-
21 output capacitance
- выходная емкость полевого транзистора
- выходная емкость оптоэлектронного переключателя
- выходная емкость биполярного транзистора
- выходная ёмкость
выходная емкость биполярного транзистора
Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала.
Обозначение
C22
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
выходная емкость оптоэлектронного переключателя
выходная емкость
Свых
CO
Значение емкости между выходными выводами оптоэлектронного переключателя в заданном режиме.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
выходная емкость полевого транзистора
выходная емкость
Емкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
Обозначение
C22и
C22ss
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
выходная ёмкость
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
71. Выходная емкость оптоэлектронного переключателя
Выходная емкость
Output capacitance
Свых
Значение емкости между выходными выводами оптоэлектронного переключателя в заданном режиме
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
28. Выходная емкость биполярного транзистора
D. Ausgangskapazität
E. Output capacitance
F. Capacité de sortie
С*22
Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > output capacitance
-
22 peak forward current
- импульсный прямой ток полупроводникового излучателя
- импульсный прямой ток диода
- импульсный прямой ток (элемента отображения информации полупроводникового знакосинтезирующего индикатора)
импульсный прямой ток (элемента отображения информации полупроводникового знакосинтезирующего индикатора)
Iпр.и (IFм)
Наибольшее мгновенное значение прямого тока, протекающего через элемент отображения информации полупроводникового знакосинтезирующего индикатора при заданной скважности и длительности импульса.
[ ГОСТ 25066-91]Тематики
EN
импульсный прямой ток диода
Iпр.и
IFM
Наибольшее мгновенное значение прямого тока диода, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
импульсный прямой ток полупроводникового излучателя
импульсный прямой ток
Iпр.и
IFM
Наибольшее мгновенное значение прямого тока, протекающего через полупроводниковый излучатель, при заданной скважности и длительности импульса.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
EN
8. Импульсный прямой ток диода
D. Spitzendurchlassstrom der Diode
E. Peak forward current
F. Courant direct de crête
Iпр.и
Наибольшее мгновенное значение прямого тока диода, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
14. Импульсный прямой ток полупроводникового излучателя
Импульсный прямой ток
Peak forward current
Iпр.и
Наибольшее мгновенное значение прямого тока, протекающего через полупроводниковый излучатель, при заданной скважности и длительности импульса
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > peak forward current
-
23 breakdown voltage
- пробивное напряжение диода
- пробивное "напряжение"
- напряжение пробоя полупроводникового излучателя
напряжение пробоя полупроводникового излучателя
напряжение пробоя
Uпроб
U(BR)
Значение обратного напряжения, вызывающего пробой перехода, при котором обратный ток через полупроводниковый излучатель превышает заданное значение.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
пробивное "напряжение"
напряжение пробоя
—
[А.С.Гольдберг. Англо-русский энергетический словарь. 2006 г.]Тематики
Синонимы
EN
пробивное напряжение диода
Uпроб, U(BR)
Значение обратного напряжения, вызывающее пробой перехода диода, при котором обратный ток достигает заданного значения.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
D. Durchbruchspannung der Diode
E. Breakdown voltage
F. Tension de claquage
Uпроб
Значение обратного напряжения, вызывающее пробой перехода диода, при котором обратный ток достигает заданного значения
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
21. Напряжение пробоя полупроводникового излучателя
Напряжение пробоя
Breakdown voltage
Uпроб
Значение обратного напряжения, вызывающего пробой перехода, при котором обратный ток через полупроводниковый излучатель превышает заданное значение
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > breakdown voltage
-
24 reverse continuous voltage
постоянное обратное напряжение полупроводникового излучателя
постоянное обратное напряжение
Uобр
UR
Значение постоянного напряжения, приложенного к полупроводниковому излучателю в обратном направлении.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
3. Постоянное обратное напряжение диода
D. Sperrgleichspannung der Diode
E. Reverse continuous voltage
F. Tension inverse continue
Uобр
-
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
19. Постоянное обратное напряжение полупроводникового излучателя
Постоянное обратное напряжение
Reverse continuous voltage
Uобр
Значение постоянного напряжения, приложенного к полупроводниковому излучателю в обратном направлении
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > reverse continuous voltage
-
25 turn-off current
запираемый ток тиристора
Наибольшее значение основного тока тиристора, при котором обеспечивается запирание тиристора по управляющему электроду.
