-
61 noise resistance
шумовое сопротивление полевого транзистора
шумовое сопротивление
Эквивалентное шумовое сопротивление при коротком замыкании на входе в схеме с общим истоком, определяемое соотношением
Rш=Eш/4kT,
где Еш- э.д.с. шума.
Обозначение
Rш
Rn
[ ГОСТ 19095-73]
Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > noise resistance
-
62 noise force electro-velocity
электродвижущая сила шума полевого транзистора
э.д.с. шума
Спектральная плотность эквивалентного шумового напряжения, приведенного ко входу, при коротком замыкании на входе в схеме с общим истоком.
Обозначение
Eш
en
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
- э.д.с. шума
EN
DE
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > noise force electro-velocity
-
63 затвор
bolt, check, closure, ( элементарного транзистора) gate finger, ( трубопровода) flap, ( полевого транзистора) control gate, valve gate, gate, latch, lock, ( напорного трубопровода) penstock, seal, shutter, ( движущаяся часть пневматического сейсмического источника) shuttle, flow-regulating valve, hydraulic valve, regulating valve, valve -
64 bipolar insulated gate FET
Техника: интегральная схема на биполярных и полевых транзисторах с изолированным затвором, комбинация полевого транзистора с изолированным затвором на входе и биполярного транзистора на выходе, комбинированная интегральная схема на биполярных и полевых транзисторах с изолированными затворами, прибор на биполярных и полевых транзисторах с изолированными затворамиУниверсальный англо-русский словарь > bipolar insulated gate FET
-
65 bipolar insulated gate field effect transistor
1) Техника: интегральная схема на биполярных и полевых транзисторах с изолированным затвором, комбинированная интегральная схема на биполярных и полевых транзисторах с изолированными затворами, прибор на биполярных и полевых транзисторах с изолированными затворами2) Вычислительная техника: комбинация полевого транзистора с изолированным затвором на входе и биполярного транзистора на выходеУниверсальный англо-русский словарь > bipolar insulated gate field effect transistor
-
66 bipolar insulated gate field-effect transistor circuit
Техника: интегральная схема на биполярных и полевых транзисторах с изолированным затвором, комбинация полевого транзистора с изолированным затвором на входе и биполярного транзистора на выходе, комбинированная интегральная схема на биполярных и полевых транзисторах с изолированными затворами, прибор на биполярных и полевых транзисторах с изолированными затворамиУниверсальный англо-русский словарь > bipolar insulated gate field-effect transistor circuit
-
67 collector/drain load impedance matching
Универсальный англо-русский словарь > collector/drain load impedance matching
-
68 pinch-off voltage
1) Вычислительная техника: напряжение смыкания (канального транзистора)2) Макаров: напряжение отсечки (в полевом транзисторе)3) Электротехника: напряжение отсечки (полевого транзистора) -
69 transistor gate
1) Техника: затвор полевого транзистора2) Микроэлектроника: затвор транзистора -
70 BIGFET
bipolar insulated gate FET; bipolar insulated gate field effect transistor; bipolar insulated gate field-effect transistor circuit - интегральная схема на биполярных и полевых транзисторах с изолированным затвором; комбинация полевого транзистора с изолированным затвором на входе и биполярного транзистора на выходе; комбинированная интегральная схема на биполярных и полевых транзисторах с изолированными затворами; прибор на биполярных и полевых транзисторах с изолированными затворами -
71 BIGFET
= bipolar insulated-gate field-effect transistorприбор на-основе комбинации биполярного транзистора и-полевого транзистора с-изолированным затвором -
72 BIGFET
сокр. от bipolar insulated-gate field-effect transistorприбор на основе комбинации биполярного транзистора и полевого транзистора с изолированным затворомThe New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > BIGFET
-
73 BIGFET
сокр. от bipolar insulated gate field effect transistorтранзистора с изолированным затвором на входе и биполярного транзистора на выходеEnglish-Russian dictionary of computer science and programming > BIGFET
-
74 BIGFET
комбинация полевого транзистора с изолированным затвором на входе и биполярного транзистора на выходе -
75 electronic switch
• электронный переключатель, переключатель без механических контактов- 1. Электронное устройство, содержащее три или более уровней от «Р» или «N» типов полупроводниковых материалов и не имеющее движущихся частей, т.е. триодного теристора (selection-controlled rectifier - SCR), тетроидного теристора (selection-controlled switch - SCS), биполярного транзистора, полевого транзистора (field-effect transistor - FET). 2. Полупроводниковое устройство, сконструированное для работы в двух режимах (ON или OFF) и используется для прерывания электронной сети.
• электронный переключатель- см. switch.
Англо-русский словарь по кондиционированию и вентиляции > electronic switch
-
76 electronic switch
• электронный переключатель, переключатель без механических контактов- 1. Электронное устройство, содержащее три или более уровней от «Р» или «N» типов полупроводниковых материалов и не имеющее движущихся частей, т.е. триодного теристора (selection-controlled rectifier - SCR), тетроидного теристора (selection-controlled switch - SCS), биполярного транзистора, полевого транзистора (field-effect transistor - FET). 2. Полупроводниковое устройство, сконструированное для работы в двух режимах (ON или OFF) и используется для прерывания электронной сети.
• электронный переключатель- см. switch.
