-
1 полевой транзистор, работающий в режиме обеднения
Русско-немецкий словарь по электронике > полевой транзистор, работающий в режиме обеднения
-
2 работающий в режиме обеднения полевой транзистор
Русско-немецкий словарь по электронике > работающий в режиме обеднения полевой транзистор
-
3 n-канальный МОП-транзистор с глубокообеднённым слоем, работающий в режиме обеднения
Универсальный русско-немецкий словарь > n-канальный МОП-транзистор с глубокообеднённым слоем, работающий в режиме обеднения
-
4 КМОП-инвертор с МОП-транзистором с индуцированным каналом p-типа в качестве активного элемента и с работающим в режиме обеднения n-канальным транзистором с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки
Универсальный русско-немецкий словарь > КМОП-инвертор с МОП-транзистором с индуцированным каналом p-типа в качестве активного элемента и с работающим в режиме обеднения n-канальным транзистором с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки
-
5 МДП-транзистор , работающий в режиме обеднения
abbrmicroel. (со встроенным каналом) Depletion-FET, (со встроенным каналом) Depletion-MIS-Transistor, (со встроенным каналом) Depletion-MISFET, (со встроенным каналом) Feldeffekttransistor des Verarmungstyps, (со встроенным каналом) Transistor vom Verarmungstyp, (со встроенным каналом) Verarmungs-IFET, (со встроенным каналом) Verarmungs-MISFET, (со встроенным каналом) Verarmungstyp-IFETУниверсальный русско-немецкий словарь > МДП-транзистор , работающий в режиме обеднения
-
6 МДП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обеднения
abbrmicroel. p-Kanal-Verarmungs-MISFET, p-Kanal-VerarmungstypУниверсальный русско-немецкий словарь > МДП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обеднения
-
7 МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обеднения
abbrmicroel. p-Kanal-Verarmungs-MISFET, p-Kanal-VerarmungstypУниверсальный русско-немецкий словарь > МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обеднения
-
8 МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения
abbrmicroel. n-Kanal-Depletion-FET, n-Kanal-Depletion-MIS-FET, n-Kanal-Depletion-MISFET, n-Kanal-Verarmungs-IFET, n-Kanal-Verarmungs-MISFET, n-Kanal-VerarmungstypУниверсальный русско-немецкий словарь > МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения
-
9 МДП-транзистор со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения
abbrelectr. Verarmungs-MISFETУниверсальный русско-немецкий словарь > МДП-транзистор со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения
-
10 МОП-прибор в режиме обеднения
abbrmicroel. MOS-Bauelement in Entblößungsmode, MOS-Bauelement in VerarmungsmodeУниверсальный русско-немецкий словарь > МОП-прибор в режиме обеднения
-
11 МОП-транзистор , работающий в режиме обеднения
abbrmicroel. (со встроенным каналом) Depletion-MOSFET, (во встроенным каналом) Verarmungs-MOSFETУниверсальный русско-немецкий словарь > МОП-транзистор , работающий в режиме обеднения
-
12 МОП-транзистор в режиме обеднения с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки
abbrmicroel. Verarmungslast-MOSFETУниверсальный русско-немецкий словарь > МОП-транзистор в режиме обеднения с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки
-
13 МОП-транзистор с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки, работающий в режиме обеднения
Универсальный русско-немецкий словарь > МОП-транзистор с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки, работающий в режиме обеднения
-
14 МОП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обеднения
abbrelectr. p-Kanal-Verarmungs-MOSFETУниверсальный русско-немецкий словарь > МОП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обеднения
-
15 МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обеднения
abbrmicroel. p-Kanal-Verarmung-MOS-FETУниверсальный русско-немецкий словарь > МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обеднения
-
16 МОП-транзистор со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения
abbrelectr. Verarmungs-MOSFETУниверсальный русско-немецкий словарь > МОП-транзистор со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения
-
17 МОП-транзистор, работающий в режиме глубокого обеднения
abbrmicroel. Deep-Depletion-MOS-TransistorУниверсальный русско-немецкий словарь > МОП-транзистор, работающий в режиме глубокого обеднения
-
18 МОП-транзистор, работающий в режиме обеднения
abbrmicroel. MOS-Transistor vom Verarmungstyp, MOSFET vom VerarmungstypУниверсальный русско-немецкий словарь > МОП-транзистор, работающий в режиме обеднения
-
19 граничный слой обеднения
adjmicroel. VerarmungsrandschichtУниверсальный русско-немецкий словарь > граничный слой обеднения
-
20 зона обеднения
nmicroel. Verarmungsbereich, Verarmungszone
См. также в других словарях:
Обеднения побуждений синдром — угасание побуждений при повреждении конвекситатных областей лобной коры … Энциклопедический словарь по психологии и педагогике
ЗАКОН ОБЕДНЕНИЯ РАЗНОРОДНОГО ЖИВОГО ВЕЩЕСТВА В ОСТРОВНЫХ ЕГО СГУЩЕНИЯХ — открытый Г. Ф. Хильми (1966) закон, согласно которому индивидуальная система, работающая в среде с уровнем организации более низким, чем уровень общей системы, обречена на вымирание. Таким образом, постепенно теряя свою структуру, система через… … Экологический словарь
работа в режиме обеднения — veikimas nuskurdintoje būsenoje statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. depletion mode operation vok. Betrieb mit Ladungsträgerausräumung, m rus. работа в режиме обеднения, f pranc. opération en mode à déplétion, f … Radioelektronikos terminų žodynas
МОП-структура на транзисторах, работающих в режимах обогащения и обеднения — praturtintosios ir nuskurdintosios veikos MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. enhancement/depletion MOS; enhancement/depletion MOS structure vok. Enhancement/Depletion MOS Struktur, f; MOS Struktur des Anreicherungs… … Radioelektronikos terminų žodynas
полевой транзистор, работающий в режиме обеднения — nuskurdintosios veikos lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. depletion mode FET; depletion mode field effect transistor; depletion type field effect transistor vok. Feldeffekttransistor des Verarmungstyps, m;… … Radioelektronikos terminų žodynas
МОП-транзистор, работающий в режиме обеднения — nuskurdintosios veikos MOP tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. depletion MOS transistor vok. MOS Transistor im Verarmungsbetrieb, m rus. МОП транзистор, работающий в режиме обеднения, m pranc. transistor MOS à… … Radioelektronikos terminų žodynas
полевой транзистор с барьером Шотки, работающий в режиме обеднения — nuskurdintosios veikos Šotkio lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. depletion metal Schottky field effect transistor vok. Schottky Feldeffekttransistor im Verarmungsbetrieb, m rus. полевой транзистор с барьером … Radioelektronikos terminų žodynas
режим обеднения — nuskurdintoji veika statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. depletion mode vok. Verarmungsbetrieb, m; Verarmungsmodus, m rus. режим обеднения, m pranc. mode à déplétion, m … Radioelektronikos terminų žodynas
микросхема на полевых транзисторах, работающих в режиме обеднения — integrinis nuskurdintosios veikos grandynas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. depletion mode integrated circuit vok. integrierter Schaltkreis vom Verarmungstyp, m rus. микросхема на полевых транзисторах, работающих в режиме… … Radioelektronikos terminų žodynas
коэффициент обеднения — (напр. ионита, ядерного топлива) [А.С.Гольдберг. Англо русский энергетический словарь. 2006 г.] Тематики энергетика в целом EN depletion factor … Справочник технического переводчика
полевой транзистор, работающий в режиме обеднения — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.] Тематики электротехника, основные понятия EN depletion type field effect transistor … Справочник технического переводчика