-
21 MOS capacitor
MOS-condensator -
22 MOS transistor
MOS-transistor -
23 mos
mos, oris, m., custom, manner; (in pl.) manners, conduct. -
24 mos.
-
25 MOS
MOS, margin of safetyзапас прочности, коэффициент безопасности, надежность -
26 mos
mos сообщество обитающих вместе организмов, не связанных мутуалистическими взаимоотношениямиEnglish-Russian dictionary of biology and biotechnology > mos
-
27 MOS
I сокр. от mean opinion score II сокр. от metal-oxide-semiconductorструктура (типа) металл - оксид - полупроводник, МОП-структура-
adjustable-threshold MOS
-
aluminum-gate MOS
-
back-gate MOS
-
beam-addressed MOS
-
bipolar MOS
-
bulk complementary MOS
-
buried channel MOS
-
buried-oxide MOS
-
clocked complementary MOS
-
complementary MOS
-
depletion MOS
-
dielectric insulated MOS
-
dielectric isolated MOS
-
diffusion self-aligned MOS
-
double polysilicon MOS
-
double poly MOS
-
double-diffused MOS
-
double-implanted MOS
-
dynamic complementary MOS
-
enhancement MOS
-
enhancement/depletion MOS
-
floating-gate avalanche injection MOS
-
floating-gate MOS
-
high-density MOS
-
high-performance complementery MOS
-
high-threshold MOS
-
high-voltage MOS
-
insulated gate MOS
-
ion-implanted MOS
-
isolated gate MOS
-
junction gate MOS
-
lateral planar MOS
-
local oxidation MOS
-
long MOS
-
low-threshold MOS
-
metal-gate MOS
-
micrometer MOS
-
micron MOS
-
n-channel MOS
-
p-channel MOS
-
polysilicon self-aligned MOS
-
poly self-aligned MOS
-
power MOS
-
quadruple self-aligned MOS
-
refractory MOS
-
resistive-gate MOS
-
scaled-down MOS
-
scaled MOS
-
Schottky-barrier MOS
-
self-aligned MOS
-
silicon-gate technology MOS
-
silicon-gate MOS
-
silicon-on-sapphire complementary MOS
-
stacked transistors complementary MOS
-
submicrometer MOS
-
submicron MOS
-
surface gate MOS
-
three-dimensional MOS
-
transverse MOS
-
triple-polysilicon MOS
-
triple-poly MOS
-
V-groove MOS
-
V MOS -
28 MOS
структура метал–оксид–напівпровідник, МОН-структура - aluminum-gate MOS
- avalanche-injection stacked gate MOS
- avalanche stacked gate MOS
- back-gate MOS
- bulk complementary MOS
- buried-channel MOS
- buried-oxide MOS
- clocked complementary MOS
- complementary symmetry MOS
- complementary MOS
- composite-gate MOS
- depletion MOS
- dielectric-insulated MOS
- dielectric-isolated MOS
- double-diffused MOS
- double-implanted MOS
- double-level polysilicon MOS
- elevated-electrode MOS
- enhancement MOS
- floating-gate MOS
- grooved-gate MOS
- high-threshold MOS
- high-voltage MOS
- ion-implanted MOS
- lateral-merged bipolar MOS
- low-threshold MOS
- merged MOS
- multigate MOS
- n-channelMOS
- nMOS
- p-channelMOS
- pMOS
- polycrystalline silicon-gate MOS
- quadruply self-aligned MOS
- refractory MOS
- resistive-gate MOS
- scaled MOS
- Schottky-barrier MOS
- self-aligned MOS
- silicon-gate MOS
- single-channel MOS
- single-poly gate MOS
- substrate-fed MOS
- vertical MOS
- V-groove MOS
- V-notch MOS -
29 MOS
1) [mean opinion score] оценка качества передачи речи2) [metal-oxide semiconductor] структура металл-оксид-полупроводник, МОП-структура3) [metal-oxide-silicon] структура металл-оксид-кремний•- bi MOS- bipolar MOS
- C-MOS
- complementary MOS
- D-MOS
- double-diffusion MOS
- dual-injection MOS
- FA MOS
- floating-gate avalanche injection MOS
- high-density MOS
- high-performance MOS
- high-speed MOS
- n MOS
- n-channel MOS
- p MOS
- p-channel MOS
- V-MOS
- V-groove MOS -
30 MOS
1) сокр. от mean opinion score оценка качества передачи речи2) сокр. от metal-oxide semiconductor структура металл-оксид-полупроводник, МОП-структура- bi MOS- bipolar MOS
- C MOS
- complementary MOS
- D MOS
- double-diffusion MOS
- dual-injection MOS
- FA MOS
- floating-gate avalanche-injection MOS
- high-density MOS
- high-performance MOS
- high-speed MOS
- n MOS
- n-channel MOS
- p MOS
- p-channel MOS
- V-groove MOS- V-MOS3) сокр. от metal-oxide-silicon структура металл-оксид-кремнийThe New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > MOS
-
31 MOS
1 abbrCOMP&DP (metal-oxide semiconductor), ELECTRON (metallic oxide semiconductor) SOM (semiconductor metal-óxido)2 -
32 MOS-transistor
полевой транзистор типа металл-окисел-полупроводник
МОП-транзистор
Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется окисел.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > MOS-transistor
-
33 MOS-TQE
- оценка рассчитывается с помощью модели сетевого планирования, предназначенной для прогнозирования качества в условиях применения только при разговоре
оценка рассчитывается с помощью модели сетевого планирования, предназначенной для прогнозирования качества в условиях применения только при разговоре
В настоящее время методы составления MOS-TQE не стандартизированы.
