микросхемы

  Integrated Circuit Layout

 (IC Layout, IC Mask Layout, Mask Design)

 Топология интегральной микросхемы

  Зафиксированное на материальном носителе пространственно-геометрическое расположение совокупности элементов интегральной микросхемы и связей между ними.

chip

Сокращение: ТИМС (патент.)

 

интегральные схемы
микросхемы
микросхемотехника
—
[Л.Г.Суменко. Англо-русский словарь по информационным технологиям. М.: ГП ЦНИИС, 2003.]

Тематики

• информационные технологии в целом

Синонимы

• микросхемы
• микросхемотехника

EN

• microcircuitry

 

микросхемотехника
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва]

Тематики

• электротехника, основные понятия

EN

• microcircuitry

 

микросхемы
интегральные схемы
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва]

Тематики

• электротехника, основные понятия

Синонимы

• интегральные схемы

EN

• microcircuitry

1. capacitor-transistor micro logic - транзисторно-ёмкостные логические микросхемы;

2. complementary transistor micro logic - комплементарные транзисторные логические микросхемы; логические микросхемы на дополняющих транзисторах; логические микросхемы на комплементарных транзисторах

 

быстродействие оптического дефлектора
быстродействие дефлектора
Время, необходимое для перемещения оптическим дефлектором пучка лазерного излучения из одного заданного положения в другое.
[ ГОСТ 15093-90] 

Тематики

• лазерное оборудование

Синонимы

• быстродействие дефлектора

EN

• access time

 

время выборки данных
Интервал времени между началом операции считывания и выдачей считанных данных из запоминающего устройства.
[ ГОСТ 25492-82]

Тематики

• устройства цифр. выч. машин запоминающие

EN

• access time

 

время выборки интегральной микросхемы
время выборки
Интервал времени между подачей на вход интегральной микросхемы заданного сигнала и получением на выходе сигнала информации при условии, что все остальные необходимые сигналы поданы.
Обозначение
tв
tA
[ ГОСТ 19480-89]

Тематики

• микросхемы

Синонимы

• время выборки

EN

• access time

FR

• temps d’accès

 

время доступа
Время, отсчитываемое от момента запроса информации до момента, когда доставка завершена.
[ http://www.morepc.ru/dict/]

время доступа
1. Время установления соединения, определяемое от момента начала передачи запроса до получения ответа или квитанции.
2. Промежуток времени, необходимый для поиска файла или программы в основном или вспомогательном источнике информации.
[Л.М. Невдяев. Телекоммуникационные технологии. Англо-русский толковый словарь-справочник. Под редакцией Ю.М. Горностаева. Москва, 2002]

Тематики

• информационные технологии в целом

EN

• access time

 

время доступа (обращения)
Интервал времени между моментом выдачи команды на ввод-вывод данных и моментом начала обмена.
[Домарев В.В. Безопасность информационных технологий. Системный подход.]

Тематики

• защита информации

EN

• access time

 

время обращения
Общее время между моментом выдачи команды обращения к ЗУ и получением ответного сигнала.
[Л.М. Невдяев. Телекоммуникационные технологии. Англо-русский толковый словарь-справочник. Под редакцией Ю.М. Горностаева. Москва, 2002]

Тематики

• электросвязь, основные понятия

EN

• access time

28. Время выборки данных

Access time

Интервал времени между началом операции считывания и выдачей считанных данных из запоминающего устройства

Источник: ГОСТ 25492-82: Устройства цифровых вычислительных машин запоминающие. Термины и определения оригинал документа

 

время восстановления
-
[Лугинский Я. Н. и др. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике. 2-е издание - М.: РУССО, 1995 - 616 с.]

Тематики

• электротехника, основные понятия

EN

• build-up time
• building-up time
• rise time

 

время нарастания
—
[ http://www.iks-media.ru/glossary/index.html?glossid=2400324]

время нарастания
-
[Лугинский Я. Н. и др. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике. 2-е издание - М.: РУССО, 1995 - 616 с.]

Тематики

• электросвязь, основные понятия
• электротехника, основные понятия

EN

• build-up time
• building-up time
• rise time

 

время нарастания (вторичного напряжения)
Время в микросекундах, необходимое для нарастания вторичного напряжения от одного определенного значения до другого при заданных условиях.
[ ГОСТ 28772-90]

Тематики

• системы зажигания автомоб. двигат.

