-
1 максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
-
Обозначение
UЭБ max
UEB max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- maximum emitter-base (d.c.) voltage
DE
FR
73. Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
D. Maximal zulässige Emitter-Basis-Gleichspannung
E. Maximum emitter-base (d.c.) voltage
F. Tension continue émetteur-base maximale
IЭБ max
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
-
2 постоянное напряжение эмиттер-база
постоянное напряжение эмиттер-база
Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы.
Обозначение
UЭБ
UEB
Примечание
При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБО, UEBO.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- emitter-base (d.с.) voltage
DE
FR
57. Постоянное напряжение эмиттер-база
D. Emitter-Basis-Spannung
E. Emitter-base (d.с.) voltage
F. Tension continue émetteur-base
U1ЭБ
Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > постоянное напряжение эмиттер-база
-
3 пробивное напряжение эмиттер-база
пробивное напряжение эмиттер-база
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю.
Обозначение
UЭБОпроб
U(BR)EBO
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
11. Пробивное напряжение эмиттер-база
D. Emitter-Basis-Durchbruchspannung
E. Breakdown emitter-base voltage
F. Tension de claquage émetteur-base
UЭБОпроб
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение эмиттер-база
-
4 пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
- Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors
- Emitter-Basis-Durchbruch -spannung eines Phototransistors
пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uбпрэ
UBR EBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
107. Пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
D. Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors
E. Emitter-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage emetteur-base de
pbototransistor
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
-
5 темновой ток эмиттер-база фототранзистора
темновой ток эмиттер-база фототранзистора
Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в коллекторе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
IбТ Э
IEBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- courant d’obscurité émetteur-base de phototransistor
114. Темновой ток эмиттер-база фототранзистора
D. Emitter-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors
E. Emitter-base dark current of a phototransistor
F. Courant d'obscurité émetteur-base de phototransistor
Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в коллекторе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > темновой ток эмиттер-база фототранзистора
-
6 напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи эмиттер-база
nmicroel. Kollektor-Emitter-Spannung bei Anschluss eines Widerstandes zwischen Basis und EmitterУниверсальный русско-немецкий словарь > напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи эмиттер-база
-
7 p-n-переход эмиттер база
nmicroel. Emitter-Basis-pn-ÜbergangУниверсальный русско-немецкий словарь > p-n-переход эмиттер база
-
8 ёмкость эмиттер-база
nelectr. Basis-Emitter-KapazitätУниверсальный русско-немецкий словарь > ёмкость эмиттер-база
-
9 барьерный слой перехода эмиттер - база
Универсальный русско-немецкий словарь > барьерный слой перехода эмиттер - база
-
10 диод эмиттер база
nmicroel. E-B-Diode, Emitter-Basis-Diode, Emitter-Basis-Diodenstrecke, Emitterdiode -
11 диод эмиттер-база
n1) electr. Emitter-Basis-Diode, Emitter-Basis-Strecke, Emitterdiode2) microel. E-B-Diode, Emitter-Basis-Diodenstrecke -
12 запорный слой на границе эмиттер - база
adjelectr. EmittersperrschichtУниверсальный русско-немецкий словарь > запорный слой на границе эмиттер - база
-
13 запорный слой перехода эмиттер - база
Универсальный русско-немецкий словарь > запорный слой перехода эмиттер - база
-
14 напряжение эмиттер база
nmicroel. Emitter-Basis-SpannungУниверсальный русско-немецкий словарь > напряжение эмиттер база
-
15 напряжение эмиттер-база
nelectr. Basis-Emitter-Spannung, Emitter-Basis-SpannungУниверсальный русско-немецкий словарь > напряжение эмиттер-база
-
16 напряжение эмиттер-база при отключённом коллекторе
Универсальный русско-немецкий словарь > напряжение эмиттер-база при отключённом коллекторе
-
17 напряжение эмиттер-база при разомкнутом коллекторе
Универсальный русско-немецкий словарь > напряжение эмиттер-база при разомкнутом коллекторе
-
18 обратный ток коллекторного перехода при закороченном переходе эмиттер база
adjmicroel. Kollektorkurzschluß-ReststromУниверсальный русско-немецкий словарь > обратный ток коллекторного перехода при закороченном переходе эмиттер база
-
19 обратный ток коллекторного перехода при закороченном переходе эмиттер-база
adjmicroel. Kollektorkurzschluß-ReststromУниверсальный русско-немецкий словарь > обратный ток коллекторного перехода при закороченном переходе эмиттер-база
-
20 обратный ток утечки через коллекторный переход при коротком замыкании эмиттер база
adjmicroel. Kollektorkurzschluß-ReststromУниверсальный русско-немецкий словарь > обратный ток утечки через коллекторный переход при коротком замыкании эмиттер база
См. также в других словарях:
Пробивное напряжение эмиттер-база — 11. Пробивное напряжение эмиттер база D. Emitter Basis Durchbruchspannung E. Breakdown emitter base voltage F. Tension de claquage émetteur base UЭБОпроб Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
плавающее напряжение эмиттер-база — Напряжение между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении коллектор база и при токе эмиттера, равном нулю. Обозначение UЭБпл UEBfl [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN floating emitter base voltage FR tension… … Справочник технического переводчика
Плавающее напряжение эмиттер-база — 9. Плавающее напряжение эмиттер база E. Floating emitter base voltage F. Tension flottante émetteur base UЭБпл Напряжение между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении коллектор база и при токе эмиттера, равном нулю Источник:… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
переход эмиттер-база — emiterio sandūra statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. emitter junction; emitter base junction vok. Emitter Basis Übergang, m; Emitterübergang, m rus. переход эмиттер база, m; эмиттерный переход, m pranc. jonction émetteur base, f … Automatikos terminų žodynas
максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база — Обозначение UЭБ max UEB max Примечание Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная… … Справочник технического переводчика
постоянное напряжение эмиттер-база — Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы. Обозначение UЭБ UEB Примечание При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБО , UEBO. [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN emitter base (d.с.)… … Справочник технического переводчика
пробивное напряжение эмиттер-база — Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю. Обозначение UЭБОпроб U(BR)EBO [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN breakdown emitter base… … Справочник технического переводчика
пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора — Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Обозначение Uбпрэ UBR EBO Примечание На ФЭПП может действовать равновесное… … Справочник технического переводчика
темновой ток эмиттер-база фототранзистора — Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в коллекторе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Обозначение IбТ Э IEBO Примечание На ФЭПП может действовать… … Справочник технического переводчика
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база — 73. Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер база D. Maximal zulässige Emitter Basis Gleichspannung E. Maximum emitter base (d.c.) voltage F. Tension continue émetteur base maximale IЭБ max Источник: ГОСТ 20003 74: Транзисторы… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Постоянное напряжение эмиттер-база — 57. Постоянное напряжение эмиттер база D. Emitter Basis Spannung E. Emitter base (d.с.) voltage F. Tension continue émetteur base U1ЭБ Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы Источник: ГОСТ 20003 74: Транзисторы биполярные. Термины,… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации