-
81 defect centers
Макаров: примесный центры (в полупроводниках) -
82 depletion layer
1) Техника: барьерный слой, обеднённая область2) Сельское хозяйство: истощённый (выпаханный) слой (почвы)3) Металлургия: обеднённый слой4) Вычислительная техника: запирающий слой5) Космонавтика: израсходование запаса топлива6) Экология: истощённый слой7) Макаров: обедненный слой (в полупроводниках)8) Электротехника: обеднённый слой -
83 donor center
1) Медицина: донорский пункт2) Техника: донорный центр (в полупроводниках)3) Электроника: донорный примесный центр4) Макаров: донор -
84 electron conduction
1) Техника: электронная проводимость, электропроводность n-типа2) Физика: электронная электропроводность3) Автоматика: электронная проводимость (в полупроводниках) -
85 emitter follower
1) Техника: эмиттерный повторитель2) Вычислительная техника: эммитерный повторитель3) Космонавтика: катодный повторитель на полупроводниках -
86 energy band
1) Техника: энергетическая зона, энергетическая полоса2) Автоматика: энергетическая зона (в полупроводниках)3) Макаров: энергетическая область -
87 enriched layer
1) Техника: обогащённый слой2) Сельское хозяйство: обогащённый слой (почвы)3) Макаров: обогащённый слой (в полупроводниках) -
88 gap gradient
1) Техника: градиент ширины запрещённой зоны (в полупроводниках)2) Макаров: градиент ширины запрещённой зоны (в полупроводнике) -
89 hole conduction
1) Техника: дырочная проводимость, электропроводность p -типа2) Электроника: дырочная электропроводность3) Микроэлектроника: электропроводность p-типа4) Автоматика: дырочная проводимость (в полупроводниках)5) Макаров: дырочная проводимость (процесс переноса заряда) -
90 hole gas
Макаров: дырочный газ (в полупроводниках) -
91 importance of selenium and tellurium, in particular in proteins, semiconductors (etc.)
Макаров: важность селена и теллура, в особенности, в белках, полупроводниках, фотоэлектрических преобразователях (и т.д.)Универсальный англо-русский словарь > importance of selenium and tellurium, in particular in proteins, semiconductors (etc.)
-
92 impurity center
Техника: примесный центр (в полупроводниках) -
93 impurity diffusion
1) Техника: диффузия примеси2) Макаров: диффузия примесей в полупроводниках, примесная диффузия -
94 inhibition effect
1) Нефтепромысловый: эффект ингибирования2) Электрохимия: ингибиторный эффект, эффект гашения (в полупроводниках), эффект замедления -
95 inhibitor effect
1) Металлургия: антикоррозионное действие, торможение, эффект замедления2) Электрохимия: ингибиторный эффект, эффект гашения (в полупроводниках) -
96 inversion layer
1) Техника: обращённый слой (в полупроводниках)2) Космонавтика: инверсионный слой тропосферы3) Экология: температурная инверсия4) Бытовая техника: инверсионный слой5) Автоматика: инверсный слой -
97 isoelectronic traps
-
98 laser utilizing hot holes in semiconductors
Универсальный англо-русский словарь > laser utilizing hot holes in semiconductors
-
99 lattice arrangement
Автоматика: структурная решётка (в полупроводниках) -
100 magnetointernal field emission
Универсальный англо-русский словарь > magnetointernal field emission
См. также в других словарях:
КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ — неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении электрич. тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом или через контакт двух различных полупроводников (гетеропереход )либо через границу двух областей одного и того … Физическая энциклопедия
Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках — Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках, исчезновение пары электрон проводимости ‒ дырка в результате перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону. Избыток энергии может выделяться в виде излучения (излучательная Р.).… … Большая советская энциклопедия
время восстановления запорного слоя (в полупроводниках) — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.] Тематики электротехника, основные понятия EN reverse recovery time … Справочник технического переводчика
рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках — [hole electron recombination in semiconductors] исчезновение пары электронной проводимости дырка в результате перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону. Различают излучательную рекомбинацию (избыток энергии выделяется в виде… … Энциклопедический словарь по металлургии
легирование (в полупроводниках) — легирование Введение легирующей добавки в полупроводник для изменения его электрических свойств путем создания концентрации носителей n типа или p типа. Легирование обычно выполняется с помощью процессов диффузии или ионной имплантации.… … Справочник технического переводчика
полупроводники — ов; мн. (ед. полупроводник, а; м.). Физ. Вещества, которые по электропроводности занимают промежуточное место между проводниками и изоляторами. Свойства полупроводников. Производство полупроводников. // Электрические приборы и устройства,… … Энциклопедический словарь
АКУСТОЭЛЕКТРОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ — (АЭВ), вз ствие УЗ волн (с частотой =107 1013 Гц) с эл нами проводимости в металлах и ПП; обусловлено изменением внутрикристаллического поля, при деформации решётки кристалла под действием распространяющейся УЗ волны. АЭВ явл. частным случаем… … Физическая энциклопедия
ЗОННАЯ ТЕОРИЯ — твёрдых тел, квантовая теория энергетич. спектра эл нов в кристалле, согласно к рой этот спектр состоит из чередующихся зон (полос) разрешённых и запрещённых энергий. З. т. объясняет ряд св в и явлений в кристалле, в частности разл. хар р… … Физическая энциклопедия
ЭКСИТОН — (от лат. excito возбуждаю), квазичастица, соответствующая электронному возбуждению в кристалле диэлектрика или ПП, мигрирующему по кристаллу, но не связанному с переносом электрич. заряда и массы. Представление об Э. введено в 1931 Я. И.… … Физическая энциклопедия
РАССЕЯНИЕ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — в кристаллич. твёрдых телах процесс взаимодействия электрона проводимости (дырки) с нарушениями идеальной периодичности кристалла, сопровождающийся переходом электрона из состояния с импульсом p в состояние с импульсом Рассеяние наз. упругим,… … Физическая энциклопедия
ПЛАЗМА ТВЁРДЫХ ТЕЛ — условный термин, означающий совокупность подвижных заряженных ч ц в тв. проводниках (эл нов проводимости в металлах или эл нов и дырок в полупроводниках) в таких условиях, когда их св ва близки к св вам газоразрядной плазмы. Это позволяет… … Физическая энциклопедия