EN

• rise time

FR

• temps de montée en tension

 

время нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время нарастания
t_нр
t_r
Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 10 до 90% своего максимального значения.
[ ГОСТ 27299-87]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей

Синонимы

• время нарастания

EN

• rise time

 

время нарастания для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды.
Обозначение
t_нр
t_к
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• rise time

DE

• Anstiegszeit

FR

• temps de croissance

 

время нарастания для полевого транзистора
время нарастания
Интервал времени между 10%-ным и 90%-ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора.
Обозначение
t_нр
t_r
[ ГОСТ 19095-73] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

Синонимы

• время нарастания

EN

• rise time

DE

• Anstiegszeit

FR

• temps de croissance

 

время нарастания сигнала интегральной микросхемы
время нарастания сигнала
Интервал времени нарастания сигнала от уровня 0,1 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала.
Обозначение
t_нар
t_r
[ ГОСТ 19480-89]

Тематики

• микросхемы

Синонимы

• время нарастания сигнала

EN

• rise time

FR

• temps de croissance

 

время нарастания тиристора
Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
t_у,пнр, t_нр
t_gr, t_r
Примечание
Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии.
[ ГОСТ 20332-84] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• rise time

FR

• temps de croissance

 

время подъёма
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]

Тематики

• электротехника, основные понятия

EN

• rise time

 

время подъёма мощности
(напр. ядерного реактора)
[А.С.Гольдберг. Англо-русский энергетический словарь. 2006 г.]

Тематики

• энергетика в целом

EN

• rise time

 

длительность переднего фронта импульса
время нарастания импульса
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]

Тематики

• электротехника, основные понятия

Синонимы

• время нарастания импульса

EN

• leading edge pulse time
• leading edge time
• pulse leading-edge time
• pulse rise time
• rise time

3.16 время нарастания (rise time): Промежуток времени между моментами, когда мгновенное значение импульса достигает установленных низкого и высокого предельных значений.

Примечание - Если не установлены иные значения, в качестве низкого и высокого предельных значений принимают 0,1 и 0,9 пикового значения импульса.

Источник: ГОСТ Р 51317.4.2-2010: Совместимость технических средств электромагнитная. Устойчивость к электростатическим разрядам. Требования и методы испытаний оригинал документа

112. Время нарастания тиристора

E. Rise time

F. Temps de croissance

t_у,пнр, t_нр

Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением.

Примечание. Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии

Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

27. Время нарастания импульса излучения полупроводникового излучателя

Время нарастания импульса

Rise time

t_нр.из

Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 10 до 90 % своего максимального значения

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

47. Время нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)

Время нарастания

Rise time

t_нр

Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 10 до 90 % своего максимального значения

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

37. Время нарастания для биполярного транзистора

D. Anstiegszeit

E. Rise time

F. Temps de croissance

t_нр

Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

 

время восстановления по напряжению интегральной микросхемы
время восстановления по напряжению
Интервал времени от момента ступенчатого изменения входного напряжения интегральной микросхемы до момента, когда значение выходного напряжения в последний раз входит в заданный интервал выходных напряжений, содержащий в себе конечное значение.
Обозначение
t_восU
t_RU
[ ГОСТ 19480-89]

Тематики

• микросхемы

Синонимы

• время восстановления по напряжению

EN

• input transient voltage recovery time

FR

• temps de recouvrement de la tension transitoire á l’entrée

 

время восстановления по току интегральной микросхемы
время восстановления по току
Интервал времени от момента ступенчатого изменения выходного тока интегральной микросхемы до момента, когда значение выходного напряжения в последний раз входит в заданный интервал выходных напряжений, содержащих в себе конечное значение.
Обозначение
t_восI
t_RI
[ ГОСТ 19480-89]

Тематики

• микросхемы

Синонимы

• время восстановления по току

EN

• input transient current recovery time

FR

• temps de recouvrement du courant transitoire á l’entrée

 

время задержки
—
[Интент]

Параллельные тексты EN-RU

The relay remains energized for the duration of the timer.
[Schneider Electric]

Реле остается включенным до истечения времени задержки.
[Перевод Интент]

Тематики

• электротехника, основные понятия

EN

• delay period
• delay time
• TD
• time delay

 

время задержки включения высокого напряжения прибора СВЧ
время задержки
t_з
Интервал времени между моментом включения номинального напряжения накала до момента включения высокого напряжения в приборе СВЧ.
[ ГОСТ 23769-79]

Тематики

• приборы и устройства защитные СВЧ

Синонимы

• время задержки

EN

• delay time

 

время задержки для биполярного транзистора
Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды.
Обозначение
t_зд
t_d
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• delay time

DE

• Verzögerungszeit

FR

• retard à la croissance

 

время задержки импульса интегральной микросхемы
время задержки
Интервал времени между нарастаниями входного и выходного импульсов интегральной микросхемы, измеренный на уровне 0,1 или на заданном уровне напряжения или тока.
Обозначение
t_зд
t_d
[ ГОСТ 19480-89]

Тематики

• микросхемы

Синонимы

• время задержки

EN

• delay time

FR

• temps de délai

 

время задержки модуля (блока) СВЧ
время задержки
t_з
Интервал времени с момента подачи сигнала на вход модуля (блока) СВЧ до момента появления сигнала на его выходе, определяемый на одинаковых относительных уровнях сигналов.
[ ГОСТ 23221-78]

