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1 высокая степень интеграции
adj1) eng. Hochintegration, LSI2) electr. Großintegration (интегральных схем), Hochintegration (интегральных схем)3) microel. Großintegration, Large Scale Integration, hoher IntegrationsgradУниверсальный русско-немецкий словарь > высокая степень интеграции
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2 LSI
< edp> ■ Großintegration f<edp.av> ■ Hochintegration f<el> ■ hoher Integrationsgrad m<el.ic> ■ Hochintegration f (LSI); Großintegration f -
3 large scale integration
(LSI) <edp.av> ■ Hochintegration fEnglish-german technical dictionary > large scale integration
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4 large-scale integration
(LSI) < edp> ■ Großintegration f(LSI) <el> ■ hoher Integrationsgrad m(LSI) <el.ic> ■ Hochintegration f (LSI); Großintegration fEnglish-german technical dictionary > large-scale integration
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5 LSI circuit
< edp> ■ Großintegrationsschaltung f<edp.av> ■ Hochintegration f<el> ■ hochintegrierter Schaltkreis m ; hochintegrierte Schaltung f -
6 высокая степень интеграции
Großintegration электрон., HochintegrationRussian-german polytechnic dictionary > высокая степень интеграции
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7 высокая степень
Большой русско-немецкий полетехнический словарь > высокая степень
См. также в других словарях:
GenuineIntel — Intel Corporation Unternehmensform Corporation ISIN … Deutsch Wikipedia
Intel — Corporation Rechtsform Corporation ISIN US4581401001 … Deutsch Wikipedia
Intel Corporation — Unternehmensform Corporation ISIN … Deutsch Wikipedia
Xircom — Intel Corporation Unternehmensform Corporation ISIN … Deutsch Wikipedia
Oliver Schmidt (Physiker) — Oliver G. Schmidt (* 4. Juli 1971 in Kiel) ist ein deutscher Physiker und Direktor des Leibniz Institutes für Festkörper und Werkstoffforschung in Dresden. Er forscht im Gebiet der Nanotechnologie. Inhaltsverzeichnis 1 Leben 2 Wirken 3 Preise und … Deutsch Wikipedia
MOS — [Abk. für Metal Oxide Semiconductor, dt. Metalloxidhalbleiter], ein Halbleiterbaustein (Halbleiter), bestehend aus einer Metallschicht (meist Kupfer oder Aluminium), die durch eine dünne Schicht aus Siliciumdioxid von dem Träger aus reinem… … Universal-Lexikon
Strained Silicon — [dt. »gestrecktes Silicium«], erstmals im Juni 2001 von IBM offiziell vorgestellte Herstellungsmethode für integrierte Schaltkreise, die eine bis zu 35 Prozent höhere Leistung als bei herkömmlichen Computer Chips verspricht, ohne dass die… … Universal-Lexikon