-
1 МДП-технология
abbrmicroel. MIS-Technik -
2 МДП-технология
-
3 V-МДП-технология
-
4 технология ИС на однотипных МДП-транзисторах
nmicroel. Einkanaltechnik (с каналом или n-типа, или р-типа)Универсальный русско-немецкий словарь > технология ИС на однотипных МДП-транзисторах
-
5 технология МДП ИС с V-образными изолирующими канавками
Универсальный русско-немецкий словарь > технология МДП ИС с V-образными изолирующими канавками
-
6 технология МДП ИС с защитным оксидным слоем на поверхности подложки
nmicroel. PLANOX-Maskentechnologie, PLANOX-VerfahrenУниверсальный русско-немецкий словарь > технология МДП ИС с защитным оксидным слоем на поверхности подложки
-
7 технология МДП ИС с применением метода двойной диффузии
nmicroel. DMIS-Technik, DMIS-VerfahrenУниверсальный русско-немецкий словарь > технология МДП ИС с применением метода двойной диффузии
-
8 технология МДП-транзисторных ИС с металлическим затвором
nmicroel. Metall-Tor-Technologie, MetalltortechnikУниверсальный русско-немецкий словарь > технология МДП-транзисторных ИС с металлическим затвором
-
9 технология МДП-транзисторных ИС с самосовмещёнными затворами из тугоплавких металлов
nmicroel. R/MIS-Verfahren, RMIS-Technik, RMIS-VerfahrenУниверсальный русско-немецкий словарь > технология МДП-транзисторных ИС с самосовмещёнными затворами из тугоплавких металлов
-
10 технология МДП-транзисторных или биполярных ИС с V-образными канавками
nmicroel. (изготовления)(изолирующими) V-ATE-Verfahren, (изготовления)(изолирующими) VATE-TechnikУниверсальный русско-немецкий словарь > технология МДП-транзисторных или биполярных ИС с V-образными канавками
-
11 технология МДП-транзисторов с самосовмещёнными затворами из тугоплавких металлов
nmicroel. R/MIS-Verfahren, RMIS-Technik, RMIS-VerfahrenУниверсальный русско-немецкий словарь > технология МДП-транзисторов с самосовмещёнными затворами из тугоплавких металлов
-
12 технология двухдиффузиОнных МДП-структур
nelectr. Double diffusion MISУниверсальный русско-немецкий словарь > технология двухдиффузиОнных МДП-структур
-
13 технология двухдиффузионных МДП-структур
nelectr. Double diffusion MISУниверсальный русско-немецкий словарь > технология двухдиффузионных МДП-структур
См. также в других словарях:
Леговец, Курт — Курт Леговец Kurt Lehovec Дата рождения: 12 июня 1918(1918 06 12) Место рождения: Ледвице … Википедия
ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА — твердотельное устройство, содержащее группу приборов и их соединения (связи), выполненное на единой пластине (подложке). В И. с. интегрируются пассивные элементы (ёмкости, сопротивления) и активные элементы, действие к рых основано на разл. физ.… … Физическая энциклопедия
ПАМЯТИ УСТРОЙСТВА — (запоминающиеустройства) в вычислит. технике (см. Электронная вычислительная машина )устройства для записи, хранения и воспроизведения информации. В качественосителя информации может выступать физ. сигнал, распространяющийся в среде … Физическая энциклопедия
Полевой транзистор — Полевой транзистор (англ. field effect transistor, FET) полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе… … Википедия
Эффект поля — в МОП структуре Эффект поля (англ. Field effect) в широком смысле состоит в управлении эле … Википедия
МИКРОЭЛЕКТРОНИКА — область электроники, охватывающая проблемы создания электронных устройств в микроминиатюрном интегральном исполнении. В М. используются различные св ва тв. тела, особенно полупроводников, для создания функциональных блоков и узлов, связанных… … Физическая энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие к рых основано на свойствах полупроводников, однородных (табл. 1) и неоднородных, содержащих p n переходы (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД) и гетеропереходы (табл. 2, 3). В П. п. используются разл.… … Физическая энциклопедия
Полевой транзистор — канальный транзистор, полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в П. т. рабочего тока обусловлено носителями заряда… … Большая советская энциклопедия
большая интегральная схема — (БИС), сложная интегральная схема с большой степенью интеграции. БИС создают методами планарной технологии (от английского planar – плоский, ровный) путём формирования их элементов с одной (рабочей) стороны полупроводниковой пластины (подложки).… … Энциклопедия техники
Транзистор — Дискретные транзисторы в различном конструктивном оформлении … Википедия
КР580ВМ80А — Центральный процессор … Википедия