-
21 résistance apparente directe
динамическое сопротивление выпрямительного диода
rдин
rT
Сопротивление, определяемое наклоном прямой, аппроксимирующей прямую вольт-амперную характеристику выпрямительного диода.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
61. Динамическое сопротивление выпрямительного диода
D. Dynamischer Widerstand der Diode
E. Slope resistance
F. Résistance apparente directe
rдин
Сопротивление, определяемое наклоном прямой, аппроксимирующей прямую вольт-амперную характеристику выпрямительного диода
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > résistance apparente directe
-
22 résistance différentielle
дифференциальное сопротивление диода
rдиф, r
Отношение малого приращения напряжения диода к малому приращению тока в нем при заданном режиме.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
19. Дифференциальное сопротивление диода
D. Differentieller Widerstand der Diode
E. Differential resistance
F. Résistance différentielle
rдиф
Отношение малого приращения напряжения диода к малому приращению тока в нем при заданном режиме
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > résistance différentielle
-
23 résistance différentielle dans la zone des tensions de régulation
дифференциальное сопротивление стабилитрона
rст
rz
Дифференциальное сопротивление при заданном значении тока стабилизации стабилитрона.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
84. Дифференциальное сопротивление стабилитрона
D. Z-Widerstand der Z-Diode
E. Differential resistance within the working voltage range
F. Résistance différentielle dans la zone des tensions de régulation
rст
Дифференциальное сопротивление при заданном значении тока стабилизации стабилитрона
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > résistance différentielle dans la zone des tensions de régulation
-
24 charge recouvrée
заряд восстановления диода
Ндп. заряд переключения
Qвос, Qr
Полный заряд диода, вытекающий во внешнюю цепь при переключении диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение.
Примечания
1. Заряд восстановления включает накопленный заряд и заряд емкости обедненного слоя.
2. Заряд восстановления является суммой зарядов запаздывания и спада.
[ ГОСТ 25529-82]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
EN
DE
FR
32. Заряд восстановления диода
Ндп. Заряд переключения
D. Sperrerholladung der Diode
E. Recovered charge
F. Charge recouvrée
Qвос
Полный заряд диода, вытекающий во внешнюю цепь при переключении диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение.
Примечания:
1. Заряд восстановления включает накопленный заряд и заряд емкости обедненного слоя.
2. Заряд восстановления является суммой зарядов запаздывания и спада
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > charge recouvrée
-
25 dissipation de pointe à la coupure du courant
- импульсная рассеиваемая мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении
импульсная рассеиваемая мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении
Рвос.обр,и
PRQM
Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
FR
52. Импульсная рассеиваемая мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении
Е. Peak turn-off dissipation
F. Dissipation de pointe à la coupure du courant
Pвос.обр, и
Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > dissipation de pointe à la coupure du courant
-
26 tension inverse de crête
импульсное обратное напряжение диода
Uобр.и, URM
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения диода.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
4. Импульсное обратное напряжение диода
D. Spitzensperrspannung der Diode
E. Peak reverse voltage
F. Tension inverse de crête
Uобр.и
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения диода
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > tension inverse de crête
-
27 tension directe de crête
импульсное прямое напряжение диода
Uпр.и, UFM
Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения, обусловленное импульсным прямым током диода заданного значения.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
2. Импульсное прямое напряжение диода
