-
1 напряжение на коллекторе фототранзистора
напряжение на коллекторе фототранзистора
Напряжение между коллектором и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора.
Обозначение
Uбк
Uдк
UCB
UCE
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
102. Напряжение на коллекторе фототранзистора
D. Kollektorspannung
E. Collector voltage
F. Tension du collecteur
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > напряжение на коллекторе фототранзистора
-
2 максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
-
Обозначение
UКБ,и max
UСBM max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
77. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
D. Maximal zulässige Kollektor-Basis-Impulsspannung
E. Maximum peak collector-base voltage
F. Tension de crête collector-base maximale
UКБ, и max
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
-
3 максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
-
Обозначение
UКЭ, max
UСEM max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
76. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
D. Maximal zulässige Kollektor-Emitter-Impulsspannung
E. Maximum peak collector-emitter voltage
F. Tension de crête collecteur-émetteur maximale
UКЭ, и max
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
-
4 максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
-
Обозначение
UКБ max
UСB max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- maximum collector-base (d.c.) voltage
DE
FR
74. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
D. Maximal zulässige Kollektor-Basic-Gleichspannung
E. Maximum collector-base (d.c.) voltage
F. Tension continue collecteur-base maximale
UКБ max
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
-
5 напряжение насыщения коллектор-эмиттер
напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Напряжение между выводами коллектора и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора.
Обозначение
UКЭнас
UСEsat
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
7. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
D. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
E. Saturation collector-emitter voltage
F. Tension de saturation collecteur-émetteur
UКЭнас
Напряжение между выводами коллектора и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-
6 постоянное напряжение коллектор-база
постоянное напряжение коллектор-база
Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы.
Обозначение
UКБ
UCB
Примечание
При заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю, UКБО, UCBO.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- collector-base (d.с.) voltage
DE
FR
58. Постоянное напряжение коллектор-база
D. Kollektor-Basis-Spannung
E. Collector-base (d.c.) voltage
F. Tension continue collecteur-base
U2КБ
Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > постоянное напряжение коллектор-база
-
7 постоянное напряжение коллектор-эмиттер
постоянное напряжение коллектор-эмиттер
Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера.
Обозначение
UКЭ
UCE
Примечание
При заданном токе коллектора и токе базы, равном нулю, UКЭО, UCEO;
при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер, UКЭR, UCER;
при заданном токе коллектора и коротком замыкании в цепи база-эмиттер, UКЭК, UCES;
при заданном токе коллектора в заданном обратном напряжении эмиттер-база, UКЭХ, UCEX.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- collector-emitter (d.с.) voltage
DE
FR
59. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
D. Kollektor-Emitter-Spannung (bei vorgegebenen Bedingungen)
E. Collector-emitter (d.c.) voltage
F. Tension continue collecteur-émetteur
U3КЭ
Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > постоянное напряжение коллектор-эмиттер
-
8 пробивное напряжение коллектор-база
пробивное напряжение коллектор-база
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю.
Обозначение
UКБОпроб
U(BR)CBO
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
12. Пробивное напряжение коллектор-база
D. Kollektor-Basis-Durchbruchspannung
E. Breakdown collector-base voltage
F. Tension de claquage collecteur-base
UКБОпроб
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение коллектор-база
-
9 пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uкпр к
UBR CBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
106. Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
E. Collector-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage collecteur-base de
phototransistor
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
-
10 пробивное напряжение коллектор-эмиттер
пробивное напряжение коллектор-эмиттер
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе коллектора.
Обозначение
UКЭпроб
Примечание
При токе базы, равном нулю, UКЭО проб, U(BR)CEO ;
при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер, UКЭR проб, U(BR)CER ;
при коротком замыкании в цепи база-эмиттер, UКЭK проб, U(BR)CES ;
при заданном обратном напряжении база-эмиттер, UКЭX проб, U(BR)CEX.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
13. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер
D. Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (bei vorgegebenen Bedingungen)
E. Breakdown collector-emitter voltage
F. Tension de claquage collecteur-émetteur
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе коллектора
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение коллектор-эмиттер
-
11 пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uэпр к
UBR CEO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
105. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
D. Kollektor-Emitter-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
E. Collector-emitters breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage collecteur-émetteur de phototransistor
Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
-
12 пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uкпрэ
UBR ECO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
108. Пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
D. Emitter-Kollektor-Durch-bruchspannung eines Phtototransistors
E. Emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage émetteur-collecteur de phototransistor
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
-
13 максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер
максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер
-
Обозначение
UКЭ max
UСE max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- maximum collector-emitter (d.c.) voltage
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер
-
14 Максимально допустимое постоянное напряжение коллектора-эмиттер
75. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектора-эмиттер
D. Maximal zulässige Kollektor-Emitter-Gleichspannung
E. Maximum collector-emitter (d.c.) voltage
F. Tension continue collecteur-émetteur maximale
UКЭ max
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > Максимально допустимое постоянное напряжение коллектора-эмиттер
См. также в других словарях:
Common collector — Figure 1: Basic NPN common collector circuit (neglecting biasing details). In electronics, a common collector amplifier (also known as an emitter follower or BJT voltage follower) is one of three basic single stage bipolar junction transistor… … Wikipedia
Open collector — A simple schematic of an open collector of an integrated circuit (IC). An open collector is a common type of output found on many integrated circuits (IC). Instead of outputting a signal of a specific voltage or current, the output signal is… … Wikipedia
Dust collector — Two rooftop dust collectors in Pristina, Kosovo A dust collector is a system used to enhance the quality of air released from industrial and commercial processes by collecting dust and other impurities from air or gas. Designed to handle heavy… … Wikipedia
Current-to-voltage converter — In electronics, a transimpedance amplifier is an amplifier that converts current to voltage. Its input ideally has zero impedance, and the input signal is a current. Its output may have low impedance, or in high frequency applications, may be… … Wikipedia
Live: 2 CD Collector's Edition — Album par AC/DC Sortie Novembre 1992 États Unis 29 octobre& … Wikipédia en Français
AC/DC Live Special Collector's Edition — Live: 2 CD Collector s Edition Live: 2 CD Collector s Edition Album par AC/DC Sortie 27 octobre 1992 États Unis … Wikipédia en Français
High Voltage — Ne pas confondre avec la version australienne. High Voltage Album par AC/DC Sortie 14 mai 1976 Enregistrement … Wikipédia en Français
Live Collector's Edition — Live: 2 CD Collector s Edition Live: 2 CD Collector s Edition Album par AC/DC Sortie 27 octobre 1992 États Unis … Wikipédia en Français
Live Special Collector's Edition — Live: 2 CD Collector s Edition Live: 2 CD Collector s Edition Album par AC/DC Sortie 27 octobre 1992 États Unis … Wikipédia en Français
Live Spécial Collector's Édition — Live: 2 CD Collector s Edition Live: 2 CD Collector s Edition Album par AC/DC Sortie 27 octobre 1992 États Unis … Wikipédia en Français
Low-Voltage-TTL — Die Transistor Transistor Logik (TTL) ist eine Schaltungstechnik (Logikfamilie) für logische Schaltungen (Gatter), bei der als aktives Bauelement der Schaltung planare npn Bipolartransistoren verwendet werden. Hierbei wird meist ein Multiemitter… … Deutsch Wikipedia