-
1 диффузионный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения
диффузионный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения
диффузионный ППД
Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, структура которого создается в результате диффузии легирующих примесей в полупроводниковый материал.
[ ГОСТ 18177-81]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > диффузионный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения
См. также в других словарях:
Semiconductor device modeling — creates models for the behavior of the electrical devices based on fundamental physics, such as the doping profiles of the devices. It may also include the creation of compact models (such as the well known SPICE transistor models), which try to… … Wikipedia
semiconductor device — ▪ electronics Introduction electronic circuit component made from a material that is neither a good conductor nor a good insulator (hence semiconductor). Such devices have found wide applications because of their compactness, reliability,… … Universalium
Alloy-junction transistor — The germanium alloy junction transistor, or alloy transistor, was an early type of bipolar junction transistor, developed at General Electric and RCA in 1951 as an improvement over the earlier grown junction transistor. The usual construction of… … Wikipedia
Bipolar junction transistor — BJT redirects here. For the Japanese language proficiency test, see Business Japanese Proficiency Test. PNP … Wikipedia
P-n junction — A p n junction is a junction formed by combining P type and N type semiconductors together in very close contact. The term junction refers to the region where the two regions of the semiconductor meet. It can be thought of as the border region… … Wikipedia
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
Metal Oxide Semiconductor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
диффузионный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения — диффузионный ППД Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, структура которого создается в результате диффузии легирующих примесей в полупроводниковый материал. [ГОСТ 18177 81] Тематики детекторы ионизирующих излучений Синонимы… … Справочник технического переводчика
Solar cell — A solar cell made from a monocrystalline silicon wafer … Wikipedia
Transistor — For other uses, see Transistor (disambiguation). Assorted discrete transistors. Packages in order from top to bottom: TO 3, TO 126, TO 92, SOT 23 A transistor is a semiconductor device used to amplify and switch electronic signals and power. It… … Wikipedia