-
61 диаграмма направленности излучения полупроводникового излучателя
диаграмма направленности излучения полупроводникового излучателя
диаграмма направленности излучения
Диаграмма, характеризующая пространственное распределение излучения от полупроводникового излучателя относительно его оптической оси.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
5. Диаграмма направленности излучения полупроводникового излучателя
Диаграмма направленности излучения
Radiation diagram
-
Диаграмма, характеризующая пространственное распределение излучения от полупроводникового излучателя относительно его оптической оси
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > диаграмма направленности излучения полупроводникового излучателя
-
62 динамическое сопротивление полупроводникового излучателя
динамическое сопротивление полупроводникового излучателя
динамическое сопротивление
Rдин
RD
Значение сопротивления, определяемое по наклону прямой, аппроксимирующей вольт-амперную характеристику полупроводникового излучателя при заданном прямом токе.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
24. Динамическое сопротивление полупроводникового излучателя
Динамическое сопротивление
Dynamic resistance
Rдин
Значение сопротивления, определяемое по наклону прямой, аппроксимирующей вольт-амперную характеристику полупроводникового излучателя при заданном прямом токе
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > динамическое сопротивление полупроводникового излучателя
-
63 длина волны максимума излучения полупроводникового излучателя
длина волны максимума излучения полупроводникового излучателя
длина волны излучения
λmax
λp
Длина волны, соответствующая максимуму спектральной плотности потока излучения полупроводникового излучателя.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
7. Длина волны максимума излучения полупроводникового излучателя
Длина волны излучения
Peak emission wavelength
λmax
Длина волны, соответствующая максимуму спектральной плотности потока излучения полупроводникового излучателя
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > длина волны максимума излучения полупроводникового излучателя
-
64 емкость нагрузки оптоэлектронного переключателя
емкость нагрузки оптоэлектронного переключателя
емкость нагрузки
Cн
Значение суммарной емкости внешних цепей, подключенных к выходу оптоэлектронного переключателя.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
82. Емкость нагрузки оптоэлектронного переключателя
Емкость нагрузки
Capacitance of load
Cн
Значение суммарной емкости внешних цепей, подключенных к выходу оптоэлектронного переключателя
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > емкость нагрузки оптоэлектронного переключателя
-
65 импульсная рассеиваемая мощность полупроводникового излучателя
импульсная рассеиваемая мощность полупроводникового излучателя
импульсная рассеиваемая мощность
Ррас.и
PM
Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой полупроводниковым излучателем при подаче импульсов с заданной длительностью и скважностью.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
26. Импульсная рассеиваемая мощность полупроводникового излучателя
Импульсная рассеиваемая мощность
Maximum peak power
Ррас.и
Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой полупроводниковым излучателем при подаче импульсов с заданной длительностью и скважностью
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > импульсная рассеиваемая мощность полупроводникового излучателя
-
66 импульсное прямое напряжение полупроводникового излучателя
импульсное прямое напряжение полупроводникового излучателя
импульсное прямое напряжение
Uпр.и
UFM
Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения на полупроводниковом излучателе при заданном импульсном прямом токе.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
18. Импульсное прямое напряжение полупроводникового излучателя
Импульсное прямое напряжение
Maximum peak forward voltage
Uпр.и
Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения на полупроводниковом излучателе при заданном импульсном прямом токе
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > импульсное прямое напряжение полупроводникового излучателя
-
67 импульсный входной ток оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя)
импульсный входной ток оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя)
импульсный входной ток
Iвх.и
IM, IFM
Наибольшее мгновенное значение тока, протекающего во входной цепи оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя), при котором обеспечиваются заданные параметры.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
39. Импульсный входной ток оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя)
Импульсный входной ток
Input maximum current
Iвх.и
Наибольшее мгновенное значение тока, протекающего во входной цепи оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя), при котором обеспечиваются заданные параметры
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > импульсный входной ток оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя)
-
68 импульсный выходной ток оптопары
импульсный выходной ток оптопары
импульсный выходной ток
Iвых.и
