-
1 легированный слой
Русско-английский словарь по электронике > легированный слой
-
2 легированный слой
Русско-английский словарь по радиоэлектронике > легированный слой
-
3 легированный слой
Русско-английский словарь по микроэлектронике > легированный слой
-
4 легированный слой
Русско-английский политехнический словарь > легированный слой
-
5 слой
bed, coat, coating, ( покрытия) course, fold, (штукатурного раствора, краски) lay, layer, ( при слоевой выемке с закладкой) lift горн., ( материала) ply, slice, seam, sheet, shell, stratum, (напр. картона) thickness, ( древесины) zone* * *слой м.1. layer2. ( покрытие) coat(ing)наноси́ть, напр. [m2], то́лстый или то́нкий слой кра́ски, сма́зки и т. п. — apply [give], e. g., a heavy or thin coat(ing) of paint, grease, etc.3. (многослойного материала, напр. стеклопластика, фанеры) plyадсорбцио́нный слой — adsorbed layerакти́вный слой — active layerслой атмосфе́ры, ве́рхний — the upper atmosphereслой атмосфе́ры, ни́жний — the lower atmosphereслой ба́зы транзи́стора — base layerбалла́стный слой — ballast (bed), body of ballastбарье́рный слой полупр. — barrier layerве́нтильный слой полупр. — barrier regionвертика́льный слой горн. — vertical sliceвпла́вленный слой полупр. — fused layerслой в подши́пниках скольже́ния, антифрикцио́нный — babbitt [white metal] liningвыра́внивающий слой стр. — levelling course, levelling blanketвы́ращенный слой полупр. — grown layerслой, вы́ращенный из га́зовой фа́зы полупр. — vapour-grown layerслой, вы́ращенный ме́тодом жи́дкостной эпитакси́и полупр. — liquid-epitaxial layer, layer grown by liquid-epitaxial techniqueслой, вы́ращенный ме́тодом парово́й эпитакси́и полупр. — vapour-epitaxial layerгоризонта́льный слой горн. — horizontal layerдвойно́й электри́ческий слой — electric double layerдиагона́льный слой горн. — diagonal sliceдрени́рующий слой стр. — damage blanketслой зама́зки, подсти́лочный ( для остекления) — bed(ding) of puttyзапо́рный слой ( варактора) — barrier layerслой B ионосфе́ры — B-layerслой C ионосфе́ры — C-layerслой D ионосфе́ры — D-layer, Chapman layerслой E ионосфе́ры — E-layer, Kennelly-Heaviside layerслой F ионосфе́ры — F-layer, Appleton layerкипя́щий слой — fluidized bedкипя́щий слой самовыра́внивается — the fluidized bed seeks its own levelколле́кторный слой ( транзистора) — collector layerламина́рный слой — laminar layerлеги́рованный слой полупр. — doped layerслой ле́нты ( конвейера) — belt plyмагнитогидродинами́ческий слой — magnetohydrodynamic [MHD] layerнакры́вочный слой стр. — finish(ing) coatслой намо́тки текст. — winding layerнапла́вленный слой метал. — built-up layerнапылё́нный слой — evaporated layerслой, напылё́нный в ва́кууме — vacuum-evaporated layerобеднё́нный слой полупр. — depletion layerобогащё́нный слой полупр. — enriched layerо́кисный слой — oxide layerосаждё́нный слой — deposited layerслой, осаждё́нный в ва́кууме — vacuum-deposited layerотде́лочный слой стр. — finish(ing) coatотража́ющий слой — reflecting layerпе́нный слой ( при тушении пожара) — foam blanketперехо́дный слой — физ. transition layer; полупр. transition regionпове́рхностный слой — surface layerпограни́чный слой — boundary layerподстила́ющий слой — underlayerслой полови́нного поглоще́ния физ. — half-thickness, half-value layerпристе́нный слой — wall layerпроводя́щий слой — conducting layerпротивоорео́льный слой кфт. — antihalation layerслой растяже́ния ( клиновидного ремня) — top reinforcing layerсветочувстви́тельный слой — light-sensitive layerсвязу́ющий слой стр. — binding [binder] course; tack coatслой сжа́тия ( клиновидного ремня) — compression layerуто́пленный слой ( интегральной схемы) — buried layerфильтру́ющий слой — filter bedслой ши́ны, бре́керный — breaker-strip ply of a tyreслой ши́ны, подпроте́кторный — undertread layer of a tyreслой ши́ны, поду́шечный — cushion ply of a tyreслой штукату́рки, выра́внивающий — floating coatслой штукату́рки, отде́лочный — setting coat, plaster finishслой штукату́рки, пе́рвый — rendering coatэпитаксиа́льной слой — epitaxial [epitaxially grown] layer, epi-layer -
