-
1 смещение эмиттера
Русско-английский словарь по информационным технологиям > смещение эмиттера
-
2 ток эмиттера
Русско-английский словарь по информационным технологиям > ток эмиттера
-
3 максимально допустимый импульсный ток эмиттера
максимально допустимый импульсный ток эмиттера
-
Обозначение
IЭ,и max
IEM max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
70. Максимально допустимый импульсный ток эмиттера
D. Maximal zulässiger Emitterimpulsstrom
E. Maximum peak emitter current
F. Courant de crête d’emetteur maximal
IЭ,и max
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимый импульсный ток эмиттера
-
4 максимально допустимый постоянный ток эмиттера
максимально допустимый постоянный ток эмиттера
-
Обозначение
IЭmax
IEmax
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- maximum emitter (d.с.) current
DE
FR
67. Максимально допустимый постоянный ток эмиттера
D. Maximal zulässiger Emittergleichstrom
E. Maximum emitter (d.c.) current
F. Courant continu d’emetteur maximal
IЭmax
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимый постоянный ток эмиттера
-
5 обратный ток эмиттера
обратный ток эмиттера
Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
Обозначение
IЭБО
IEBO
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- courant résiduel de l’émetteur
D. Emitterreststrom (bei offenem Kollektor)
E. Emitter cut-off current
F. Courant résiduel de l’émetteur
IЭБО
Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > обратный ток эмиттера
-
6 общий ток эмиттера фототранзистора
общий ток эмиттера фототранзистора
-
Обозначение
Iбобщ э
Iэобщ э
Iкобщ э
IEB
IEE
IEC
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- courant total d’émetteur de phototransistor
120. Общий ток эмиттера фототранзистора
D. Emittergesamtstrom eines Phototransistors
E. Emitter total current of a phototransistor
F. Courant total d'émetteur de phototransistor
-
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > общий ток эмиттера фототранзистора
-
7 постоянный ток эмиттера
постоянный ток эмиттера
Постоянный ток, протекающий через эмиттерный переход.
Обозначение
IЭ
IE
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- emitter (d.с.) current
DE
FR
D. Emittergleichstrom
E. Emitter (d.c.) current
F. Courant continu d’emetteur
IЭ
Постоянный ток, протекающий через эмиттерный переход
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > постоянный ток эмиттера
-
8 темновой ток эмиттера фототранзистора
темновой ток эмиттера фототранзистора
-
Обозначение
Iбтэ
Iэтэ
Iктэ
IEBO
IEEO
IECO
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- courant d’obscurité d’émetteur
110. Темновой ток эмиттера фототранзистора
D. Emitterdunkelstrom
E. Emitter dark current
F. Courant d'obscurité d'émetteur
-
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > темновой ток эмиттера фототранзистора
-
9 фототок эмиттера фототранзистора
фототок эмиттера фототранзистора
-
Обозначение
Iбф э
Iэф э
Iкф э
IEB H
IEE H
IEC H
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
117. Фототок эмиттера фототранзистора
D. Emitterphotostrom eines Phototransistors
E. Emitter photocurrent of a phototransistor
F. Photocourant d'emetteur de phototransistor
-
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > фототок эмиттера фототранзистора
-
10 максимально допустимый импульсный ток эмиттера
максимально допустимый импульсный ток эмиттера
-
Обозначение
IЭ,и max
IEM max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
70. Максимально допустимый импульсный ток эмиттера
D. Maximal zulässiger Emitterimpulsstrom
E. Maximum peak emitter current
F. Courant de crête d’emetteur maximal
IЭ,и max
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимый импульсный ток эмиттера
-
11 максимально допустимый постоянный ток эмиттера
- maximum emitter (d.с.) current
- Maximum emitter (d.c.) current
максимально допустимый постоянный ток эмиттера
-
Обозначение
IЭmax
IEmax
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- maximum emitter (d.с.) current
DE
FR
67. Максимально допустимый постоянный ток эмиттера
D. Maximal zulässiger Emittergleichstrom
E. Maximum emitter (d.c.) current
F. Courant continu d’emetteur maximal
IЭmax
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимый постоянный ток эмиттера
-
12 обратный ток эмиттера
обратный ток эмиттера
Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
Обозначение
IЭБО
IEBO
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- courant résiduel de l’émetteur
D. Emitterreststrom (bei offenem Kollektor)
E. Emitter cut-off current
F. Courant résiduel de l’émetteur
IЭБО
Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > обратный ток эмиттера
-
13 общий ток эмиттера фототранзистора
общий ток эмиттера фототранзистора
-
Обозначение
Iбобщ э
Iэобщ э
Iкобщ э
IEB
IEE
IEC
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- courant total d’émetteur de phototransistor
120. Общий ток эмиттера фототранзистора
D. Emittergesamtstrom eines Phototransistors
E. Emitter total current of a phototransistor
F. Courant total d'émetteur de phototransistor
-
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > общий ток эмиттера фототранзистора
-
14 постоянный ток эмиттера
- emitter (d.с.) current
- Emitter (d.c.) current
постоянный ток эмиттера
Постоянный ток, протекающий через эмиттерный переход.