(МСЭ-Т P.10/ G.100).
[ http://www.iks-media.ru/glossary/index.html?glossid=2400324]Тематики
- электросвязь, основные понятия
EN
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > MOS-TQE
-
34 MOS-TQO
- оценка рассчитывается с помощью объективной модели, предназначенной для прогнозирования качества в условиях тестирования только при разговоре
оценка рассчитывается с помощью объективной модели, предназначенной для прогнозирования качества в условиях тестирования только при разговоре
В настоящее время методы составления MOS-TQO разрабатываются и еще не стандартизированы (МСЭ-Т P.10/ G.100).
[ http://www.iks-media.ru/glossary/index.html?glossid=2400324]Тематики
- электросвязь, основные понятия
EN
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > MOS-TQO
-
35 MOS LSI
1) Техника: MOS large-scale integrated circuit, metal-oxide-semiconductor large-scale integrated circuit2) Вычислительная техника: БИС на МОП-структура -
36 MOS large-scale integrated circuit
Универсальный англо-русский словарь > MOS large-scale integrated circuit
-
37 MOS structure
2) Вычислительная техника: МОП-структура3) Микроэлектроника: структура металл - оксид - полупроводник4) Макаров: (metal-oxide-semiconductor structure) структура металл-оксид-полупроводник (МОП-структура), (metal-oxide-semiconductor structure)(MOS structure) МОП-структура (структура металл-оксид-полупроводник) -
38 MOS-1 Verification Programme
Космонавтика: программа выверки данных MOS-1 (MVP)Универсальный англо-русский словарь > MOS-1 Verification Programme
-
39 MOS/SOS
-
40 MOS/SOS
metal-oxide-semiconductor/silicon-on-sapphire; MOS silicon-on-sapphire - МОП-структура типа "кремний на сапфире"; МОП-структура на сапфире; МОП структура "кремний на сапфире"
См. также в других словарях:
Mos Def — at YBCA in San Francisco on December 31, 2008 Background information Birth name Dante Terrell Smith Also known as … Wikipedia
Mos Def discography — Mos Def discography Releases ↙Studio albums 4 ↙Compilation albums … Wikipedia
MOS Technology — MOS Technology, Inc., también conocida como Commodore Semiconductor Group, (al ser adquirida por CBM), fue un fabricante de calculadoras y microprocesadores, siendo famosa por su microprocesador MOS Technology 6502. Pese a la similitud, no tiene… … Wikipedia Español
MOS Technology, Inc — MOS Technology MOS Technologie, également connue sous le nom de Commodore Semiconductor Group, fut une société américaine d électronique et un fondeur de microprocesseurs. La société est particulièrement connue pour avoir conçu la gamme des… … Wikipédia en Français
MOS Technology — MOS Technology, Inc., также известная как CSG (Commodore Semiconductor Group) американская компания, разработчик и производитель микросхем. Располагалась в Норристоне, штат Пенсильвания. Наиболее известна как разработчик микропроцессора… … Википедия
Mos Dub — Remix album by Max Tannone Released April 6th, 2010 … Wikipedia
mos — mos·cha·tel; mos·chi; mos·chus; mos·cow; mos·ke·neer; mos·lem·ize; mos·qui·to·ey; mos·si; mos·sie; no·mos; oph·thal·mos·co·py; op·is·thod·o·mos; ra·mos; sa·mos·a·te·nian; se·mos·to·mae; squa·mos·i·ty; ther·mos; zy·mos·ter·ol; zy·mos·then·ic;… … English syllables
MOS Burger — MOS Food Services, Inc. Type Publicly Traded TYO: 8153 Industry Foodservice Founded Tokyo … Wikipedia
Mos — Escudo … Wikipedia Español
Mos Def — Chartplatzierungen (vorläufig) Vorlage:Infobox Chartplatzierungen/Wartung/vorläufige Chartplatzierung Erklärung der Daten Alben … Deutsch Wikipedia
MOS Technologies VIC II — MOS 6569R3 auf einem C64 Mainboard Der VIC II 8565R2 für den C64 II Der VIC (Video Interface Controller) II von MOS Technologies, Nachfolger des … Deutsch Wikipedia