Обозначение
Iз
ITQ
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
ток выключения тиристорной оптопары
ток выключения
Iвыкл
Ioff
Входной ток тиристорной оптопары, обеспечивающий выключение фотоприемного элемента.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
E. Turn-off current
F. Courant de désamorcage
Iз
Наибольшее значение основного тока тиристора, при котором обеспечивается запирание тиристора по управляющему электроду
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
57. Ток выключения тиристорной оптопары
Ток выключения
Turn-off current
Iвыкл
Входной ток тиристорной оптопары, обеспечивающий выключение фотоприемного элемента
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > turn-off current
-
26 total capacitance
общая (электрическая) ёмкость
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
общая емкость полупроводникового излучателя
общая емкость
C
Ctot
Значение емкости между выводами полупроводникового излучателя при заданных напряжении смещения и частоте.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
общая емкость тиристора
Емкость между основными выводами при заданном напряжении в закрытом состоянии тиристора.
Обозначение
Cобщ
Ctot
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
E. Total capacitance
F. Capacité totale
Cобщ
Емкость между основными выводами при заданном напряжении в закрытом состоянии тиристора
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
22. Общая емкость полупроводникового излучателя
Общая емкость
Total capacitance
C
Значение емкости между выводами полупроводникового излучателя при заданных напряжении смещения и частоте
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > total capacitance
-
27 holding current
ток удержания тиристора
Наименьший основной ток тиристора, необходимый для поддержания тиристора в открытом состоянии.
Обозначение
Iуд
IH
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
ток удержания тиристорной оптопары
ток удержания
Iуд
Наименьшее значение тока, протекающего в выходной цепи тиристорной оптопары, необходимого для поддержания фотоприемного элемента в открытом состоянии при входном токе, равном нулю.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
удерживающий ток
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
E. Holding current
F. Courant hypostatique ou de maintien
Iуд
Наименьший основной ток тиристора, необходимый для поддержания тиристора в открытом состоянии
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
58. Ток удержания тиристорной оптопары
Ток удержания
Holding current
Iуд
Наименьшее значение тока, протекающего в выходной цепи тиристорной оптопары, необходимого для поддержания фотоприемного элемента в открытом состоянии при входном токе, равном нулю
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > holding current
-
28 facteur de bruit
- шумовая постоянная туннельного диода
- коэффициент шума полевого транзистора
- коэффициент шума биполярного транзистора
коэффициент шума биполярного транзистора
Отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала.
Обозначение
Kш
F
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
коэффициент шума полевого транзистора
коэффициент шума
Отношение полной мощности шумов на выходе полевого транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала.
Обозначение
Kш
F
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
шумовая постоянная туннельного диода
NШ
Nn
Величина, определяемая соотношением:
NШ = 20lg Iр/gпер,
где Iр - ток в рабочей точке туннельного диода,
gпер- отрицательная проводимость туннельного диода.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
74. Шумовая постоянная туннельного диода
D. Rauschfaktor der Tunneldiode
E. Noise factor
F. Facteur de bruit
Nш
Величина, определяемая соотношением:
где Iр - ток в рабочей точке туннельного диода,
gпер - отрицательная проводимость туннельного диода
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
32. Коэффициент шума биполярного транзистора
D. Rauschzahl
E. Noise figure
F. Facteur de bruit
Kш
Отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > facteur de bruit
-
29 dynamic resistance
- резонансное сопротивление (параллельного колебательного контура)
- динамическое сопротивление прибора М-типа
- динамическое сопротивление полупроводникового излучателя
динамическое сопротивление полупроводникового излучателя
динамическое сопротивление
Rдин
RD
Значение сопротивления, определяемое по наклону прямой, аппроксимирующей вольт-амперную характеристику полупроводникового излучателя при заданном прямом токе.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
динамическое сопротивление прибора М-типа
динамическое сопротивление
RД
Отношение малого приращения напряжения анода к соответствующему приращению тока анода прибора М-типа, характеризующее наклон вольт-амперной характеристики в заданной рабочей точке.
