-
81 substrate junction capacitance
Электроника: ёмкость перехода на границе с подложкойУниверсальный англо-русский словарь > substrate junction capacitance
-
82 Kapazitat des Emitterubergangs
сущ.микроэл. ёмкость эмиттерного переходаУниверсальный немецко-русский словарь > Kapazitat des Emitterubergangs
-
83 Kapazitat des Kollektorubergangs
сущ.микроэл. ёмкость коллекторного переходаУниверсальный немецко-русский словарь > Kapazitat des Kollektorubergangs
-
84 Kollektordiffusionskapazitat
сущ.Универсальный немецко-русский словарь > Kollektordiffusionskapazitat
-
85 Emittergrenzschichtkapazität
Deutsch-Russische Wörterbuch polytechnischen > Emittergrenzschichtkapazität
-
86 capacité de jonction
сущ.радио. ёмкость переходаФранцузско-русский универсальный словарь > capacité de jonction
-
87 Emittergrenzschichtkapazität
сущ.Универсальный немецко-русский словарь > Emittergrenzschichtkapazität
-
88 Übergangskapazität
сущ.электр. ёмкость перехода -
89 collector capacitance
= collector-base capacitance, = collector-junction-capacitance ёмкость коллекторного переходаEnglish-Russian electronics dictionary > collector capacitance
-
90 emitter capacitance
= emitter-base capacitance, = emitter-transition capacitance ёмкость эмиттерного переходаEnglish-Russian electronics dictionary > emitter capacitance
-
91 collector capacitance
= collector-base capacitance, collector-junction capacitance ёмкость коллекторного переходаThe New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > collector capacitance
-
92 emitter capacitance
= emitter-base capacitance, emitter-transition capacitance ёмкость эмиттерного переходаThe New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > emitter capacitance
-
93 collector capacitance
English-Russian scientific dictionary > collector capacitance
-
94 emitter capacitance
См. также в других словарях:
ёмкость коллекторного перехода — kolektoriaus sandūros talpa statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. collector junction capacitance vok. Kollektor Basis Kapazität, f rus. ёмкость коллекторного перехода, f pranc. capacité de jonction collecteur base, f … Radioelektronikos terminų žodynas
ТЕПЛОЁМКОСТЬ — количество теплоты, поглощаемой телом при нагревании на 1 градус (1°С или 1К); точнее отношение кол ва теплоты, поглощаемой телом при бесконечно малом изменении его темп ры, к этому изменению. Т. ед. массы в ва (г, кг) наз. удельной Т., 1 моля в… … Физическая энциклопедия
ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕПЛОЁМКОСТЬ — часть полной теплоёмкости твёрдого тела, обусловленная тепловым движением электронов. Э. т. диэлектриков и слаболегированных полупроводников, как правило, пренебрежимо мала. В вырожденных полупроводниках и металлах (в несверхпрово дящем… … Физическая энциклопедия
Объёмная теплоёмкость — характеризует способность данного объёма вещества увеличивать свою внутреннюю энергию при изменении температуры вещества без осуществления фазового перехода. Объёмная теплоёмкость отличается от удельной теплоёмкости, которая характеризует… … Википедия
Теплоёмкость электронного газа — количество теплоты, которую необходимо передать электронному газу для того, чтобы повысить его температуру на 1 К. Она намного меньше по величине при высоких температурах, чем теплоёмкость кристаллической решётки. Вырожденный газ Для вырожденного … Википедия
Теплоёмкость — количество теплоты, поглощаемой телом при нагревании на 1 градус; точнее отношение количества теплоты, поглощаемой телом при бесконечно малом изменении его температуры, к этому изменению Т. единицы массы вещества (г, кг) называется… … Большая советская энциклопедия
P — n-переход — (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, Зоной p n перехода называется область полупроводника, в которой имеет место… … Википедия
Р — n-переход — p n переход (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости … Википедия
Электронно-дырочный переход — p n переход (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости … Википедия
Полупроводниковый диод — двухэлектродный электронный прибор на основе полупроводникового (ПП) кристалла. Понятие «П. д.» объединяет различные приборы с разными принципами действия, имеющие разнообразное назначение. Система классификации П. д. соответствует общей… … Большая советская энциклопедия
СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ — свойство мн. проводников, состоящее в том, что их электрич. сопротивление скачком падает до нуля при охлаждении ниже определённой критич. темп ры Тк, характерной для данного материала. С. обнаружена у более чем 25 металлич. элементов, у большого… … Физическая энциклопедия