-
1 МОП-структура с изолированным затвором
abbr1) brit.engl. Insulated Gate MOS2) microel. IGMOS, MOS-Struktur mit isoliertem Gate, MOS-Struktur mit isolierter SteuerelektrodeУниверсальный русско-немецкий словарь > МОП-структура с изолированным затвором
-
2 лавинно-инжекционная МОП-структура с изолированным затвором
advmicroel. Avalancheinjektions-MOS-Struktur mit isoliertem Gate, FAMOS-Struktur, Lawineninjektions-MOS-Struktur mit isoliertem GateУниверсальный русско-немецкий словарь > лавинно-инжекционная МОП-структура с изолированным затвором
-
3 МОП-структура с изолированным металлическим затвором
Универсальный русско-немецкий словарь > МОП-структура с изолированным металлическим затвором
-
4 интегральная структура на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с изолированным затвором
adjmicroel. BIGFET-Struktur, Bipolar-IGFET-BauelementestrukturУниверсальный русско-немецкий словарь > интегральная структура на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с изолированным затвором
См. также в других словарях:
МОП-структура с изолированным затвором — MOP darinys su izoliuotąja užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated gate MOS; isolated gate MOS structure vok. MOS Struktur mit isoliertem Gate, f rus. МОП структура с изолированным затвором, f pranc. structure MOS à… … Radioelektronikos terminų žodynas
Биполярный транзистор с изолированным затвором — Силовая сборка на IGBT IGBT (англ. Insulated Gate Bipolar Transistor биполярный транзистор с изолированным затвором) силовой электронный прибор, предназначенный в основном, для управления электрическими приводами. Выпускаются как отдельные IGBT… … Википедия
КМОП-структура — CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) КМОП структура, К МОП, комплементарная логика на транзисторах металл оксид полупроводник Технология построения электронных схем. В технологии КМОП используются полевые транзисторы с… … Толковый англо-русский словарь по нанотехнологии. - М.
MOP darinys su izoliuotąja užtūra — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated gate MOS; isolated gate MOS structure vok. MOS Struktur mit isoliertem Gate, f rus. МОП структура с изолированным затвором, f pranc. structure MOS à grille isolée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
MOS-Struktur mit isoliertem Gate — MOP darinys su izoliuotąja užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated gate MOS; isolated gate MOS structure vok. MOS Struktur mit isoliertem Gate, f rus. МОП структура с изолированным затвором, f pranc. structure MOS à… … Radioelektronikos terminų žodynas
isolated-gate MOS — MOP darinys su izoliuotąja užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated gate MOS; isolated gate MOS structure vok. MOS Struktur mit isoliertem Gate, f rus. МОП структура с изолированным затвором, f pranc. structure MOS à… … Radioelektronikos terminų žodynas
isolated-gate MOS structure — MOP darinys su izoliuotąja užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated gate MOS; isolated gate MOS structure vok. MOS Struktur mit isoliertem Gate, f rus. МОП структура с изолированным затвором, f pranc. structure MOS à… … Radioelektronikos terminų žodynas
structure MOS à grille isolée — MOP darinys su izoliuotąja užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated gate MOS; isolated gate MOS structure vok. MOS Struktur mit isoliertem Gate, f rus. МОП структура с изолированным затвором, f pranc. structure MOS à… … Radioelektronikos terminų žodynas
H мост — Структура Н моста (показано красным) H мост это электронная схема, которая дает возможность приложить напряжение к нагрузке в разных направлениях. Эта схема очень часто используется в робототехнике и игрушечных машинах, чтобы изменять… … Википедия
Полевой транзистор — Полевой транзистор (англ. field effect transistor, FET) полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе… … Википедия
Униполярный транзистор — Полевой транзистор полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда… … Википедия