[ ГОСТ 23769-79]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
резонансное сопротивление (параллельного колебательного контура)
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
24. Динамическое сопротивление полупроводникового излучателя
Динамическое сопротивление
Dynamic resistance
Rдин
Значение сопротивления, определяемое по наклону прямой, аппроксимирующей вольт-амперную характеристику полупроводникового излучателя при заданном прямом токе
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
233. Динамическое сопротивление прибора М-типа
Динамическое сопротивление
Dynamic resistance
Rд
Отношение малого приращения напряжения анода к соответствующему приращению тока анода прибора М-типа, характеризующее наклон вольтамперной характеристики в заданной рабочей точке
Источник: ГОСТ 23769-79: Приборы электронные и устройства защитные СВЧ. Термины, определения и буквенные обозначения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > dynamic resistance
-
30 peak reverse voltage
- максимальное обратное напряжение
- Импульсное обратное напряжение полупроводникового излучателя
- импульсное обратное напряжение диода
- импульсное обратное напряжение (на элементе отображения информации полупроводникового знакосинтезирующего индикатора)
импульсное обратное напряжение (на элементе отображения информации полупроводникового знакосинтезирующего индикатора)
Uобр.и (URM)
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения на элементе отображения информации полупроводникового знакосинтезирующего индикатора.
[ ГОСТ 25066-91]Тематики
EN
импульсное обратное напряжение диода
Uобр.и, URM
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения диода.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
максимальное обратное напряжение
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
4. Импульсное обратное напряжение диода
D. Spitzensperrspannung der Diode
E. Peak reverse voltage
F. Tension inverse de crête
Uобр.и
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения диода
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
20. Импульсное обратное напряжение полупроводникового излучателя
Импульсное обратное напряжение
Peak reverse voltage
Uобр.и
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения на полупроводниковом излучателе
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > peak reverse voltage
-
31 reverse continuous current
10. Постоянный обратный ток диода
D. Sperrgleichstrom der Diode
E. Reverse continuous current
F. Courant inverse continu
Iобр
-
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
16. Постоянный обратный ток полупроводникового излучателя
Постоянный обратный ток
Reverse continuous current
Iобр
Значение постоянного тока, протекающего через полупроводниковый излучатель в обратном направлении при заданном обратном напряжении
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > reverse continuous current
-
32 resistance under illumination
- световое сопротивление ФЭПП
- световое сопротивление
- световое выходное сопротивление резисторной оптопары
световое выходное сопротивление резисторной оптопары
световое сопротивление
Rвых.св
RЕ, RH
Значение сопротивления фотоприемного элемента при воздействии на него потока излучения заданного значения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
световое сопротивление
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
световое сопротивление ФЭПП
Сопротивление ФЭПП при воздействии на него потока излучения в диапазоне его спектральной чувствительности.
Обозначение
RE
RH
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
62. Световое выходное сопротивление резисторной оптопары
Световое сопротивление
Resistance under illumination
Rвых.св
Значение сопротивления фотоприемного элемента при воздействии на него потока излучения заданного значения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
57. Световое сопротивление ФЭПП
D. Hellwiderstand
E. Resistance under illumination
F. Résistance sous éclairement
RE
Сопротивление ФЭПП при воздействии на него потока излучения в диапазоне его спектральной чувствительности
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > resistance under illumination
-
33 dark resistance
- темновое сопротивление ФЭПП
- темновое сопротивление (фотоэлемента)
- темновое выходное сопротивление резисторной оптопары
темновое выходное сопротивление резисторной оптопары
темновое сопротивление
Rвых.т
Ro
Значение сопротивления фотоприемного элемента при отсутствии воздействия на него потока излучения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
темновое сопротивление (фотоэлемента)
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
темновое сопротивление ФЭПП
Сопротивление ФЭПП в отсутствие падающего на него излучения в диапазоне его спектральной чувствительности.