D. Spitzendurchlassspannung der Diode
E. Peak forward voltage
F. Tension directe de crête
Uпр.и
Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения, обусловленное импульсным прямым током диода заданного значения
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > tension directe de crête
-
28 courant inverse de crête
импульсный обратный ток диода
Iобр.и, IRM
Наибольшее мгновенное значение обратного тока диода, обусловленного импульсным обратным напряжением.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
11. Импульсный обратный ток диода
D. Spitzensperrstrom der Diode
E. Peak reverse current
F. Courant inverse de crête
Iобр.и
Наибольшее мгновенное значение обратного тока диода, обусловленного импульсным обратным напряжением
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > courant inverse de crête
-
29 courant direct de crête
импульсный прямой ток диода
Iпр.и
IFM
Наибольшее мгновенное значение прямого тока диода, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
8. Импульсный прямой ток диода
D. Spitzendurchlassstrom der Diode
E. Peak forward current
F. Courant direct de crête
Iпр.и
Наибольшее мгновенное значение прямого тока диода, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > courant direct de crête
-
30 inductance série totale équivalente
индуктивность диода
Lп, Ls
Последовательная эквивалентная индуктивность диода при заданных условиях.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
D. Induktvität der Diode
E. Total series equivalent inductance
F. Inductance série totale équivalente
Lп
Последовательная эквивалентная индуктивность диода при заданных условиях
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > inductance série totale équivalente
-
31 charge stockée
накопленный заряд диода
Qик, Qs
Заряд электронов или дырок в базе диода или i-области p-i-n структуры, накопленный при протекании прямого тока.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
FR
E. Stored charge
F. Charge stockée
Qик
Заряд электронов или дырок в базе диода или i-области p-i-n структуры, накопленный при протекании прямого тока
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > charge stockée
-
32 tension de vallée
напряжение впадины туннельного диода
Uв
UV
Значение прямого напряжения, соответствующее току впадины туннельного диода.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
70. Напряжение впадины туннельного диода
D. Talspannung der Tunneldiode
E. Valley point voltage
F. Tension de vallée
Uв
Значение прямого напряжения, соответствующее току впадины туннельного диода
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > tension de vallée
-
33 tension de pic
напряжение пика туннельного диода
UП
UP
Значение прямого напряжения, соответствующее пиковому току туннельного диода.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
69. Напряжение пика туннельного диода
D. Höckerspannung der Tunneldiode
E. Peak point voltage
F. Tension de pic
Uп
Значение прямого напряжения, соответствующее пиковому току туннельного диода
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > tension de pic
-
34 tension isohypse
напряжение раствора туннельного диода
Uрр
UРР
Значение прямого напряжения на второй восходящей ветви вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором ток равен пиковому.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
71. Напряжение раствора туннельного диода
D. Projezierte Höckerspannug
E. Projected peak point voltage
F. Tension isohypse
Uрр
Значение прямого напряжения на второй восходящей ветви вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором ток равен пиковому
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > tension isohypse
-
35 tension de bruit
напряжение шума ФЭПП
Среднее квадратичное значение флуктуации напряжения на заданной нагрузке в цепи ФЭПП в заданной полосе частот.
Обозначение
UШ
Un
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
шумовое напряжение полевого транзистора
шумовое напряжение
Эквивалентное шумовое напряжение, приведенное ко входу, в полосе частот при определенном полном сопротивлении генератора в схеме с общим истоком.