Тематики

• компоненты техники связи

Обобщающие термины

• модули СВЧ, блоки СВЧ
• параметры

Синонимы

• время задержки

EN

• delay time

 

время задержки оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время задержки
t_зд
t_d
Интервал времени между 10% значения входного сигнала и 10% значения выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренными по фронту импульсов.
[ ГОСТ 27299-87]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей

Синонимы

• время задержки

EN

• delay time

 

время задержки тиристора
Интервал времени между заданным моментом в начале импульса отпирающего тока управления тиристора или импульса отпирающего напряжения тиристора и моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению при включении тиристора отпирающим током управления или переключением импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
t_у,зд, t_зд
t_gd, t_d
Примечание
Время задержки может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения.
[ ГОСТ 20332-84] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• delay time

FR

• retard à la croissance

3.11 продолжительность выдержки (delay time): Время определения аналитическим контрольно-измерительным прибором появления химического вещества на внутренней стороне образца для испытания.

Источник: ГОСТ Р ЕН 374-2009: Система стандартов безопасности труда. Средства индивидуальной защиты рук. Перчатки, защищающие от химикатов и микроорганизмов. Общие технические требования. Методы испытаний

111. Время задержки тиристора

E. Delay time

F. Retard à la croissance

t_у,зд, t_зд

Интервал времени между заданным моментом в начале импульса отпирающего тока управления тиристора или импульса отпирающего напряжения тиристора и моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению при включении тиристора отпирающим током управления или переключением импульсным отпирающим напряжением.

Примечание. Время задержки может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения

Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

46. Время задержки оптопары (оптоэлектронного коммутатора)

Время задержки

Delay time

t_зд

Интервал времени между 10 % значения входного сигнала и 10 % значения выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренными по фронту импульсов

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

36. Время задержки для биполярного транзистора

D. Verzögerungszeit

E. Delay time

F. Retard à la croissance

t_зд

Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

209. Время задержки включения высокого напряжения прибора СВЧ

Время задержки

Delay time

t_з

Интервал времени между моментом включения номинального напряжения накала до момента включения высокого напряжения в приборе СВЧ

Источник: ГОСТ 23769-79: Приборы электронные и устройства защитные СВЧ. Термины, определения и буквенные обозначения оригинал документа

 

время регенерации интегральной микросхемы
время регенерации
Интервал времени между началом последовательных сигналов, предназначенных для восстановления уровня в ячейке динамической интегральной микросхемы до его первоначального значения.
Обозначение
t_рег
t_REF
[ ГОСТ 19480-89]

Тематики

• микросхемы

Синонимы

• время регенерации

EN

• refresh time interval

FR

• intervalle de temps de rafraîchissement

 

время спада
время затухания
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]

Тематики

• электротехника, основные понятия

Синонимы

• время затухания

EN

• decay time
• fall time

 

время спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время спада
t_сп
t_f
Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 90 до 10% своего максимального значения.
[ ГОСТ 27299-87]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей

Синонимы

• время спада

EN

• fall time

 

время спада для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды.
Обозначение
t_сп
t_f
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• fall time

DE

• Abfallzeit

FR

• temps de décroissance

 

время спада для полевого транзистора
время спада
Интервал времени между 90%-ным и 10%-ным значениями амплитуды среза выходного импульса при выключении транзистора.
Обозначение
t_сп
t_f
[ ГОСТ 19095-73] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

Синонимы

• время спада

EN

• fall time

DE

• Abfallzeit

FR

• temps de décroissance

 

время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
время спада импульса
t_сп.из
t_f
Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10% своего максимального значения.
[ ГОСТ 27299-87]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• параметры полупроводниковых излучателей

Синонимы

• время спада импульса

EN

• fall time

 

время спада сигнала интегральной микросхемы
время спада сигнала
Интервал времени спада сигнала от уровня 0,9 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала.
Обозначение
t_сп
t_f
[ ГОСТ 19480-89]

Тематики

• микросхемы

Синонимы

• время спада сигнала

EN

• fall time

FR

• temps de décroissance

 

время среза (заднего фронта) импульса
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]

Тематики

• электротехника, основные понятия

EN

• fall time

28. Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя

Время спада импульса

Fall time

t_сп.из

Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

49. Время спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)

Время спада

Fall time

t_сп

Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

39. Время спада для биполярного транзистора

D. Abfallzeit

E. Fall time

F. Temps de décroissance

t_сп

Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

 

время успокоения интегральной микросхемы
время успокоения
Интервал времени с момента достижения выходным напряжением интегральной микросхемы уровня 0,9 до момента последнего пересечения выходным напряжением заданного уровня.
Обозначение
t_усп
t_rip
[ ГОСТ 19480-89]

Тематики

• микросхемы

Синонимы

• время успокоения

EN

• ripple time

FR

• temps de vacillement