Наибольшее мгновенное значение выходного тока оптопары.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
60. Импульсный выходной ток оптопары
Импульсный выходной ток
Output maximum peak current
Iвых.и
Наибольшее мгновенное значение выходного тока оптопары
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > импульсный выходной ток оптопары
-
69 импульсный прямой ток полупроводникового излучателя
импульсный прямой ток полупроводникового излучателя
импульсный прямой ток
Iпр.и
IFM
Наибольшее мгновенное значение прямого тока, протекающего через полупроводниковый излучатель, при заданной скважности и длительности импульса.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
EN
14. Импульсный прямой ток полупроводникового излучателя
Импульсный прямой ток
Peak forward current
Iпр.и
Наибольшее мгновенное значение прямого тока, протекающего через полупроводниковый излучатель, при заданной скважности и длительности импульса
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > импульсный прямой ток полупроводникового излучателя
-
70 коммутируемый ток оптоэлектронного коммутатора
коммутируемый ток оптоэлектронного коммутатора
коммутируемый ток
Iком
Значение тока, протекающего в выходной цепи оптоэлектронного коммутатора в открытом состоянии.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
69. Коммутируемый ток оптоэлектронного коммутатора
Коммутируемый ток
Commutation current
Iком
Значение тока, протекающего в выходной цепи оптоэлектронного коммутатора в открытом состоянии
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > коммутируемый ток оптоэлектронного коммутатора
-
71 коэффициент передачи по току оптопары
коэффициент передачи по току оптопары
коэффициент передачи по току
KI
CTR
Отношение разности выходного тока и тока утечки на выходе оптопары к вызвавшему его входному току.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
63. Коэффициент передачи по току оптопары
Коэффициент передачи по току
Current transfer ratio
KI
Отношение разности выходного тока и тока утечки на выходе оптопары к вызвавшему его входному току
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > коэффициент передачи по току оптопары
-
72 коэффициент разветвления по выходу оптоэлектронного переключателя
коэффициент разветвления по выходу оптоэлектронного переключателя
коэффициент разветвления
N
Число единичных нагрузок, которые можно одновременно подключать к выходу оптоэлектронного переключателя.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
89. Коэффициент разветвления по выходу оптоэлектронного переключателя
Коэффициент разветвления
Fan-out
N
Число единичных нагрузок, которые можно одновременно подключать к выходу оптоэлектронного переключателя
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > коэффициент разветвления по выходу оптоэлектронного переключателя
-
73 напряжение питания оптоэлектронного переключателя
напряжение питания оптоэлектронного переключателя
напряжение питания
Uп
UCC
Значение напряжения источника питания, обеспечивающего работу оптоэлектронного переключателя в заданном режиме.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
74. Напряжение питания оптоэлектронного переключателя
Напряжение питания
Supply voltage
Uп
Значение напряжения источника питания, обеспечивающего работу оптоэлектронного переключателя в заданном режиме
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > напряжение питания оптоэлектронного переключателя
-
74 напряжение пробоя полупроводникового излучателя
напряжение пробоя полупроводникового излучателя
напряжение пробоя
Uпроб
U(BR)
Значение обратного напряжения, вызывающего пробой перехода, при котором обратный ток через полупроводниковый излучатель превышает заданное значение.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
21. Напряжение пробоя полупроводникового излучателя
Напряжение пробоя
Breakdown voltage
Uпроб
Значение обратного напряжения, вызывающего пробой перехода, при котором обратный ток через полупроводниковый излучатель превышает заданное значение
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > напряжение пробоя полупроводникового излучателя
-
75 неповторяющееся импульсное напряжение изоляции оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя)
неповторяющееся импульсное напряжение изоляции оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя)
неповторяющееся импульсное напряжение изоляции
Uиз.и.нп
UIOSM
-
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
37. Неповторяющееся импульсное напряжение изоляции оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя)
Неповторяющееся импульсное напряжение изоляции
Non-repetitive peak isolation voltage
Uиз.и.нп
-
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > неповторяющееся импульсное напряжение изоляции оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя)
-
76 обратное входное напряжение оптопары
обратное входное напряжение оптопары
обратное входное напряжение
Uвх.обр
UIR
Значение напряжения на входе оптопары, приложенное в обратном направлении.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
52. Обратное входное напряжение оптопары
Обратное входное напряжение
Input reverse voltage
Uвх.обр