Обозначение
Uш
Un
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
D. Rauschspannung
E. Noise voltage
F. Tension de bruit
Uш
Среднее квадратичное значение флуктуации напряжения на заданной нагрузке в цепи ФЭПП в заданной полосе частот
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > tension de bruit
-
36 facteur de bruit total moyen normal
нормированный коэффициент шума смесительного диода
Fнорм
Fos
Fos(av)
Значение коэффициента шума приемного устройства со смесительным диодом на входе при коэффициенте шума усилителя промежуточной частоты равном 1,5 дБ.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
FR
133. Нормированный коэффициент шума смесительного диода
E. Standard overall average noise figure
F. Facteur de bruit total moyen normal
Fнорм
Значение коэффициента шума приемного устройства со смесительным диодом на входе при коэффициенте шума усилителя промежуточной частоты равном 1,5 дБ
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > facteur de bruit total moyen normal
-
37 dissipation de puissance en inverse
обратная рассеиваемая мощность диода
Pобр, PR
Значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании обратного тока.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
FR
13. Обратная рассеиваемая мощность диода
E. Reverse power dissipation
F. Dissipation de puissance en inverse
Pобр
Значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании обратного тока
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > dissipation de puissance en inverse
-
38 rapport de dénivellation du courant
отношение токов туннельного диода
Iп/Iв
Ip/IV
Отношение пикового тока к току впадины туннельного диода.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
68. Отношение токов туннельного диода
D. Höcker-Talstrom-Verhälthis der Tunneldiode
E. Peak to valley point current ratio
F. Rapport de dénivellation du courant
Iп / Iв
Отношение пикового тока к току впадины туннельного диода
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > rapport de dénivellation du courant
-
39 conductance négative de la diode intrinséque
отрицательная проводимость туннельного диода
gпер
gj
Дифференциальная проводимость перехода на падающем участке прямой ветви вольт-амперной характеристики туннельного диода.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
72. Отрицательная проводимость туннельного диода
D. Negativer Leitwert der Tunneldiode
E. Negative conductance of the intrinsic diode
F. Conductance négative de la diode intrinséque
gпер
Дифференциальная проводимость перехода на падающем участке прямой ветви вольт-амперной характеристики туннельного диода
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > conductance négative de la diode intrinséque
-
40 courant inverse de pointe répétitif
- повторяющийся импульсный обратный ток тиристора
- Повторяющийся импульсный обратный ток выпрямительного диода
повторяющийся импульсный обратный ток тиристора
Обратный ток тиристора, обусловленный повторяющимся импульсным обратным напряжением.
Обозначение
Iобр,и
IRRM
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
44. Повторяющийся импульсный обратный ток выпрямительного диода
E. Repetitive peak reverse current
F. Courant inverse de pointe répétitif
Iобр.и.п
Значение обратного тока выпрямительного диода, обусловленного повторяющимся импульсным обратным напряжением
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
63. Повторяющийся импульсный обратный ток тиристора
E. Repetitive peak reverse current
F. Courant inverse de pointe répétitif
Iобр,п
Обратный ток тиристора, обусловленный повторяющимся импульсным обратным напряжением
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > courant inverse de pointe répétitif
См. также в других словарях:
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие к рых основано на свойствах полупроводников, однородных (табл. 1) и неоднородных, содержащих p n переходы (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД) и гетеропереходы (табл. 2, 3). В П. п. используются разл.… … Физическая энциклопедия
Полупроводниковые приборы — Полупроводниковые приборы, ППП широкий класс электронных приборов, изготавливаемых из полупроводников. К полупроводниковым приборам относятся: Интегральные схемы (микросхемы) Полупроводниковые диоды (в том числе варикапы, стабилитроны,… … Википедия
Полупроводниковые приборы — ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, электронные приборы, действие которых основано на электрических процессах в полупроводниках. К полупроводниковым приборам, предназначенным для генерирования, усиления и преобразования электрических колебаний, относятся… … Иллюстрированный энциклопедический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие которых основано на свойствах (см.). К ним относятся нелинейные и отрицательные (см.) (резисторы), полупроводниковые (см.), (см.), , (см.) и их разновидности и др. П. п. служат для генерирования,… … Большая политехническая энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Большой Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Основой полупроводниковых приборов являются электронно дырочные переходы – область на границе между полупроводниками с р – и n – проводимостью. Служат для… … Энциклопедия техники
Полупроводниковые приборы — Электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. В электронике (См. Электроника) П. п. служат для преобразования различных сигналов, в энергетике (См. Энергетика) для непосредственного… … Большая советская энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых осн. на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрич. колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор),… … Большой энциклопедический политехнический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т.д.) электрич. колебаний (полупроводн. диод, транзистор, тиристор),… … Естествознание. Энциклопедический словарь
S-приборы — полупроводниковые приборы, действие которых основано на S oбразной вольтамперной характеристике, на которой есть один (АВ) или несколько участков с отрицательным сопротивлением (См. Отрицательное сопротивление) (см. рис.). У… … Большая советская энциклопедия