-
1 атом легирующей примеси
Русско-английский физический словарь > атом легирующей примеси
-
2 атом примеси
-
3 атом примеси
Русско-английский словарь по радиоэлектронике > атом примеси
-
4 примесный атом
dopant atom, foreign atom, impurity atom, stranger atom -
5 примесный атом
dopant atom, foreign atom, impurity atom, stranger atomРусско-английский словарь по радиоэлектронике > примесный атом
-
6 doopstofatoom
• dopant atom• impurity atom -
7 водородоподобный атом
-
8 возмущающий атом
-
9 дочерний атом
-
10 изолированный атом
-
11 смещенный атом
-
12 чужеродный атом
-
13 электроотрицательный атом
Русско-английский научный словарь > электроотрицательный атом
-
14 донорный атом
Русско-английский новый политехнический словарь > донорный атом
-
15 ядро атома
Русско-английский новый политехнический словарь > ядро атома
-
16 примесный атом
1) Engineering: foreign atom, impurity atom2) Electronics: dopant atom, stranger atom3) Makarov: acceptor atom -
17 аргумент типа атома
Русско-английский большой базовый словарь > аргумент типа атома
-
18 расщепление атома
Русско-английский большой базовый словарь > расщепление атома
-
19 адсорбированный атом
Русско-английский новый политехнический словарь > адсорбированный атом
-
20 ионизация атома
Русско-английский новый политехнический словарь > ионизация атома
- 1
- 2
См. также в других словарях:
dopant atom — legiravimo atomas statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. dopant atom; doping atom vok. Dotierungsatom, n rus. легирующий атом, m pranc. atome dopant, m … Fizikos terminų žodynas
dopant — /doh peuhnt/, n. Electronics. an impurity added intentionally in a very small, controlled amount to a pure semiconductor to change its electrical properties: Arsenic is a dopant for silicon. [1960 65; DOPE + ANT] * * * Any impurity added to a… … Universalium
atome dopant — legiravimo atomas statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. dopant atom; doping atom vok. Dotierungsatom, n rus. легирующий атом, m pranc. atome dopant, m … Fizikos terminų žodynas
doping atom — legiravimo atomas statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. dopant atom; doping atom vok. Dotierungsatom, n rus. легирующий атом, m pranc. atome dopant, m … Fizikos terminų žodynas
Random dopant fluctuation — (RDF) is a form of process variation resulting from variation in the implanted impurity concentration. In MOSFET transistors, RDF in the channel region can alter the transistor s properties, especially threshold voltage. In newer process… … Wikipedia
electronics — /i lek tron iks, ee lek /, n. (used with a sing. v.) the science dealing with the development and application of devices and systems involving the flow of electrons in a vacuum, in gaseous media, and in semiconductors. [1905 10; see ELECTRONIC,… … Universalium
Doping (semiconductor) — In semiconductor production, doping intentionally introduces impurities into an extremely pure (also referred to as intrinsic) semiconductor for the purpose of modulating its electrical properties. The impurities are dependent upon the type of… … Wikipedia
Ion implantation — is a materials engineering process by which ions of a material can be implanted into another solid, thereby changing the physical properties of the solid. Ion implantation is used in semiconductor device fabrication and in metal finishing, as… … Wikipedia
P-type semiconductor — A P type semiconductor (P for Positive) is obtained by carrying out a process of doping: that is, adding a certain type of atoms to the semiconductor in order to increase the number of free charge carriers (in this case positive holes). When the… … Wikipedia
Donor (semiconductors) — In semiconductor physics, a donor is a dopant atom that, when added to a semiconductor, can form n type regions. Phosphorus atom acting as a donor in the simplified 2D Silicon lattice. For example, when silicon (Si), having four valence electrons … Wikipedia
Dotierungsatom — legiravimo atomas statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. dopant atom; doping atom vok. Dotierungsatom, n rus. легирующий атом, m pranc. atome dopant, m … Fizikos terminų žodynas