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1 гетероэпитаксия
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2 гетероэпитаксия
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3 гетероэпитаксиальное наращивание
adjmicroel. Heteroepitaxie, heteroepitaxiales AufwachsenУниверсальный русско-немецкий словарь > гетероэпитаксиальное наращивание
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4 гетероэпитаксиальное осаждение
adjmicroel. Heteroepitaxie, heteroepitaktische Abscheidung, heteroepitaxiale Abscheidung, heteroepitaxiales Abscheiden, heteroepitaxiales AufwachsenУниверсальный русско-немецкий словарь > гетероэпитаксиальное осаждение
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5 гетероэпитаксия
nmicroel. Heteroepitaxie -
6 метод гетероэпитаксиального наращивания
nmicroel. Heteroepitaxie, HeteroepitaxieverfahrenУниверсальный русско-немецкий словарь > метод гетероэпитаксиального наращивания
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7 гетероэпитаксиальное выращивание
Большой русско-немецкий полетехнический словарь > гетероэпитаксиальное выращивание
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8 гетероэпитаксия
Большой русско-немецкий полетехнический словарь > гетероэпитаксия
См. также в других словарях:
Heteroepitaxie — įvairialytė epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. heteroepitaxy vok. Heteroepitaxie, f rus. гетероэпитаксия, f pranc. hétéroépitaxie, f … Radioelektronikos terminų žodynas
hétéroépitaxie — įvairialytė epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. heteroepitaxy vok. Heteroepitaxie, f rus. гетероэпитаксия, f pranc. hétéroépitaxie, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Allotaxie — Molekularstrahlepitaxie (engl. molecular beam epitaxy, MBE) ist ein PVD Verfahren, um dünne kristalline Schichten herzustellen. Der Begriff Molekularstrahlepitaxie wird vor allem in der Halbleitertechnik verwendet; das Verfahren wird angewandt um … Deutsch Wikipedia
Molekularstrahlepitaxie — (englisch molecular beam epitaxy, MBE) ist ein PVD Verfahren, um Kristalline dünne Schichten (bzw. Schichtsysteme) herzustellen. Das Verfahren wird vor allem in der Halbleitertechnik verwendet, unter anderem um Einkristalline Strukturen [1]… … Deutsch Wikipedia
OMBE — Molekularstrahlepitaxie (engl. molecular beam epitaxy, MBE) ist ein PVD Verfahren, um dünne kristalline Schichten herzustellen. Der Begriff Molekularstrahlepitaxie wird vor allem in der Halbleitertechnik verwendet; das Verfahren wird angewandt um … Deutsch Wikipedia
Epitaxie — (von griechisch epi „auf“, „über“ und taxis im Sinne von „ordnen“ bzw. „ausrichten“) ist eine Form des Kristallwachstums, welche beim Aufwachsen von Kristallen auf kristallinen Substraten auftreten kann. Man spricht von Epitaxie, wenn… … Deutsch Wikipedia
Epitaxie — Epi|ta|xie 〈f. 19〉 Bildung von Kristallen eines Stoffes auf einer kristallinen Unterlage des gleichen od. eines anderen Stoffes mit weitgehend ähnlichem Kristallgitter [<grch. epi „auf, darüber“ + Taxie] * * * E|pi|ta|xie [↑ epi (5) u. ↑… … Universal-Lexikon
heteroepitaxy — įvairialytė epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. heteroepitaxy vok. Heteroepitaxie, f rus. гетероэпитаксия, f pranc. hétéroépitaxie, f … Radioelektronikos terminų žodynas
įvairialytė epitaksija — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. heteroepitaxy vok. Heteroepitaxie, f rus. гетероэпитаксия, f pranc. hétéroépitaxie, f … Radioelektronikos terminų žodynas
гетероэпитаксия — įvairialytė epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. heteroepitaxy vok. Heteroepitaxie, f rus. гетероэпитаксия, f pranc. hétéroépitaxie, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Burgersvektor — Schematische Darstellung einer Stufenversetzung und ihres Burgersvektors. TEM Aufnahme von Versetzungen in einer Legierung … Deutsch Wikipedia