Обозначение
Rт
Rd
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- résistance d’obscurité
61. Темновое выходное сопротивление резисторной оптопары
Темновое сопротивление
Dark resistance
Rвых.т
Значение сопротивления фотоприемного элемента при отсутствии воздействия на него потока излучения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
55. Темновое сопротивление ФЭПП
D. Dunkelwiderstand
E. Dark resistance
F. Resistance d'obscurité
Rt
Сопротивление ФЭПП в отсутствие падающего на него излучения в диапазоне его спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > dark resistance
-
34 fréquence de coupure
- частота среза пьезоэлектрического (электромеханического) фильтра
- предельная частота ФЭПП
- предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
- предельная частота варикапа
- граничная частота
граничная частота
частота среза
-
[IEV number 151-13-54]EN
cut-off frequency
lower or upper limiting frequency of a pass-band or stop-band
[IEV number 151-13-54]FR
fréquence de coupure, f
fréquence limite inférieure ou supérieure d'une bande passante ou d'une bande affaiblie
[IEV number 151-13-54]Синонимы
EN
DE
FR
предельная частота ФЭПП
Частота синусоидальномодулированного потока излучения, при которой чувствительность ФЭПП падает до значения 0,707 от чувствительности при немодулированном излучении.
Обозначение
f0
fg
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
предельная частота варикапа
fпред.в
fсо
Значение частоты, на которой реактивная составляющая проводимости варикапа становится равной активной составляющей его проводимости при заданных условиях.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением.
Обозначение
fh21
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
частота среза пьезоэлектрического (электромеханического) фильтра (fc)
Частота полосы пропускания или задерживания, на которой относительное затухание пьезоэлектрического (электромеханического) фильтра достигает заданного значения.
[ ГОСТ 18670-84]Тематики
EN
FR
78. Предельная частота варикапа
D. Gütefrequenz der Kapazitätsdiode
E. Cut-off frequency
F. Fréquence de coupure
fпред.в
Значение частоты, на которой реактивная составляющая проводимости варикапа становится равной активной составляющей его проводимости при заданных условиях
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
D. Grenzfrequenz
E. Cut-off frequency
F. Fréquence de coupure
f0
Частота синусоидальномодулированного потока излучения, при которой чувствительность ФЭПП падает до значения 0,707 от чувствительности при немодулированном излучении
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > fréquence de coupure
-
35 cut-off frequency
- частота среза пьезоэлектрического (электромеханического) фильтра
- частота среза
- предельная частота ФЭПП
- предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
- предельная частота варикапа
- граничная частота
граничная частота
частота среза
-
[IEV number 151-13-54]EN
cut-off frequency
lower or upper limiting frequency of a pass-band or stop-band
[IEV number 151-13-54]FR
fréquence de coupure, f
fréquence limite inférieure ou supérieure d'une bande passante ou d'une bande affaiblie
[IEV number 151-13-54]Синонимы
EN
DE
FR
предельная частота ФЭПП
Частота синусоидальномодулированного потока излучения, при которой чувствительность ФЭПП падает до значения 0,707 от чувствительности при немодулированном излучении.
Обозначение
f0
fg
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
предельная частота варикапа
fпред.в
fсо
Значение частоты, на которой реактивная составляющая проводимости варикапа становится равной активной составляющей его проводимости при заданных условиях.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением.
Обозначение
fh21
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
частота среза
граничная частота
1. Частота, при которой амплитуда сигнала составляет определенную часть от максимальной (например, на 3 дБ меньше).
2. Частота, при которой амплитуда передаваемых колебаний на 3 дБ меньше, чем на частоте максимума.
[BS EN 1330-4:2000. Non-destructive testing - Terminology - Part 4: Terms used in ultrasonic testing]
[Система неразрушающего контроля. Виды (методы) и технология неразрушающего контроля. Термины и определения (справочное пособие). Москва 2003 г.]Тематики
- виды (методы) и технология неразр. контроля
Синонимы
EN
частота среза пьезоэлектрического (электромеханического) фильтра (fc)
Частота полосы пропускания или задерживания, на которой относительное затухание пьезоэлектрического (электромеханического) фильтра достигает заданного значения.