6 легированный слой
Engineering: doped layer -
7 слаболегированный слой
Microelectronics: lightly doped layerУниверсальный русско-английский словарь > слаболегированный слой
-
8 слой с гауссовским распределением концентрации легирующей примеси
Electronics: Gaussian-doped layerУниверсальный русско-английский словарь > слой с гауссовским распределением концентрации легирующей примеси
-
9 слой с гауссовским распределением концентрации примеси
Electronics: Gaussian-doped layerУниверсальный русско-английский словарь > слой с гауссовским распределением концентрации примеси
-
10 слой с гауссовским распределением примеси
Microelectronics: Gaussian-doped layerУниверсальный русско-английский словарь > слой с гауссовским распределением примеси
-
11 легированный слой
фпп doped layer -
12 сильнолегированный слой
Русско-английский словарь по микроэлектронике > сильнолегированный слой
-
13 слаболегированный слой
Русско-английский словарь по микроэлектронике > слаболегированный слой
-
14 эпитаксиальный слой
1) Engineering: epi, epi-layer, epitaxial layer, epitaxially grown layer2) Electronics: arsenic-doped epi3) Household appliances: epilayer4) Microelectronics: epi layer5) Makarov: epitaxial filmУниверсальный русско-английский словарь > эпитаксиальный слой
-
15 транзистор
crystal triode, semiconductor triode* * *транзи́стор м.
transistorбыть вы́полненным по́лностью на транзи́сторах — be fully transistorizedвключа́ть транзи́стор по схе́ме, напр. с о́бщей ба́зой — connect a transistor in, e. g., a common-base [grounded-base] circuitзапира́ть транзи́стор — drive a transistor to cut-off, cut off [turn off] a transistorиспо́льзовать транзи́стор в акти́вном режи́ме [в акти́вной о́бласти] — bring a transistor into its active regionтранзи́стор нахо́дится [рабо́тает] в режи́ме насыще́ния [в о́бласти насыще́ния] — the transistor is at saturationтранзи́стор нахо́дится [рабо́тает] в режи́ме обедне́ния — the transistor operates in the depletion modeтранзи́стор нахо́дится [рабо́тает] в режи́ме отсе́чки [в о́бласти отсе́чки] — the transistor is [operating] at cut-offотпере́ть транзи́стор — render a transistor conductive, turn on a transistorанало́говый транзи́стор — analog transistorтранзи́стор бегу́щей волны́ — travelling-wave transistorбездре́йфовый транзи́стор — diffusion transistorбиполя́рный транзи́стор — bipolar transistorбу́синковый транзи́стор — bead transistorва́куумно-осаждё́нный транзи́стор — vacuum deposited transistorвы́ращенный транзи́стор — grown(-junction) transistorвысокочасто́тный транзи́стор — high-frequency transistorгерма́ниевый транзи́стор — germanium transistorтранзи́стор двойно́го леги́рования — double-doped transistorдвухба́зовый транзи́стор — double-base transistorдвухколле́кторный транзи́стор — double-collector transistorдвухэми́ттерный транзи́стор — double-emitter transistorдискре́тный транзи́стор — discrete transistorдиффузио́нный транзи́стор ( изгоговленный по диффузионной технологии) — diffused transistor (не путать с бездре́йфовым транзи́стором diffusion transistor, где diffusion указывает на характер движения носителей)транзи́стор для логи́ческой схе́мы — logic transistorтранзи́стор для переключа́тельных схем — switching(-type) transistorдре́йфовый транзи́стор — drift transistorизоли́рованный транзи́стор ( в монолитной интегральной схеме) — isolated transistorинтегра́льный транзи́стор — integrated transistorкана́льный транзи́стор — field-effect [unipolar] transistorконверсио́нный транзи́стор — post-alloy diffused transistorкре́мниевый транзи́стор — silicon transistorлави́нный транзи́стор — avalanche transistorтранзи́стор, леги́рованный зо́лотом — gold-doped transistorМДП-транзи́стор — insulated-gate field-effect transistor, IGFETМДП-транзи́стор с индуци́рованным кана́лом — induced-channel insulated-gate field-effect transistor, induced-channel IGFETМДП-транзи́стор с проводя́щим кана́лом — conductive-channel insulated-gate field-effect transistor, conductive-channel IGFETме́за-транзи́стор — mesa transistorмикросплавно́й транзи́стор — microalloy transistorтранзи́стор микросхе́мы — transistor microelementМОП-транзи́стор — metal-oxide-semiconductor transistor, MOS-transistor, MOSFETМОП-транзи́стор, рабо́тающий в режи́ме обедне́ния — depletion-mode metal-oxide-semiconductor transistor, depletion-mode MOS-transistor, depletion-mode MOSFETМОП-транзи́стор, рабо́тающий в режи́ме обогаще́ния — enhancement-mode metal-oxide-semiconductor transistor, enhancement-mode MOS-transistor, enhancement-mode MOSFETмо́щный транзи́стор — power transistorтранзи́стор на криста́ллике — chip transistorнапылё́нный транзи́стор — evaporated transistorобратнодиффу́зный транзи́стор — outdiffused transistorобратнопла́вленный транзи́стор — meltback transistorобращё́нный транзи́стор — inverce transistorоднокра́тно диффу́зионный транзи́стор — single-diffused transistorодноперехо́дный транзи́стор — unijunction transistorоптикоэлектро́нный транзи́стор — electrooptical transistor, optotransistorплана́рный транзи́стор — planar transistorплоскостно́й транзи́стор — junction transistorпове́рхностно-барье́рный транзи́стор — surface-barrier transistorпове́рхностно-сплавно́й транзи́стор — surface-alloy transistorполево́й транзи́стор — field-effect transistor, FETзапере́ть полево́й транзи́стор по управля́ющему электро́ду — gate off a FETотпере́ть полево́й транзи́стор по управля́ющему электро́ду — gate on a FETполево́й транзи́стор с двумя́ затво́рами — double-gate field-effect transistor, double-gate FETполево́й транзи́стор с затво́ром на гетероперехо́де — heterojunction-gate field-effect transistor, heterojunction-gate FETполево́й транзи́стор с изоли́рованным затво́ром — insulated-gate field-effect transistor, IGFETполево́й транзи́стор с индуци́рованным кана́лом — induced-channel field-effect transistor, induced-channel FETпролё́тный транзи́стор — transit-time transistorсверхминиатю́рный транзи́стор — subminiature transistorСВЧ транзи́стор — microwave transistorтранзи́стор с гетероперехо́дом — heterojunction transistorтранзи́стор с инже́кцией носи́телей — injection-type transistorсплавно́й транзи́стор — alloy transistorтранзи́стор с пла́вным перехо́дом — graded-junction transistorтранзи́стор с ре́зкими перехо́дами — abrupt-junction transistorтранзи́стор с эми́ттером встре́чно-штырево́й констру́кции — interdigitated transistor, ITтранзи́стор с эми́ттером гребе́нчатого ти́па — interdigitated transistor, ITтранзи́стор табле́точного ти́па — tab transistorтранзи́стор p [m2]-n [m2]-p [m2]-ти́па — p -n -p -transistorтранзи́стор p [m2]-n [m2]-p [m2]-n [m2]-ти́па — p -n -p -n -transistorтолстоплё́ночный транзи́стор — thick-film transistorтонкоплё́ночный транзи́стор — thin-film transistorто́чечный транзи́стор — point(-contact) transistorтунне́льный транзи́стор — tunnel transistorтя́нутый транзи́стор — grown-junction transistorуниполя́рный транзи́стор — unipolar [field-effect] transistorуправля́ющий транзи́стор — control transistorчетырёхсло́йный транзи́стор — four-layer transistorчетырёхэлектро́дный транзи́стор — four-electrode transistorэпитаксиа́льный транзи́стор — epitaxial transistor -
16 добавлять
•Each layer of semiconducting material is doped with a small amount of impurity.
