-
1 полупроводниковые приборы
Makarov: semi-conductor devicesУниверсальный русско-английский словарь > полупроводниковые приборы
-
2 полупроводниковые приборы
Dictionnaire technique russo-italien > полупроводниковые приборы
-
3 полупроводниковые приборы
асбобҳои нимноқилӣ. физ.Краткий русско-таджикский терминологический словарь по точным, естественным и техническим наукам > полупроводниковые приборы
-
4 p-канальные кремниевые полупроводниковые приборы
Engineering: p-channel silicon gate devicesУниверсальный русско-английский словарь > p-канальные кремниевые полупроводниковые приборы
-
5 детектор радиозакладок, содержащих полупроводниковые приборы с нелинейными переходами
Security: NLJ detector, nonlinear junction detectorУниверсальный русско-английский словарь > детектор радиозакладок, содержащих полупроводниковые приборы с нелинейными переходами
-
6 перспективные цифровые биполярные полупроводниковые приборы
Engineering: advanced digital bipolarУниверсальный русско-английский словарь > перспективные цифровые биполярные полупроводниковые приборы
-
7 Smart-Power-Bauelemente силовые полупроводниковые приборы с интеллектом
adjmicroel. Smart PowerУниверсальный русско-немецкий словарь > Smart-Power-Bauelemente силовые полупроводниковые приборы с интеллектом
-
8 силовые полупроводниковые приборы с интеллектом
adjmicroel. Smart Power, Smart-Power-BauelementeУниверсальный русско-немецкий словарь > силовые полупроводниковые приборы с интеллектом
-
9 силовые полупроводниковые приборы со встроенным микропроцессором
adjmicroel. Smart Power, Smart-Power-BauelementeУниверсальный русско-немецкий словарь > силовые полупроводниковые приборы со встроенным микропроцессором
-
10 переход на полупроводниковые приборы
neng. transistorisationDictionnaire russe-français universel > переход на полупроводниковые приборы
-
11 приборы
-
12 приборы силовые полупроводниковые
приборы силовые полупроводниковыепрыборы сiлавыя паўправаднiковыяРусско-белорусский словарь математических, физических и технических терминов > приборы силовые полупроводниковые
-
13 приборы
приборыпрыборы, -раў- приборы научные
- приборы оптико-спектроскопические
- приборы силовые полупроводниковыеРусско-белорусский словарь математических, физических и технических терминов > приборы
-
14 apparecchi a semiconduttori
Dictionnaire polytechnique italo-russe > apparecchi a semiconduttori
-
15 turn-on time
- время включения тиристора
- время включения стабилитрона
- время включения полевого транзистора
- время включения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
- время включения биполярного транзистора
время включения биполярного транзистора
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания.
Обозначение
tвкл
ton
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- temps total d’établissement
время включения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время включения
tвкл
ton
Интервал времени, равный сумме времени задержки и времени нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренный между 10% значения входного сигнала и 90% значения выходного сигнала.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
время включения полевого транзистора
время включения
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора.
Обозначение
tвкл
ton
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
- temps total d’établissement
время включения стабилитрона
tвкл
tоп
Интервал времени, определяемый с момента переключения стабилитрона из состояния заданного напряжения до момента достижения установившегося напряжения стабилизации.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
время включения тиристора
Интервал времени, в течение которого тиристор включается отпирающим током управления или переключается из закрытого состояния в открытое импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
tувкл, tвкл
tgt, tt
Примечания
1. Интервал времени измеряют от заданного момента в начале импульса отпирающего тока управления или импульса отпирающего напряжения до момента, когда основное напряжение понижается до заданного значения.
2. Время включения равняется сумме времени задержки и времени нарастания.
3. Время включения может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
- temps d’amorçage
86. Время включения стабилитрона
D. Einschaltzeit der Z-Diode
E. Turn-on time
tвкл
Интервал времени, определяемый с момента переключения стабилитрона из состояния заданного напряжения до момента достижения установившегося напряжения стабилизации
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
110. Время включения тиристора
E. Turn-on time
F. Temps d’amorcage
tувкл, tвкл
Интервал времени, в течение которого тиристор включается отпирающим током управления или переключается из закрытого состояния в открытое импульсным отпирающим напряжением.
