristoren in Form sechs weißer Zylinder in horizontaler Lage als Element einer HGÜ Im Aufbau und in der Funktionsweise gleicht der Fotothyristor im… … Deutsch Wikipedia