-
101 входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала
входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала
Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания по переменному току на выходе транзистора.
Обозначение
h11
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- valeur de l’impédance d’entrée, sortie en court-circuit pour de petits signaux
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала
-
102 выходная емкость биполярного транзистора
выходная емкость биполярного транзистора
Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала.
Обозначение
C22
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
28. Выходная емкость биполярного транзистора
D. Ausgangskapazität
E. Output capacitance
F. Capacité de sortie
С*22
Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > выходная емкость биполярного транзистора
-
103 выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
- Komplexer Kleinsignalausgangsleitwert
- 2. komplexer Kleinsignalausgangsleitwert
- 1. Kleinsignalausgangsleitwert
выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
1. Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току.
Обозначение
h22
2. Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызванному им изменению выходного напряжения при коротком замыкании по переменному току на входе.
Обозначение
y22
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- 1. small-signal value of the open-circuit output admittance
- 2. small-signal value of the short-circuit output admittance
DE
- 1. Kleinsignalausgangsleitwert
- 2. komplexer Kleinsignalausgangsleitwert
FR
- 1. valeur de l'admittance de sortie, entrée en circuit ouvert pour de petits signaux
- 2. valeur de l'admittance de sortie, entrée en court-circuit pour de petits signaux
25. Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D. Komplexer Kleinsignalausgangsleitwert
E. Small-signal value of the short-circuit output admittance
F. Valeur de l’admittance de sortie, entrée en court-circuit pour de petits signaux
y*22
Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызванному им изменению выходного напряжения при коротком замыкании по переменному току на входе
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
-
104 емкость обратной связи биполярного транзистора
емкость обратной связи биполярного транзистора
Емкость биполярного транзистора, измеренная между входным и выходным выводами при коротком замыкании по переменному току на входе в режиме малого сигнала.
Обозначение
C12
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
28a. Емкость обратной связи биполярного транзистора
D. Rückwirkungskapazität
E. Feedback capacitance
F. Capacité de couplage à réaction
С*12
Емкость биполярного транзистора, измеренная между входным и выходным выводами при коротком замыкании по переменному току на входе в режиме малого сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > емкость обратной связи биполярного транзистора
-
105 коэффициент обратной передачи напряжения
коэффициент обратной передачи напряжения
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на входе к падающей волне на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению.
Обозначение
S12
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
DE
47. Коэффициент обратной передачи напряжения
D. Spannungsübertragungsfaktor rückwärts
S*12
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на входе к падающей волне на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > коэффициент обратной передачи напряжения
-
106 коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала
коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала
Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению напряжения на выходе в режиме холостого хода во входной цепи по переменному току.
Обозначение
h12
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- valeur du rapport de transfert inverse de la tension, entrée en circuit ouvert de petits signaux
15. Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D. Kleinsignalspannungsrückwirkung
E. Small-signal value of the open-circuit reverse voltage transfer ratio
F. Valeur du rapport de transfert inverse de la tension, entrée en circuit ouvert de petits signaux
h*12
Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению напряжения на выходе в режиме холостого хода во входной цепи по переменному току
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала
-
107 коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора
коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению.
Обозначение
S11
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
DE
46. Коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора
D. Eingangsreflexionsfaktor
S*11
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора
-
108 коэффициент отражения выходной цепи биполярного транзистора
коэффициент отражения выходной цепи биполярного транзистора
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению.
Обозначение
S22
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
DE
49. Коэффициент отражения выходной цепи биполярного транзистора
D. Ausgangsreflexionsfaktor
S*22
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > коэффициент отражения выходной цепи биполярного транзистора
-
109 коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала
коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала
Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току.
Обозначение
h21
h21
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- valeur du rapport de transfert direct du courant, sortie en court-circuit pour de petits signaux
16. Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D. Kleinsignalstromverstärkung
E. Small-signal value of the short-circuit forward current transfer ratio
F. Valeur du rapport de transfert direct du courant, sortie en court-circuit pour de petits signaux
h*21
Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала
-
110 коэффициент прямой передачи напряжения
коэффициент прямой передачи напряжения
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на выходе и падающей волны на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению.
Обозначение
S21
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
DE
48. Коэффициент прямой передачи напряжения
D. Spannungsübertragungsfaktor vorwätrs
S*21
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на выходе и падающей волны на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > коэффициент прямой передачи напряжения
-
111 максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
Обозначение
Pи max
PM max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
80. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
D. Maximal zulässige Impulsverlustleistung
E. Maximum peak power dissipation
F. Puissance dissipée de crête maximale
* В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно «б» или «э» для отечественных буквенных обозначений и «b» и «е» для международных обозначений.
** Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс «max».
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
112 полная проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала
полная проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала
Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызвавшему его изменению напряжения на выходе при коротком замыкании по переменному току на входе.
Обозначение
y12
y12
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- valeur de l'admittance de transfert inverse, entrée en court-circuit pour de petits signaux
22. Полная проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D. Komplexer Kleinsignalrückwirkungsleitwert
E. Small-signal value of the short-circuit reverse transfer admittance
F. Valeur de l’admittance de transfert inverse, entrée en court-circuit pour de petits signaux
y*12
Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызвавшему его изменению напряжения на выходе при коротком замыкании по переменному току на входе
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > полная проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала
-
113 полная проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала
полная проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала
Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызвавшему его изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе.