Примечания:
1. Интервал времени измеряют от заданного момента в начале импульса отпирающего тока управления или импульса отпирающего напряжения до момента, когда основное напряжение понижается до заданного значения.
2. Время включения равняется сумме времени задержки и времени нарастания.
3. Время включения может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
48. Время включения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
Время включения
Turn-on time
tвкл
Интервал времени, равный сумме времени задержки и времени нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренный между 10 % значения входного сигнала и 90 % значения выходного сигнала
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
40. Время включения биполярного транзистора
D. Einschaltzeit
E. Turn-on time
F. Temps total d'établissement
tвкл
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > turn-on time
-
16 rise time
- длительность переднего фронта импульса
- время подъёма мощности
- время подъёма
- время нарастания тиристора
- время нарастания сигнала интегральной микросхемы
- Время нарастания импульса излучения полупроводникового излучателя
- время нарастания для полевого транзистора
- время нарастания для биполярного транзистора
- время нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
- время нарастания (вторичного напряжения)
- время нарастания
- время восстановления (в электротехнике)
время восстановления
-
[Лугинский Я. Н. и др. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике. 2-е издание - М.: РУССО, 1995 - 616 с.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
время нарастания
—
[ http://www.iks-media.ru/glossary/index.html?glossid=2400324]
время нарастания
-
[Лугинский Я. Н. и др. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике. 2-е издание - М.: РУССО, 1995 - 616 с.]Тематики
- электросвязь, основные понятия
- электротехника, основные понятия
EN
время нарастания (вторичного напряжения)
Время в микросекундах, необходимое для нарастания вторичного напряжения от одного определенного значения до другого при заданных условиях.
[ ГОСТ 28772-90]Тематики
- системы зажигания автомоб. двигат.
EN
FR
время нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время нарастания
tнр
tr
Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 10 до 90% своего максимального значения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
время нарастания для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды.
Обозначение
tнр
tк
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время нарастания для полевого транзистора
время нарастания
Интервал времени между 10%-ным и 90%-ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора.
Обозначение
tнр
tr
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время нарастания сигнала интегральной микросхемы
время нарастания сигнала
Интервал времени нарастания сигнала от уровня 0,1 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала.
Обозначение
tнар
tr
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
время нарастания тиристора
Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
tу,пнр, tнр
tgr, tr
Примечание
Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
время подъёма
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
время подъёма мощности
(напр. ядерного реактора)
[А.С.Гольдберг. Англо-русский энергетический словарь. 2006 г.]Тематики
EN
длительность переднего фронта импульса
время нарастания импульса
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
Синонимы
EN
3.16 время нарастания (rise time): Промежуток времени между моментами, когда мгновенное значение импульса достигает установленных низкого и высокого предельных значений.
Примечание - Если не установлены иные значения, в качестве низкого и высокого предельных значений принимают 0,1 и 0,9 пикового значения импульса.
Источник: ГОСТ Р 51317.4.2-2010: Совместимость технических средств электромагнитная. Устойчивость к электростатическим разрядам. Требования и методы испытаний оригинал документа
112. Время нарастания тиристора
E. Rise time
F. Temps de croissance
tу,пнр, tнр
Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением.
Примечание. Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
27. Время нарастания импульса излучения полупроводникового излучателя
Время нарастания импульса
Rise time
tнр.из
Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 10 до 90 % своего максимального значения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
47. Время нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
Время нарастания
Rise time
tнр
Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 10 до 90 % своего максимального значения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
37. Время нарастания для биполярного транзистора
D. Anstiegszeit
E. Rise time
F. Temps de croissance
tнр
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > rise time
-
17 fall time
- время среза (заднего фронта) импульса
- время спада сигнала интегральной микросхемы
- время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
- время спада для полевого транзистора
- время спада для биполярного транзистора
- время спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
- время спада
время спада
время затухания
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
Синонимы
EN
время спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время спада
tсп
tf
Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 90 до 10% своего максимального значения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
время спада для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время спада для полевого транзистора
время спада
Интервал времени между 90%-ным и 10%-ным значениями амплитуды среза выходного импульса при выключении транзистора.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
время спада импульса
tсп.из
tf
Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10% своего максимального значения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
время спада сигнала интегральной микросхемы
время спада сигнала
Интервал времени спада сигнала от уровня 0,9 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
время среза (заднего фронта) импульса
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
28. Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
Время спада импульса
Fall time
tсп.из
Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
49. Время спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
Время спада
Fall time
tсп
Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
39. Время спада для биполярного транзистора
D. Abfallzeit
E. Fall time
F. Temps de décroissance
tсп
Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > fall time
-
18 turn-on delay time
- время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
- время задержки включения полевого транзистора
- время задержки включения оптоэлектронного переключателя
время задержки выключения оптоэлектронного переключателя
время задержки выключения
t0,1зд
tDLN
Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе оптоэлектронного переключателя от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,9 или на заданных значениях напряжения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
время задержки включения полевого транзистора
время задержки включения
Интервал времени между 10%-ным значением амплитуды фронта входного импульса, включающего полевой транзистор, и 10%-ным значением амплитуды фронта выходного импульса.
Обозначение
tзд.вкл
td(on)
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
время задержки при включении
tзд.из
td
Интервал времени между 10% значения импульса тока и 10% значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
29. Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
Время задержки при включении
Turn-on delay time
tзд.из
Интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
83. Время задержки включения оптоэлектронного переключателя
Время задержки включения
Turn-on delay time
t1и0зд
Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе оптоэлектронного переключателя от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,1 или на заданных значениях напряжения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > turn-on delay time
-
19 delay time
- продолжительность выдержки
- время задержки тиристора
- время задержки оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
- время задержки модуля (блока) СВЧ
- время задержки импульса интегральной микросхемы
- время задержки для биполярного транзистора
- время задержки включения высокого напряжения прибора СВЧ
- время задержки
время задержки
—
[Интент]Параллельные тексты EN-RU
The relay remains energized for the duration of the timer.
[Schneider Electric]Реле остается включенным до истечения времени задержки.
[Перевод Интент]
Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
время задержки включения высокого напряжения прибора СВЧ
время задержки
tз
Интервал времени между моментом включения номинального напряжения накала до момента включения высокого напряжения в приборе СВЧ.
[ ГОСТ 23769-79]Тематики
Синонимы
EN
время задержки для биполярного транзистора
Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды.
Обозначение
tзд
td
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время задержки импульса интегральной микросхемы
время задержки
Интервал времени между нарастаниями входного и выходного импульсов интегральной микросхемы, измеренный на уровне 0,1 или на заданном уровне напряжения или тока.
Обозначение
tзд
td
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
время задержки модуля (блока) СВЧ
время задержки
tз
Интервал времени с момента подачи сигнала на вход модуля (блока) СВЧ до момента появления сигнала на его выходе, определяемый на одинаковых относительных уровнях сигналов.
[ ГОСТ 23221-78]Тематики
Обобщающие термины
- модули СВЧ, блоки СВЧ
- параметры
Синонимы
EN
время задержки оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время задержки
tзд
td
Интервал времени между 10% значения входного сигнала и 10% значения выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренными по фронту импульсов.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
время задержки тиристора
Интервал времени между заданным моментом в начале импульса отпирающего тока управления тиристора или импульса отпирающего напряжения тиристора и моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению при включении тиристора отпирающим током управления или переключением импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
tу,зд, tзд
tgd, td
Примечание
Время задержки может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
3.11 продолжительность выдержки (delay time): Время определения аналитическим контрольно-измерительным прибором появления химического вещества на внутренней стороне образца для испытания.
E. Delay time
F. Retard à la croissance
tу,зд, tзд
Интервал времени между заданным моментом в начале импульса отпирающего тока управления тиристора или импульса отпирающего напряжения тиристора и моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению при включении тиристора отпирающим током управления или переключением импульсным отпирающим напряжением.
