-
1 полевой транзистор
(Field Effect Transistor)Полевой транзистор (ПТ)Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора - созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n - или p - типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод - затвор, соединённый с его средней частью p - n переходом. В связи с тем, что управление током в выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов. ПТ обладают рядом преимуществ по сравнению с биполярными: высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление; высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей); почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства ПТ обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных ПТ выше, чем у биполярных, и применение ключевых усилителей на ПТ при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 мГц, в то время как на биполярных транзисторах разработка ключевых генераторов частотой выше 100 мГц является весьма сложной задачей); квадратичность вольтамперной характеристики (аналогична триоду); высокая температурная стабильность; малый уровень шумов.Устройство полевого транзистораАнгло-русский словарь по нанотехнологиям > полевой транзистор
-
2 FET
(Field Effect Transistor)Полевой транзистор (ПТ)Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора - созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n - или p - типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод - затвор, соединённый с его средней частью p - n переходом. В связи с тем, что управление током в выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов. ПТ обладают рядом преимуществ по сравнению с биполярными: высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление; высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей); почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства ПТ обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных ПТ выше, чем у биполярных, и применение ключевых усилителей на ПТ при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 мГц, в то время как на биполярных транзисторах разработка ключевых генераторов частотой выше 100 мГц является весьма сложной задачей); квадратичность вольтамперной характеристики (аналогична триоду); высокая температурная стабильность; малый уровень шумов.Устройство полевого транзистора -
3 carrier primary flow
Электроника: поток основных носителей заряда -
4 majority-carrier drain
Микроэлектроника: отвод основных носителей зарядаУниверсальный англо-русский словарь > majority-carrier drain
-
5 émetteur de porteurs majoritaires
Dictionnaire polytechnique Français-Russe > émetteur de porteurs majoritaires
-
6 Majoritätsträgerdichte
f электрон.Deutsch-Russische Wörterbuch polytechnischen > Majoritätsträgerdichte
-
7 Majoritätsträgerfluß
m электрон.Deutsch-Russische Wörterbuch polytechnischen > Majoritätsträgerfluß
-
8 Majoritätsträgerstrom
m электрон.Deutsch-Russische Wörterbuch polytechnischen > Majoritätsträgerstrom
-
9 émetteur de porteurs majoritaires
сущ.Французско-русский универсальный словарь > émetteur de porteurs majoritaires
-
10 émetteur majoritaire
сущ.Французско-русский универсальный словарь > émetteur majoritaire
-
11 Majoritätsladungsträgerinjektion
сущ.микроэл. инжекция основных носителей зарядаУниверсальный немецко-русский словарь > Majoritätsladungsträgerinjektion
-
12 Majoritätsladungsträgerstrom
сущ.микроэл. поток основных носителей зарядаУниверсальный немецко-русский словарь > Majoritätsladungsträgerstrom
-
13 Majoritätsträgerdichte
сущ.микроэл. концентрация основных носителей (заряда)Универсальный немецко-русский словарь > Majoritätsträgerdichte
-
14 Majoritätsträgerextraktion
сущ.микроэл. экстракция основных носителей (заряда)Универсальный немецко-русский словарь > Majoritätsträgerextraktion
-
15 Majoritätsträgerfluss
сущ.электр. поток основных носителей (заряда)Универсальный немецко-русский словарь > Majoritätsträgerfluss
-
16 Majoritätsträgerfluß
сущ.микроэл. поток основных носителей (заряда)Универсальный немецко-русский словарь > Majoritätsträgerfluß
-
17 Majoritätsträgerinjektion
сущ.микроэл. инжекция основных носителей зарядаУниверсальный немецко-русский словарь > Majoritätsträgerinjektion
-
18 Majoritätsträgerkonzentration
сущ.микроэл. концентрация основных носителей (заряда)Универсальный немецко-русский словарь > Majoritätsträgerkonzentration
-
19 Majoritätsträgerstrom
сущ.электр. ток основных носителей (заряда)Универсальный немецко-русский словарь > Majoritätsträgerstrom
-
20 majority-carrier lifetime
English-Russian electronics dictionary > majority-carrier lifetime
- 1
- 2
См. также в других словарях:
ток основных носителей заряда — pagrindinių krūvininkų srovė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. majority charge carrier current; majority carrier current vok. Majoritätsträgerstrom, m rus. ток основных носителей, m; ток основных носителей заряда, m pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
ток основных носителей — pagrindinių krūvininkų srovė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. majority charge carrier current; majority carrier current vok. Majoritätsträgerstrom, m rus. ток основных носителей, m; ток основных носителей заряда, m pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
Подвижность носителей заряда — 15. Подвижность носителей заряда Подвижность Отношение средней установившейся скорости перемещения носителей заряда в направлении электрического поля к напряженности последнего Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Инжекция носителей заряда — 45. Инжекция носителей заряда Инжекция Введение носителя заряда в полупроводник Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Экстракция носителей заряда — 46. Экстракция носителей заряда Экстракция Выведение носителя заряда из полупроводника Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Избыточная концентрация носителей заряда полупроводника — 28. Избыточная концентрация носителей заряда полупроводника Избыточная концентрация Избыток концентрации неравновесных носителей заряда в полупроводнике над концентрацией равновесных носителей заряда Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда полупроводника — 38. Скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда полупроводника Скорость поверхностной рекомбинации Отношение плотности потока носителей заряда, рекомбинировавших на поверхности полупроводника, к концентрации избыточных носителей заряда у … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Диффузионная длина неосновных носителей заряда полупроводника — 33. Диффузионная длина неосновных носителей заряда полупроводника Диффузионная длина Расстояние, на котором в однородном полупроводнике при одномерной диффузии в отсутствие электрического и магнитного полей избыточная концентрация неосновных… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Длина дрейфа неравновесных носителей заряда полупроводника — 37. Длина дрейфа неравновесных носителей заряда полупроводника Длина дрейфа Средняя длина переноса неравновесных носителей заряда в полупроводнике электрическим полем за время, прошедшее с момента их возбуждения до рекомбинации Источник: ГОСТ… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Концентрация неравновесных носителей заряда полупроводника — 27. Концентрация неравновесных носителей заряда полупроводника Неравновесная концентрация Концентрация носителей заряда в полупроводнике, отличная от равновесной Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Коэффициент диффузии носителей заряда — 18. Коэффициент диффузии носителей заряда Отношение плотности потока подвижных носителей заряда одного типа к градиенту их концентрации в отсутствие электрического и магнитного полей Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации