Metall-Halbleiter-Grenzschicht

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• Metall-Halbleiter-Grenzschicht — skiriamasis metalo ir puslaidininkio paviršius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal semiconductor interface vok. Metall Halbleiter Grenzschicht, f rus. поверхность раздела металл полупроводник, f pranc. interface métal semi …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur — MIS Struktur (Metall/SiO2/p Si) in einem vertikalen MIS Kondensator Die Metall Isolator Halbleiter Struktur (engl. metal insulator semiconductor, kurz MIS) bildet die Grundlage für eine Vielzahl von Bauelementen in der Mikroelektronik, z. B …   Deutsch Wikipedia

• Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… …   Deutsch Wikipedia

• Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) gehört zu den Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate, auch als IGFET bezeichnet. Er ist den… …   Deutsch Wikipedia

• interface métal-semi-conducteur — skiriamasis metalo ir puslaidininkio paviršius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal semiconductor interface vok. Metall Halbleiter Grenzschicht, f rus. поверхность раздела металл полупроводник, f pranc. interface métal semi …   Radioelektronikos terminų žodynas

• metal-semiconductor interface — skiriamasis metalo ir puslaidininkio paviršius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal semiconductor interface vok. Metall Halbleiter Grenzschicht, f rus. поверхность раздела металл полупроводник, f pranc. interface métal semi …   Radioelektronikos terminų žodynas

• skiriamasis metalo ir puslaidininkio paviršius — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal semiconductor interface vok. Metall Halbleiter Grenzschicht, f rus. поверхность раздела металл полупроводник, f pranc. interface métal semi conducteur, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

• поверхность раздела металл-полупроводник — skiriamasis metalo ir puslaidininkio paviršius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal semiconductor interface vok. Metall Halbleiter Grenzschicht, f rus. поверхность раздела металл полупроводник, f pranc. interface métal semi …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Diode — Zweipolröhre; Vakuumdiode; ungesteuerter Gleichrichter; Röhrendiode * * * Di|o|de 〈f. 19; El.〉 früher eine Elektronenröhre, heute ein Halbleiterbauelement mit einer Grenzschicht zw. zwei Halbleitermaterialien zum Gleichrichten od. Richtungsleiten …   Universal-Lexikon

• Miniaturisierung: Von der Elektronenröhre zum Mikrochip —   Das sicherlich den meisten Menschen am besten vertraute Beispiel einer fortwährenden Miniaturisierung von Bauteilen ist die Mikroelektronik und hier vor allem die Computertechnik.   Komplizierte oder langwierige Berechnungen durch mechanische… …   Universal-Lexikon

• Inversion (Halbleitertechnologie) — Als Inversion wird in der Halbleitertechnologie sowohl ein Betriebszustand eines MIS Feldeffekttransistors als auch den allgemeinen Fall, dass in einem Halbleiter die Dichte der Minoritätsladungsträger die Dichte der Majoritätsladungsträger… …   Deutsch Wikipedia