Примечание. Время задержки может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
46. Время задержки оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
Время задержки
Delay time
tзд
Интервал времени между 10 % значения входного сигнала и 10 % значения выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренными по фронту импульсов
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
36. Время задержки для биполярного транзистора
D. Verzögerungszeit
E. Delay time
F. Retard à la croissance
tзд
Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
209. Время задержки включения высокого напряжения прибора СВЧ
Время задержки
Delay time
tз
Интервал времени между моментом включения номинального напряжения накала до момента включения высокого напряжения в приборе СВЧ
Источник: ГОСТ 23769-79: Приборы электронные и устройства защитные СВЧ. Термины, определения и буквенные обозначения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > delay time
-
20 turn-off time
- время отключения
- время выключения тиристора
- время выключения полевого транзистора
- время выключения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
- время выключения биполярного транзистора
время выключения биполярного транзистора
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения.
Обозначение
tвыкл
toff
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время выключения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время выключения
tвыкл
toff
Интервал времени, равный сумме времени сохранения и времени спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренный между 90% значения входного сигнала и 10% значения выходного сигнала.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
время выключения полевого транзистора
время выключения
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки выключения и времени спада.
Обозначение
tвыкл
toff
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время выключения тиристора
Наименьший интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора после внешнего переключения основных цепей понизился до нуля, и моментом, в который определенное основное напряжение тиристора проходит через нулевое значение без переключения тиристора.
Обозначение
tвыкл
tq
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
время отключения
—
[Интент]
время отключения
-
[Лугинский Я. Н. и др. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике. 2-е издание - М.: РУССО, 1995 - 616 с.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
113. Время выключения тиристора
E. Turn-off time
F. Temps de désamorcage
tвыкл
Наименьший интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора после внешнего переключения основных цепей понизился до нуля, и моментом, в который определенное основное напряжение тиристора проходит через нулевое значение без переключения тиристора
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
51. Время выключения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
Время выключения
Turn-off time
tвыкл
Интервал времени, равный сумме времени сохранения и времени спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренный между 90 % значения входного сигнала и 10 % значения выходного сигнала
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
41. Время выключения биполярного транзистора
D. Ausschaltzeit
E. Turn-off time
F. Temps total de coupure
tвыкл
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > turn-off time
См. также в других словарях:
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие к рых основано на свойствах полупроводников, однородных (табл. 1) и неоднородных, содержащих p n переходы (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД) и гетеропереходы (табл. 2, 3). В П. п. используются разл.… … Физическая энциклопедия
Полупроводниковые приборы — Полупроводниковые приборы, ППП широкий класс электронных приборов, изготавливаемых из полупроводников. К полупроводниковым приборам относятся: Интегральные схемы (микросхемы) Полупроводниковые диоды (в том числе варикапы, стабилитроны,… … Википедия
Полупроводниковые приборы — ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, электронные приборы, действие которых основано на электрических процессах в полупроводниках. К полупроводниковым приборам, предназначенным для генерирования, усиления и преобразования электрических колебаний, относятся… … Иллюстрированный энциклопедический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие которых основано на свойствах (см.). К ним относятся нелинейные и отрицательные (см.) (резисторы), полупроводниковые (см.), (см.), , (см.) и их разновидности и др. П. п. служат для генерирования,… … Большая политехническая энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Большой Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Основой полупроводниковых приборов являются электронно дырочные переходы – область на границе между полупроводниками с р – и n – проводимостью. Служат для… … Энциклопедия техники
Полупроводниковые приборы — Электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. В электронике (См. Электроника) П. п. служат для преобразования различных сигналов, в энергетике (См. Энергетика) для непосредственного… … Большая советская энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых осн. на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрич. колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор),… … Большой энциклопедический политехнический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т.д.) электрич. колебаний (полупроводн. диод, транзистор, тиристор),… … Естествознание. Энциклопедический словарь
S-приборы — полупроводниковые приборы, действие которых основано на S oбразной вольтамперной характеристике, на которой есть один (АВ) или несколько участков с отрицательным сопротивлением (См. Отрицательное сопротивление) (см. рис.). У… … Большая советская энциклопедия