English-Russian dictionary of terms for heating, ventilation, air conditioning and cooling air > electronic switch
-
77 collector/drain load impedance matching
согласование коллекторной нагрузки биполярного транзистора/стоковой нагрузки полевого транзистораEnglish-Russian dictionary of telecommunications and their abbreviations > collector/drain load impedance matching
-
78 полевой транзистор
(Field Effect Transistor)Полевой транзистор (ПТ)Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора - созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n - или p - типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод - затвор, соединённый с его средней частью p - n переходом. В связи с тем, что управление током в выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов. ПТ обладают рядом преимуществ по сравнению с биполярными: высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление; высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей); почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства ПТ обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных ПТ выше, чем у биполярных, и применение ключевых усилителей на ПТ при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 мГц, в то время как на биполярных транзисторах разработка ключевых генераторов частотой выше 100 мГц является весьма сложной задачей); квадратичность вольтамперной характеристики (аналогична триоду); высокая температурная стабильность; малый уровень шумов.Устройство полевого транзистораАнгло-русский словарь по нанотехнологиям > полевой транзистор
-
79 FET
(Field Effect Transistor)Полевой транзистор (ПТ)Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора - созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n - или p - типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод - затвор, соединённый с его средней частью p - n переходом. В связи с тем, что управление током в выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов. ПТ обладают рядом преимуществ по сравнению с биполярными: высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление; высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей); почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства ПТ обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных ПТ выше, чем у биполярных, и применение ключевых усилителей на ПТ при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 мГц, в то время как на биполярных транзисторах разработка ключевых генераторов частотой выше 100 мГц является весьма сложной задачей); квадратичность вольтамперной характеристики (аналогична триоду); высокая температурная стабильность; малый уровень шумов.Устройство полевого транзистора -
80 ионоселективный полевой транзистор
(Ion Selective Field Effect Transistor)Ионоселективный полевой транзистор (ИСПТ)Среди электрохимических сенсоров получили распространение миниатюрные устройства, основанные на полевых транзисторах. В них металлический контакт затвора транзистора заменен химически чувствительным слоем и электродом сравнения. В этом случае затвор представляет собой металлический слой, покрытый чувствительным материалом. Взаимодействие определяемого компонента с материалом затвора вызывает изменение электрического поля в области затвора и, следовательно, порогового потенциала и тока в транзисторе, что и обусловливает аналитический сигнал. Например, Na+-селективный ИСПТ изготавливают путем нанесения в область затвора боросиликатного стекла, для К+- селективного сенсора в область затвора помещают полимерную мембрану, содержащую валиномицин или краун-эфир.Конструкция ионоселективного полевого транзистора. 1 - ионоселективная мембрана; 2 - сток и исток; 3 - изолирующий материал (диоксид кремния); 4 - кремниевое основание; 5 - электрод сравненияАнгло-русский словарь по нанотехнологиям > ионоселективный полевой транзистор
См. также в других словарях:
время включения полевого транзистора — время включения Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора. Обозначение tвкл ton [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы время включения EN turn on time DE… … Справочник технического переводчика
время задержки выключения полевого транзистора — время задержки выключения Интервал времени между 90% ным значением амплитуды среза входного импульса, вызвавшего включение полевого транзистора, и 90% ным значением амплитуды среза выходного импульса. Обозначение tзд.выкл td(off) [ГОСТ 19095 73]… … Справочник технического переводчика
время нарастания для полевого транзистора — время нарастания Интервал времени между 10% ным и 90% ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора. Обозначение tнр tr [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы время нарастания EN rise… … Справочник технического переводчика
коэффициент усиления по мощности полевого транзистора — коэффициент усиления по мощности Отношение мощности на выходе полевого транзистора к мощности на входе при определенной частоте и схеме включения. Обозначение Kур Gp [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы коэффициент усиления … Справочник технического переводчика
коэффициент шума полевого транзистора — коэффициент шума Отношение полной мощности шумов на выходе полевого транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала. Обозначение Kш F [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы… … Справочник технического переводчика
время спада для полевого транзистора — время спада Интервал времени между 90% ным и 10% ным значениями амплитуды среза выходного импульса при выключении транзистора. Обозначение tсп tf [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы время спада EN fall time DE Abfallzeit… … Справочник технического переводчика
крутизна характеристики полевого транзистора — крутизна характеристики Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком. Обозначение S gms [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые… … Справочник технического переводчика
напряжение отсечки полевого транзистора — напряжение отсечки Напряжение между затвором и истоком транзистора с p n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения. Обозначение UЗИ.отс UGS(off) [ГОСТ 19095… … Справочник технического переводчика
пороговое напряжение полевого транзистора — пороговое напряжение Напряжение между затвором и истоком транзистора с изолированным затвором, работающего в режиме обогащения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения. Обозначение UЗИ.пор UGST [ГОСТ 19095 73] Тематики… … Справочник технического переводчика
канал полевого транзистора — lauko tranzistoriaus kanalas statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. channel of field effect transistor; field effect transistor channel vok. Kanal eines Feldeffekttransistor, m rus. канал полевого транзистора, m pranc. canal d un… … Automatikos terminų žodynas
затвор полевого транзистора — lauko tranzistoriaus užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. field effect transistor gate vok. Gate eines Feldeffekttransistors, n rus. затвор полевого транзистора, m pranc. grille d un transistor à effet de champ, f … Radioelektronikos terminų žodynas