Ionenstrahlätzen

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• Ionenstrahlätzen — Ionenstrahlätzen,   Trockenätzverfahren der Halbleitertechnologie, bei dem mit hochbeschleunigten Ionenstrahlen nach dem Prinzip der Kathodenzerstäubung auf einem Wafer Strukturen integrierter Schaltungen herausgearbeitet werden können. Durch… …   Universal-Lexikon

• Ionenstrahlätzen — Die Ionendünnung ist ein häufig angewandtes physikalisches Verfahren, was zur Strukturierung meist elektrischer Bauelemente, sowie zum Herstellen dünnster Proben angewendet wird. Es handelt sich hierbei um ein Trockenätzverfahren. Andere… …   Deutsch Wikipedia

• Ionenstrahlätzen — jonpluoštis ėsdinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion beam etching; ion beam milling vok. Ionenstrahlätzen, n rus. ионно лучевое травление, n; ионно пучковое травление, n pranc. décapage par faisceau ionique, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Ionenstrahlätzen in einer Diodenätzanlage — dvielektrodis joninis ėsdinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. diode ion etching vok. Diodenätzen, n; Ionenstrahlätzen in einer Diodenätzanlage, n rus. двухэлектродное ионное травление, n pranc. décapage ionique à l… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• reaktives Ionenstrahlätzen — reaktyvusis jonpluoštis ėsdinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reactive ion beam etching vok. reaktives Ionenstrahlätzen, n rus. реактивное ионно пучковое травление, n pranc. décapage par faisceau d ions réactifs, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Plasma-unterstütztes Ätzen — (physikalisch chemisches Ätzen) bezeichnet eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren in der Halbleitertechnologie. Als Trockenätzverfahren stellen sie alternative Strukturierungsverfahren zum sog. Nassätzen (nasschemischen …   Deutsch Wikipedia

• RIE — Plasma unterstütztes Ätzen ( physikalisch chemisches Ätzen) bezeichnet eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren in der Halbleitertechnologie. Als Trockenätzverfahren stellen eine alternative Strukturierungverfahren zu dem …   Deutsch Wikipedia

• Reaktives Ionenätzen — Plasma unterstütztes Ätzen ( physikalisch chemisches Ätzen) bezeichnet eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren in der Halbleitertechnologie. Als Trockenätzverfahren stellen eine alternative Strukturierungverfahren zu dem …   Deutsch Wikipedia

• Chemical Vapour Deposition — Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (englisch chemical vapor deposition, CVD) versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren, welche unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Bauelementen eingesetzt werden.… …   Deutsch Wikipedia

• Chemical vapor deposition — Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (englisch chemical vapor deposition, CVD) versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren, welche unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Bauelementen eingesetzt werden.… …   Deutsch Wikipedia

• Chemical vapour deposition — Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (englisch chemical vapor deposition, CVD) versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren, welche unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Bauelementen eingesetzt werden.… …   Deutsch Wikipedia