[ ГОСТ 18670-84]Тематики
EN
FR
78. Предельная частота варикапа
D. Gütefrequenz der Kapazitätsdiode
E. Cut-off frequency
F. Fréquence de coupure
fпред.в
Значение частоты, на которой реактивная составляющая проводимости варикапа становится равной активной составляющей его проводимости при заданных условиях
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
29. Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
D. Grenzfrequenz der Stromverstärkung
E. Cut-off frequency
F. Fréquence de conpure
fh21
Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
D. Grenzfrequenz
E. Cut-off frequency
F. Fréquence de coupure
f0
Частота синусоидальномодулированного потока излучения, при которой чувствительность ФЭПП падает до значения 0,707 от чувствительности при немодулированном излучении
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > cut-off frequency
-
36 noise factor
коэффициент шума прибора СВЧ
коэффициент шума
Кш
Отношение сигнал/шум на входе прибора СВЧ к отношению сигнал/шум на его выходе.
[ ГОСТ 23769-79]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
коэффициент шумов
шум-фактор
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
Синонимы
EN
шумовая постоянная туннельного диода
NШ
Nn
Величина, определяемая соотношением:
NШ = 20lg Iр/gпер,
где Iр - ток в рабочей точке туннельного диода,
gпер- отрицательная проводимость туннельного диода.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
74. Шумовая постоянная туннельного диода
D. Rauschfaktor der Tunneldiode
E. Noise factor
F. Facteur de bruit
Nш
Величина, определяемая соотношением:
где Iр - ток в рабочей точке туннельного диода,
gпер - отрицательная проводимость туннельного диода
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
223. Коэффициент шума прибора СВЧ
Коэффициент шума
Noise factor
Kш
Отношение сигнал/шум на входе прибора СВЧ к отношению сигнал/шум на его выходе
Источник: ГОСТ 23769-79: Приборы электронные и устройства защитные СВЧ. Термины, определения и буквенные обозначения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > noise factor
-
37 optical axis
оптическая ось
Общая ось вращения поверхностей, составляющих центрированную оптическую систему.
[ ГОСТ 7427-76]Тематики
- оптика, оптические приборы и измерения
EN
DE
FR
оптическая ось полупроводникового излучателя
оптическая ось
Линия, по отношению к которой отцентрирована диаграмма направленности полупроводникового излучателя.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
10. Оптическая ось полупроводникового излучателя
Оптическая ось
Optical axis
-
Линия, по отношению к которой отцентрирована диаграмма направленности полупроводникового излучателя
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
3.5.2 оптическая ось (optical axis): Средняя линия оптического пути.
Примечание - В соответствии с ГОСТ 7427 оптическая ось - это общая ось вращения поверхностей, составляющих центрированную оптическую систему.
Источник: ГОСТ Р 52350.29.4-2011: Взрывоопасные среды. Часть 29-4. Газоанализаторы. Общие технические требования и методы испытаний газоанализаторов горючих газов с открытым оптическим каналом оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > optical axis
-
38 power gain
- усиление по мощности
- коэффициент усиления прибора СВЧ
- коэффициент усиления по мощности полевого транзистора
- коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
- коэффициент усиления по мощности
- коэффициент усиления мощности генераторной лампы
- выигрыш мощности
коэффициент усиления мощности генераторной лампы
усиление мощности
Отношение выходной мощности к мощности возбуждения генераторной лампы.
Примечание
Величина расчетная (непосредственно не измеряемая).
Коэффициент усиления мощности генераторной лампы выражается в безразмерных единицах или в децибелах.
[ ГОСТ 20412-75]Тематики
Синонимы
EN
FR
коэффициент усиления по мощности
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения.
Обозначение
KyP
Gp
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
коэффициент усиления по мощности полевого транзистора
коэффициент усиления по мощности
Отношение мощности на выходе полевого транзистора к мощности на входе при определенной частоте и схеме включения.
Обозначение
Kур
Gp
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
коэффициент усиления прибора СВЧ
коэффициент усиления
Ку
Отношение выходной мощности прибора СВЧ к входной.
[ ГОСТ 23769-79]Тематики
Синонимы
EN
усиление по мощности
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
58. Коэффициент усиления мощности генераторной лампы*
Усиление мощности
E. Power gain
F. Gain de puissance
Отношение выходной мощности к мощности возбуждения генераторной лампы.