Значение напряжения на входе оптопары, приложенное в обратном направлении
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > обратное входное напряжение оптопары
-
77 обратное выходное напряжение оптопары
обратное выходное напряжение оптопары
обратное выходное напряжение
Uвых.обр
Наибольшее значение напряжения, приложенного в обратном направлении к выходу оптопары в закрытом состоянии фотоприемного элемента.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
53. Обратное выходное напряжение оптопары
Обратное выходное напряжение
Output reverse voltage
Uвых.обр
Наибольшее значение напряжения, приложенного в обратном направлении к выходу оптопары в закрытом состоянии фотоприемного элемента
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > обратное выходное напряжение оптопары
-
78 общая емкость полупроводникового излучателя
общая емкость полупроводникового излучателя
общая емкость
C
Ctot
Значение емкости между выводами полупроводникового излучателя при заданных напряжении смещения и частоте.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
22. Общая емкость полупроводникового излучателя
Общая емкость
Total capacitance
C
Значение емкости между выводами полупроводникового излучателя при заданных напряжении смещения и частоте
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > общая емкость полупроводникового излучателя
-
79 оптическая ось полупроводникового излучателя
оптическая ось полупроводникового излучателя
оптическая ось
Линия, по отношению к которой отцентрирована диаграмма направленности полупроводникового излучателя.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
10. Оптическая ось полупроводникового излучателя
Оптическая ось
Optical axis
-
Линия, по отношению к которой отцентрирована диаграмма направленности полупроводникового излучателя
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > оптическая ось полупроводникового излучателя
-
80 пороговый входной ток высокого уровня оптоэлектронного переключателя
пороговый входной ток высокого уровня оптоэлектронного переключателя
пороговый входной ток высокого уровня
I1пор
IH(TO)
Наименьшее значение входного тока высокого уровня оптоэлектронного переключателя, при котором происходит переход из одного устойчивого состояния в другое.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
77. Пороговый входной ток высокого уровня оптоэлектронного переключателя
Пороговый входной ток высокого уровня
High-level threshold input current
I1пор
Наименьшее значение входного тока высокого уровня оптоэлектронного переключателя, при котором происходит переход из одного устойчивого состояния в другое
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > пороговый входной ток высокого уровня оптоэлектронного переключателя
См. также в других словарях:
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие к рых основано на свойствах полупроводников, однородных (табл. 1) и неоднородных, содержащих p n переходы (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД) и гетеропереходы (табл. 2, 3). В П. п. используются разл.… … Физическая энциклопедия
Полупроводниковые приборы — Полупроводниковые приборы, ППП широкий класс электронных приборов, изготавливаемых из полупроводников. К полупроводниковым приборам относятся: Интегральные схемы (микросхемы) Полупроводниковые диоды (в том числе варикапы, стабилитроны,… … Википедия
Полупроводниковые приборы — ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, электронные приборы, действие которых основано на электрических процессах в полупроводниках. К полупроводниковым приборам, предназначенным для генерирования, усиления и преобразования электрических колебаний, относятся… … Иллюстрированный энциклопедический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие которых основано на свойствах (см.). К ним относятся нелинейные и отрицательные (см.) (резисторы), полупроводниковые (см.), (см.), , (см.) и их разновидности и др. П. п. служат для генерирования,… … Большая политехническая энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Большой Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Основой полупроводниковых приборов являются электронно дырочные переходы – область на границе между полупроводниками с р – и n – проводимостью. Служат для… … Энциклопедия техники
Полупроводниковые приборы — Электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. В электронике (См. Электроника) П. п. служат для преобразования различных сигналов, в энергетике (См. Энергетика) для непосредственного… … Большая советская энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых осн. на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрич. колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор),… … Большой энциклопедический политехнический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т.д.) электрич. колебаний (полупроводн. диод, транзистор, тиристор),… … Естествознание. Энциклопедический словарь
S-приборы — полупроводниковые приборы, действие которых основано на S oбразной вольтамперной характеристике, на которой есть один (АВ) или несколько участков с отрицательным сопротивлением (См. Отрицательное сопротивление) (см. рис.). У… … Большая советская энциклопедия