-
101 емкость затвор-исток
емкость затвор-исток
Емкость между затвором и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах.
Обозначение
Cзио
Cgso
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > емкость затвор-исток
-
102 емкость затвор-сток
емкость затвор-сток
Емкость между затвором и стоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах.
Обозначение
Cзсо
Cgdo
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > емкость затвор-сток
-
103 емкость коллекторного перехода
емкость коллекторного перехода
Емкость между выводами базы и коллектора транзистора при заданных обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой эмиттерной цепи.
Обозначение
CК
CC
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
44. Емкость коллекторного перехода
D. Kapazität der Kollektorsperrschicht
E. Collector capacitance
F. Capacité collecteur
Cк
Емкость между выводами базы и коллектора транзистора при заданных обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой эмиттерной цепи
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > емкость коллекторного перехода
-
104 емкость обратной связи биполярного транзистора
емкость обратной связи биполярного транзистора
Емкость биполярного транзистора, измеренная между входным и выходным выводами при коротком замыкании по переменному току на входе в режиме малого сигнала.
Обозначение
C12
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
28a. Емкость обратной связи биполярного транзистора
D. Rückwirkungskapazität
E. Feedback capacitance
F. Capacité de couplage à réaction
С*12
Емкость биполярного транзистора, измеренная между входным и выходным выводами при коротком замыкании по переменному току на входе в режиме малого сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > емкость обратной связи биполярного транзистора
-
105 емкость сток-исток
емкость сток-исток
Емкость между стоком и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах.
Обозначение
Cсио
Cdso
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > емкость сток-исток
-
106 емкость эмиттерного перехода
емкость эмиттерного перехода
Емкость между выводами эмиттера и базы транзистора при заданных обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутой коллекторной цепи.
Обозначение
CЭ
Ce
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
43. Емкость эмиттерного перехода
D. Kapazität der Emittersperrschicht
E. Emitter capacitance
F. Capacité émetteur
Cэ
Емкость между выводами эмиттера и базы транзистора при заданных обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутой коллекторной цепи
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > емкость эмиттерного перехода
-
107 закрытое состояние тиристора
закрытое состояние тиристора
Состояние тиристора, соответствующее участку прямой ветви вольтамперной характеристики между нулевой точкой и точкой переключения.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > закрытое состояние тиристора
-
108 запираемый тиристор
запираемый тиристор
Тиристор, который может быть переключен из открытого состояния в закрытое и наоборот путем подачи на управляющий вывод управляющих сигналов соответствующей полярности.
Примечание
Отношение мощности управления к переключаемой мощности должно быть значительно меньше единицы.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > запираемый тиристор
-
109 запирающий слой
запирающий слой
Ндп. запорный слой
Обедненный слой между двумя областями полупроводника с различными типами электропроводности или между полупроводником и металлом.
[ ГОСТ 15133-77]
запирающий слой
-
[Лугинский Я. Н. и др. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике. 2-е издание - М.: РУССО, 1995 - 616 с.]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > запирающий слой
-
110 затвор (в транзисторе)
затвор
Электрод полевого транзистора, на который подается электрический сигнал
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > затвор (в транзисторе)
-
111 импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
Обозначение
PИ
PM
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
63. Импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
D. Impulsverlustleistung
E. Peak power dissipation
F. Puissance dissipée de crète
Ри
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
112 импульсный полупроводниковый диод
импульсный полупроводниковый диод
импульсный диод
Полупроводниковый диод, имеющий малую длительность переходных процессов в импульсных режимах работы.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > импульсный полупроводниковый диод
-
113 инверсный слой
инверсный слой
Слой у поверхности полупроводника, в котором тип электропроводности отличается от типа электропроводности в объеме полупроводника в связи с наличием электрического поля поверхностных состояний, внешнего электрического поля у поверхности или поля контактов разности потенциалов.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > инверсный слой
-
114 инжекционно-пролетный диод
инжекционно-пролетный диод
Полупроводниковый диод, работающий в режиме инжекции носителей заряда в область запорного слоя и предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > инжекционно-пролетный диод
-
115 инфракрасный излучающий диод
инфракрасный излучающий диод
И-К диод
Полупроводниковый диод, излучающий энергию в инфракрасной области спектра в результате рекомбинации электронов и дырок.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > инфракрасный излучающий диод
-
116 исток
исток
Электрод полевого транзистора, через который в проводящий канал втекают носители заряда.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > исток
-
117 катодный вывод полупроводникового прибора
катодный вывод полупроводникового прибора
Вывод полупроводникового прибора, от которого прямой ток течет во внешнюю электрическую цепь.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > катодный вывод полупроводникового прибора
-
118 коллекторная область
коллекторная область
коллектор
Область полупроводникового прибора, назначением которой является экстракция носителей из базовой области.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > коллекторная область
-
119 коллекторный переход
коллекторный переход
Электрический переход между базовой и коллекторной областями полупроводникового прибора.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > коллекторный переход
-
120 коммутационный полупроводниковый диод
коммутационный полупроводниковый диод
коммутационный диод
Полупроводниковый диод, предназначенный для коммутации высокочастотных цепей.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
Синонимы
DE
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > коммутационный полупроводниковый диод
См. также в других словарях:
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие к рых основано на свойствах полупроводников, однородных (табл. 1) и неоднородных, содержащих p n переходы (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД) и гетеропереходы (табл. 2, 3). В П. п. используются разл.… … Физическая энциклопедия
Полупроводниковые приборы — Полупроводниковые приборы, ППП широкий класс электронных приборов, изготавливаемых из полупроводников. К полупроводниковым приборам относятся: Интегральные схемы (микросхемы) Полупроводниковые диоды (в том числе варикапы, стабилитроны,… … Википедия
Полупроводниковые приборы — ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, электронные приборы, действие которых основано на электрических процессах в полупроводниках. К полупроводниковым приборам, предназначенным для генерирования, усиления и преобразования электрических колебаний, относятся… … Иллюстрированный энциклопедический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие которых основано на свойствах (см.). К ним относятся нелинейные и отрицательные (см.) (резисторы), полупроводниковые (см.), (см.), , (см.) и их разновидности и др. П. п. служат для генерирования,… … Большая политехническая энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Большой Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Основой полупроводниковых приборов являются электронно дырочные переходы – область на границе между полупроводниками с р – и n – проводимостью. Служат для… … Энциклопедия техники
Полупроводниковые приборы — Электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. В электронике (См. Электроника) П. п. служат для преобразования различных сигналов, в энергетике (См. Энергетика) для непосредственного… … Большая советская энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых осн. на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрич. колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор),… … Большой энциклопедический политехнический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т.д.) электрич. колебаний (полупроводн. диод, транзистор, тиристор),… … Естествознание. Энциклопедический словарь
S-приборы — полупроводниковые приборы, действие которых основано на S oбразной вольтамперной характеристике, на которой есть один (АВ) или несколько участков с отрицательным сопротивлением (См. Отрицательное сопротивление) (см. рис.). У… … Большая советская энциклопедия