Обозначение
IЭ
IE
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- emitter (d.с.) current
DE
FR
D. Emittergleichstrom
E. Emitter (d.c.) current
F. Courant continu d’emetteur
IЭ
Постоянный ток, протекающий через эмиттерный переход
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > постоянный ток эмиттера
-
15 темновой ток эмиттера фототранзистора
темновой ток эмиттера фототранзистора
-
Обозначение
Iбтэ
Iэтэ
Iктэ
IEBO
IEEO
IECO
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- courant d’obscurité d’émetteur
110. Темновой ток эмиттера фототранзистора
D. Emitterdunkelstrom
E. Emitter dark current
F. Courant d'obscurité d'émetteur
-
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > темновой ток эмиттера фототранзистора
-
16 фототок эмиттера фототранзистора
фототок эмиттера фототранзистора
-
Обозначение
Iбф э
Iэф э
Iкф э
IEB H
IEE H
IEC H
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
117. Фототок эмиттера фототранзистора
D. Emitterphotostrom eines Phototransistors
E. Emitter photocurrent of a phototransistor
F. Photocourant d'emetteur de phototransistor
-
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > фототок эмиттера фототранзистора
-
17 максимально допустимый импульсный ток эмиттера
- Courant de crête d’emetteur maximal
- courant de crête d'émetteur maximal
максимально допустимый импульсный ток эмиттера
-
Обозначение
IЭ,и max
IEM max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
70. Максимально допустимый импульсный ток эмиттера
D. Maximal zulässiger Emitterimpulsstrom
E. Maximum peak emitter current
F. Courant de crête d’emetteur maximal
IЭ,и max
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимый импульсный ток эмиттера
-
18 максимально допустимый постоянный ток эмиттера
- Courant continu d’emetteur maximal
- courant continu d'émetteur maximal
максимально допустимый постоянный ток эмиттера
-
Обозначение
IЭmax
IEmax
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- maximum emitter (d.с.) current
DE
FR
67. Максимально допустимый постоянный ток эмиттера
D. Maximal zulässiger Emittergleichstrom
E. Maximum emitter (d.c.) current
F. Courant continu d’emetteur maximal
IЭmax
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимый постоянный ток эмиттера
-
19 обратный ток эмиттера
- courant résiduel de l’émetteur
обратный ток эмиттера
Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
Обозначение
IЭБО
IEBO
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- courant résiduel de l’émetteur
D. Emitterreststrom (bei offenem Kollektor)
E. Emitter cut-off current
F. Courant résiduel de l’émetteur
IЭБО
Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > обратный ток эмиттера
-
20 общий ток эмиттера фототранзистора
- courant total d’émetteur de phototransistor
- Courant total d'émetteur de phototransistor
общий ток эмиттера фототранзистора
-
Обозначение
Iбобщ э
Iэобщ э
Iкобщ э
IEB
IEE
IEC
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- courant total d’émetteur de phototransistor
120. Общий ток эмиттера фототранзистора
D. Emittergesamtstrom eines Phototransistors
E. Emitter total current of a phototransistor
F. Courant total d'émetteur de phototransistor
-
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > общий ток эмиттера фототранзистора
См. также в других словарях:
импульсный ток эмиттера — Импульсное значение тока эмиттера при заданной скважности и длительности импульса. Обозначение IЭ,и [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы … Справочник технического переводчика
sup>1 При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБ0, UEB0. — 1 При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБ0, UEB0. 2 При заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю, UКБ0, UCB0. 3 При заданном токе коллектора и токе базы, равном нулю, Uкэо, UСЕО; при заданном токе… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Импульсный ток эмиттера — 56. Импульсный ток эмиттера IЭ,и Импульсное значение тока эмиттера при заданной скважности и длительности импульса Источник: ГОСТ 20003 74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ТОК ЭМИТТЕРА — ток, протекающий через эмитерный р n переход и вывод (см.) транзистора. Постоянный Т. э. равен сумме постоянных токов (см.) и (см.) … Большая политехническая энциклопедия
электрод эмиттера — emiterio elektrodas statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. emitter electrode vok. Emitterelektrode, f rus. электрод эмиттера, m; эмиттерный электрод, m pranc. électrode d émetteur, f … Automatikos terminų žodynas
ток эмиттера — emiterio srovė statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. emitter current vok. Emitterstrom, m rus. ток эмиттера, m; эмиттерный ток, m pranc. courant émetteur, m … Automatikos terminų žodynas
диффузия для формирования эмиттера — emiterio difuzija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. emitter diffusion vok. Emitterdiffusion, f rus. диффузия для формирования эмиттера, f; эмиттерная диффузия, f pranc. diffusion émettrice, f … Radioelektronikos terminų žodynas
ионная имплантация для формирования эмиттера — emiterio jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. emitter ion implantation vok. Emitterimplantation, f rus. ионная имплантация для формирования эмиттера, f pranc. implantation ionique pour formation des zones… … Radioelektronikos terminų žodynas
углубление эмиттера — emiterio įduba statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. emitter dip vok. Emittersenkung, f rus. углубление эмиттера, n pranc. cavité d émetteur, f … Radioelektronikos terminų žodynas
вытеснение эмиттера — emiterio išstūmimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. emitter push out vok. Emitterverdrängung, f rus. вытеснение эмиттера, n pranc. entraînement d émetteur, m … Radioelektronikos terminų žodynas
действующая область эмиттера — aktyvioji emiterio sritis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. active emitter region; functional emitter region vok. Funktionalemitterzone, f rus. действующая область эмиттера, f; функциональная эмиттерная область, f pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
