-
1 Inversion Base Transistor
microel. IBTУниверсальный русско-немецкий словарь > Inversion Base Transistor
-
2 Ion-Implanted Base Transistor
microel. IBTУниверсальный русско-немецкий словарь > Ion-Implanted Base Transistor
-
3 Metal Base Transistor
microel. MBTУниверсальный русско-немецкий словарь > Metal Base Transistor
-
4 MicroAlloy Diffused Base Transistor
microel. MADTУниверсальный русско-немецкий словарь > MicroAlloy Diffused Base Transistor
-
5 Permeable Base Transistor
microel. PBTУниверсальный русско-немецкий словарь > Permeable Base Transistor
-
6 транзистор с проницаемой базой
nУниверсальный русско-немецкий словарь > транзистор с проницаемой базой
-
7 темновой ток коллектор-база фототранзистора
темновой ток коллектор-база фототранзистора
Ток в цепи коллектора, протекающий при отсутствии тока в эмиттере при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
IбТ К
IСBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- courant d’obscurité collecteur-base de phototransistor
113. Темновой ток коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors
E. Collector-base dark current of a photo-transistor
F. Courant d'obscurité collecteur-base de phototransistor
Ток в цепи коллектора, протекающий при отсутствии тока в эмиттере при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > темновой ток коллектор-база фототранзистора
-
8 микросплавной транзистор с диффузионной базой
adjmicroel. MADT-Transistor, MicroAlloy Diffused Base Transistor, MikrolegierungsdiffusionstransistorУниверсальный русско-немецкий словарь > микросплавной транзистор с диффузионной базой
-
9 транзистор с инверсной базой
nmicroel. (на арсениде галлия) Inversion Base Transistor, (на арсениде галлия) Transistor mit inverser Basis, (на арсениде галлия) IBTУниверсальный русско-немецкий словарь > транзистор с инверсной базой
-
10 транзистор с ионно-имплантированной базой
Универсальный русско-немецкий словарь > транзистор с ионно-имплантированной базой
-
11 транзистор с металлической базой
n1) electr. Metallbasistransistor2) microel. MBT, Metal Base Transistor, MetallzwischenschichttransistorУниверсальный русско-немецкий словарь > транзистор с металлической базой
См. также в других словарях:
base du transistor — tranzistoriaus bazė statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. transistor base vok. Basis des Transistors, f rus. база транзистора, f pranc. base du transistor, f … Automatikos terminų žodynas
base du transistor — tranzistoriaus bazė statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. transistor base vok. Basis des Transistors, f rus. база транзистора, f pranc. base du transistor, f … Fizikos terminų žodynas
Transistor — Transistores de diversas potencias los de arriba son de mayor potencia Tipo Semiconductor Fecha de invención … Wikipedia Español
Transistor de Darlington — Transistor Darlington Le transistor Darlington est la combinaison de deux transistors bipolaires de même type (tous deux NPN ou tous deux PNP), résultant en un composant hybride qui a encore des caractéristiques de transistor. Ces deux… … Wikipédia en Français
Base Commune — Un amplificateur à base commune. En électronique, une base commune est un type d amplificateur électronique utilisant un transistor bipolaire. Le terme de base commune vient du fait que l électrode « base » du transistor est reliée à la … Wikipédia en Français
Transistor bipolaire a grille isolee — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
Transistor bipolaire — Vue interne d un transistor bipolaire de puissance 2N3055 conçu dans les années 1970 Un transistor bipolaire est un dispositif électronique à base de semi conducteur de la famille des transistors. Son principe de fonctionnement est basé sur deux… … Wikipédia en Français
Transistor Darlington — Le transistor Darlington est la combinaison de deux transistors bipolaires de même type (tous deux NPN ou tous deux PNP), résultant en un composant hybride qui a encore des caractéristiques de transistor. Ces deux transistors sont souvent… … Wikipédia en Français
Base commune — Un amplificateur à base commune. En électronique, une base commune est un type d amplificateur électronique utilisant un transistor bipolaire. Le terme de base commune vient du fait que l électrode « base » du transistor est reliée à la … Wikipédia en Français
Transistor unijonction — Symbole de l UJT. Un transistor unijonction (souvent appelé UJT, d après le sigle anglais) est une sorte de transistor qui n est composé que d une seule jonction. Il est aussi appelé aussi Diode à double base , le transistor unijonction est un… … Wikipédia en Français
Transistor bipolaire à grille isolée — Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme interrupteur électronique, principalement … Wikipédia en Français