•The solution was added to the bottle with the carrier.
•To our oil in water emulsion mentioned above we add a little soap.
•The Bohr orbit and the angular momentum can be specified by appending the appropriate letter to the principal quantum number.
Русско-английский научно-технический словарь переводчика > добавлять
-
17 добавлять
•Each layer of semiconducting material is doped with a small amount of impurity.
•The solution was added to the bottle with the carrier.
•To our oil in water emulsion mentioned above we add a little soap.
•The Bohr orbit and the angular momentum can be specified by appending the appropriate letter to the principal quantum number.
* * *Русско-английский научно-технический словарь переводчика > добавлять
-
18 транзистор
м. transistor -
19 stark dotierte Kollektorleitschicht
f ELEKTRON [Halbleiterschicht] heavily-doped buried layerDeutsch-Englisch Wörterbuch für Informatik > stark dotierte Kollektorleitschicht
См. также в других словарях:
highly-doped layer — stipriai legiruotas sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high concentration layer; highly doped layer vok. hochdotierte Schicht, f rus. сильнолегированный слой, m pranc. couche fortement dopée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
high-concentration layer — stipriai legiruotas sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high concentration layer; highly doped layer vok. hochdotierte Schicht, f rus. сильнолегированный слой, m pranc. couche fortement dopée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
arsenic-doped epitaxial layer — epitaksinis arsenu legiruotas sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. arsenic doped epitaxial layer vok. arsendotierte Epitaxieschicht, f rus. эпитаксиальный слой, легированный мышьяком, m pranc. couche épitaxiale dopée… … Radioelektronikos terminų žodynas
Multijunction photovoltaic cell — Multi junction solar cells or tandem cells are solar cells containing several p n junctions. Each junction is tuned to a different wavelength of light, reducing one of the largest inherent sources of losses, and thereby increasing efficiency.… … Wikipedia
Power MOSFET — A Power MOSFET is a specific type of Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) designed to handle large power. Compared to the other power semiconductor devices (IGBT, Thyristor...), its main advantages are high commutation speed … Wikipedia
Cathode — Diagram of a copper cathode in a galvanic cell (e.g., a battery). A positive current i flows out of the cathode (CCD mnemonic: Cathode Current Departs). A cathode is an electrode through which electric current flows out of a polarized electrical… … Wikipedia
Ohmic contact — An ohmic contact is a region on a semiconductor device that has been prepared so that the current voltage (I V) curve of the device is linear and symmetric. If the I V characteristic is non linear and asymmetric, the contact is not ohmic, but is… … Wikipedia
Anode — An anode is an electrode through which electric current flows into a polarized electrical device. Mnemonic: ACID (Anode Current Into Device). Electrons flow in the opposite direction to the positive electric current.A widespread misconception is… … Wikipedia
PIN diode — Layers of a PIN diode A PIN diode is a diode with a wide, lightly doped near intrinsic semiconductor region between a p type semiconductor and an n type semiconductor region. The p type and n type regions are typically heavily doped because they… … Wikipedia
Memristor — Type Passive Working principle Memristance Invented Leon Chua (1971) First production HP Labs (2008) Electronic symbol … Wikipedia
Induced high electron mobility transistor — In contrast to a modulation doped HEMT, an induced high electron mobility transistor provides the flexibility to tune different electron densities with a top gate. Since the charge carriers are induced to the 2DEG plane rather than created by… … Wikipedia