Примечание. Коэффициент усиления мощности генераторной лампы выражается в безразмерных единицах или в децибелах
Источник: ГОСТ 20412-75: Лампы генераторные, модуляторные и регулирующие. Термины и определения оригинал документа
34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
D. Leistungsverstärkung
E. Power gain
F. Gain en puissance
КyP
Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
200. Коэффициент усиления прибора СВЧ
Коэффициент усиления
Power gain
Ky
Отношение выходной мощности прибора СВЧ к входной
Источник: ГОСТ 23769-79: Приборы электронные и устройства защитные СВЧ. Термины, определения и буквенные обозначения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > power gain
-
39 Smart Power
прил.микроэл. Smart-Power-Bauelemente силовые полупроводниковые приборы с "интеллектом", силовые полупроводниковые приборы с "интеллектом", силовые полупроводниковые приборы со встроенным микропроцессором -
40 retard à la croissance
- время задержки тиристора
- время задержки для биполярного транзистора
- время задержки включения полевого транзистора
время задержки включения полевого транзистора
время задержки включения
Интервал времени между 10%-ным значением амплитуды фронта входного импульса, включающего полевой транзистор, и 10%-ным значением амплитуды фронта выходного импульса.
Обозначение
tзд.вкл
td(on)
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время задержки для биполярного транзистора
Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды.
Обозначение
tзд
td
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время задержки тиристора
Интервал времени между заданным моментом в начале импульса отпирающего тока управления тиристора или импульса отпирающего напряжения тиристора и моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению при включении тиристора отпирающим током управления или переключением импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
tу,зд, tзд
tgd, td
Примечание
Время задержки может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
E. Delay time
F. Retard à la croissance
tу,зд, tзд
Интервал времени между заданным моментом в начале импульса отпирающего тока управления тиристора или импульса отпирающего напряжения тиристора и моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению при включении тиристора отпирающим током управления или переключением импульсным отпирающим напряжением.
Примечание. Время задержки может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
36. Время задержки для биполярного транзистора
D. Verzögerungszeit
E. Delay time
F. Retard à la croissance
tзд
Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > retard à la croissance
См. также в других словарях:
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие к рых основано на свойствах полупроводников, однородных (табл. 1) и неоднородных, содержащих p n переходы (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД) и гетеропереходы (табл. 2, 3). В П. п. используются разл.… … Физическая энциклопедия
Полупроводниковые приборы — Полупроводниковые приборы, ППП широкий класс электронных приборов, изготавливаемых из полупроводников. К полупроводниковым приборам относятся: Интегральные схемы (микросхемы) Полупроводниковые диоды (в том числе варикапы, стабилитроны,… … Википедия
Полупроводниковые приборы — ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, электронные приборы, действие которых основано на электрических процессах в полупроводниках. К полупроводниковым приборам, предназначенным для генерирования, усиления и преобразования электрических колебаний, относятся… … Иллюстрированный энциклопедический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие которых основано на свойствах (см.). К ним относятся нелинейные и отрицательные (см.) (резисторы), полупроводниковые (см.), (см.), , (см.) и их разновидности и др. П. п. служат для генерирования,… … Большая политехническая энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Большой Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Основой полупроводниковых приборов являются электронно дырочные переходы – область на границе между полупроводниками с р – и n – проводимостью. Служат для… … Энциклопедия техники
Полупроводниковые приборы — Электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. В электронике (См. Электроника) П. п. служат для преобразования различных сигналов, в энергетике (См. Энергетика) для непосредственного… … Большая советская энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых осн. на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрич. колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор),… … Большой энциклопедический политехнический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т.д.) электрич. колебаний (полупроводн. диод, транзистор, тиристор),… … Естествознание. Энциклопедический словарь
S-приборы — полупроводниковые приборы, действие которых основано на S oбразной вольтамперной характеристике, на которой есть один (АВ) или несколько участков с отрицательным сопротивлением (См. Отрицательное сопротивление) (см. рис.). У… … Большая советская энциклопедия