Обозначение
y21
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- valeur de l'admittance de transfert direct, sortie en court-circuit pour de petits signaux
23. Полная проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D. Komplexer Kleinsignalübertragungsleitwert vorwärts
E. Small-signal value of the short-circuit forward transfer admittance
F. Valeur de l’admittance de transfert direct, sortie en court-circuit pour de petits signaux
y*21
Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызвавшему его изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > полная проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала
-
114 Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
20. Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
D. Gleichstromverstärkung in Emitterschaltung
E. Static value of the forward current transfer ratio
F. Valeur statique du rapport de transfert direct du courant
h21Э
Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим эмиттером
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
-
115 Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора
24. Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора
D. Betrag des Übertragungsleitwerts vorwärts
E. Modulus of the short-circuit forward transfer admittance
F. Module de l’admittance de transfert direct
|y21э|
Модуль полной проводимости прямой передачи в схеме с общим эмиттером
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора
-
116 входная емкость биполярного транзистора
входная емкость биполярного транзистора
Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала.
Обозначение
C11
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- capacité d’entrée
27. Входная емкость биполярного транзистора
D. Eingangskapazität
E. Input capacitance
F. Capacité d’entrée
С*11
Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > входная емкость биполярного транзистора
-
117 входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызванному им изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе.
Обозначение
y11
y11
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- valeur de l'admittance d’entrée, sortie en court-circuit pour de petits signaux
21. Входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D. Komplexer Kleinsignaleingangsleitwert
E. Small-signal value of the short-circuit input admittance
F. Valeur de l’admittance d’entrée, sortie en court-circuit pour de petits signaux
y*11
Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызванному им изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
-
118 входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала
входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала
Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания по переменному току на выходе транзистора.
Обозначение
h11
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- valeur de l’impédance d’entrée, sortie en court-circuit pour de petits signaux
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала
-
119 выходная емкость биполярного транзистора
выходная емкость биполярного транзистора
Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала.
Обозначение
C22
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
28. Выходная емкость биполярного транзистора
D. Ausgangskapazität
E. Output capacitance
F. Capacité de sortie
С*22
Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > выходная емкость биполярного транзистора
-
120 выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
- Small-signal value of the short-circuit output admittance
- 2. small-signal value of the short-circuit output admittance
- 1. small-signal value of the open-circuit output admittance
выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
1. Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току.
Обозначение
h22
2. Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызванному им изменению выходного напряжения при коротком замыкании по переменному току на входе.
Обозначение
y22
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- 1. small-signal value of the open-circuit output admittance
- 2. small-signal value of the short-circuit output admittance
DE
- 1. Kleinsignalausgangsleitwert
- 2. komplexer Kleinsignalausgangsleitwert
FR
- 1. valeur de l'admittance de sortie, entrée en circuit ouvert pour de petits signaux
- 2. valeur de l'admittance de sortie, entrée en court-circuit pour de petits signaux
25. Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D. Komplexer Kleinsignalausgangsleitwert
E. Small-signal value of the short-circuit output admittance
F. Valeur de l’admittance de sortie, entrée en court-circuit pour de petits signaux
y*22
Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызванному им изменению выходного напряжения при коротком замыкании по переменному току на входе
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
См. также в других словарях:
Каскад с общим эмиттером — Усилительный каскад по схеме с общим эмиттером на основе npn транзистора (Схема с заземленным эмиттером) При схеме включения биполярного транзистора с общим эмиттером (ОЭ) входной … Википедия
Биполярный транзистор с общим эмиттером — Усилительный каскад по схеме с общим эмиттером на основе npn транзистора При схеме включения биполярного транзистора с общим эмиттером входной сигнал подаётся на базу, а снимается с коллектора. При этом фаза выходного сигнала отличается от… … Википедия
Усилительный каскад с общим эмиттером — Усилительный каскад по схеме с общим эмиттером на основе npn транзистора При схеме включения биполярного транзистора с общим эмиттером входной сигнал подаётся на базу, а снимается с коллектора. При этом фаза выходного сигнала отличается от… … Википедия
входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала — Отношение напряжения на входе транзистора к входному току при заданном постоянном обратном напряжении коллектор эмиттер в схеме с общим эмиттером. Обозначение h11Э h11E [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN static value of the… … Справочник технического переводчика
Входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала — 19. Входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала E. Static value of the input resistance F. Valeur statique de la résistance d’entrée h11Э Отношение напряжения на входе транзистора к входному… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
включение транзистора по схеме с общим эмиттером — bendraemiteris tranzistoriaus jungimas statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. common emitter connection vok. Emittergrundschaltung, f; Emitterschaltung, f rus. включение транзистора по схеме с общим эмиттером, n pranc. connexion de… … Automatikos terminų žodynas
коэффициент усиления транзистора по постоянному току в схеме с общим эмиттером — bendraemiterės tranzistoriaus grandinės nuolatinės srovės stiprinimo koeficientas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. grounded emitter direct current gain vok. Gleichstromverstärkungsfaktor in Emitterschaltung, m rus.… … Radioelektronikos terminų žodynas
коэффициент усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером — bendraemiterės tranzistoriaus grandinės srovės stiprinimo koeficientas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. grounded emitter current gain vok. Stromverstärkungsfaktor eines Bipolartransistors in Emitterschaltung, m rus.… … Radioelektronikos terminų žodynas
инверсный коэффициент усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером — apgrąžinis bendraemiterės tranzistoriaus grandinės srovės stiprinimo koeficientas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. inverse grounded emitter current gain vok. inverser Stromverstärkungsfaktor in Emitterschaltung, m rus.… … Radioelektronikos terminų žodynas
уменьшение коэффициента усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером — bendraemiterės tranzistoriaus grandinės srovės stiprinimo koeficiento mažėjimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. grounded emitter current gain degradation vok. ß Abnahme, f rus. уменьшение коэффициента усиления транзистора по … Radioelektronikos terminų žodynas
коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.] Тематики электротехника, основные понятия EN collector to base current gaincommon emitter current gain … Справочник технического переводчика