-
1 p-n-переход с одинаковой степенью легирования на обеих сторонах
nmicroel. symmetrischer pn-Struktur, symmetrischer pn-Ubergang, symmetrischer ÜbergangУниверсальный русско-немецкий словарь > p-n-переход с одинаковой степенью легирования на обеих сторонах
-
2 МОП-структура, полученная методом двойного ионного легирования
abbrmicroel. DIMOS, Double-Implanted MOSУниверсальный русско-немецкий словарь > МОП-структура, полученная методом двойного ионного легирования
-
3 МОП-транзистор, изготовленный с применением метода двойного ионного легирования
abbrmicroel. DIMOS, Double-Implanted MOSУниверсальный русско-немецкий словарь > МОП-транзистор, изготовленный с применением метода двойного ионного легирования
-
4 глубина легирования
nmicroel. Dotierungstiefe -
5 градиент легирования
nmicroel. Dotierungsgradient, VerunreinigungsgradientУниверсальный русско-немецкий словарь > градиент легирования
-
6 доза легирования
nmicroel. Dotierungsdosis, Legierungsdosis -
7 зона легирования
nmicroel. Dotierungsbereich, Dotierungsgebiet -
8 коэффициент легирования
nmicroel. Dop-Faktor, Dotierungsfaktor, DotierungsgradУниверсальный русско-немецкий словарь > коэффициент легирования
-
9 метод газового легирования
nmicroel. Gasphasendotierung, GasphasendotierungsverfahrenУниверсальный русско-немецкий словарь > метод газового легирования
-
10 метод ионного легирования
nelectr. ImplantationsverfahrenУниверсальный русско-немецкий словарь > метод ионного легирования
-
11 метод легирования
nmicroel. Dotierungsverfahren, Legierungsverfahren -
12 переход с одинаковой степенью легирования на обеих сторонах
nmicroel. symmetrischer ÜbergangУниверсальный русско-немецкий словарь > переход с одинаковой степенью легирования на обеих сторонах
-
13 печь для легирования
nmicroel. LegierungsofenУниверсальный русско-немецкий словарь > печь для легирования
-
14 полевой транзистор с модулируемым уровнем легирования
adjmicroel. MODFET, Modulation-Doped FET, modulationsdotierter FeldeffekttransistorУниверсальный русско-немецкий словарь > полевой транзистор с модулируемым уровнем легирования
-
15 полевой транзистор с регулируемым уровнем легирования
adjmicroel. MODFET, Modulation-Doped FET, modulationsdotierter FeldeffekttransistorУниверсальный русско-немецкий словарь > полевой транзистор с регулируемым уровнем легирования
-
16 предельный уровень легирования
adjmicroel. GrenzdotierungsniveauУниверсальный русско-немецкий словарь > предельный уровень легирования
-
17 профиль легирования
nelectr. Dotierungsprofil -
18 регулирование уровня легирования
nmicroel. ModulationsdotierungУниверсальный русско-немецкий словарь > регулирование уровня легирования
-
19 сверхрешётка с модулируемым уровнем легирования
nmicroel. modulationsdotiertes ÜbergitterУниверсальный русско-немецкий словарь > сверхрешётка с модулируемым уровнем легирования
-
20 сверхрешётка с регулируемым уровнем легирования
nmicroel. modulationsdotiertes ÜbergitterУниверсальный русско-немецкий словарь > сверхрешётка с регулируемым уровнем легирования
См. также в других словарях:
Покрытия, полученные способом электроискрового легирования — 2.6. Покрытия, полученные способом электроискрового легирования 2.6.1. По внешнему виду покрытие должно быть сплошным, равномерного цвета, без инородных включений, без трещин, сколов, отслоений, вспучиваний. 2.6.2. Толщина покрытия должна… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
СТЕПЕНЬ ЛЕГИРОВАНИЯ СПЛАВА — суммарное содержание легирующих компонентов в сплаве, %, массовая доля. При указании степени легирования сплавов, например стали и чугуна, углерод не учитывают. Точно так же не учитывают содержание цинка в легированной латуни и т. д … Металлургический словарь
уменьшение уровня легирования бором — legiravimo lygio mažinimas boru statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. boron depletion vok. Borverarmung, f rus. уменьшение уровня легирования бором, n pranc. déplétion de dopage par bore, f … Radioelektronikos terminų žodynas
окно в маске для проведения легирования — legiravimo kaukės langelis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. doping mask window vok. Diffusionsfenster, n; Diffusionsmaskenfenster, n rus. окно в маске для проведения легирования, n pranc. fenêtre de diffusion au masque, f … Radioelektronikos terminų žodynas
установка для легирования — legiravimo įrenginys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. doper vok. Dotieranlage, f rus. установка для легирования, f pranc. installation à doper, f … Radioelektronikos terminų žodynas
плотность легирования — legiravimo tankis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. doping density vok. Dotierungsdichte, f rus. плотность легирования, f pranc. densité de dopage, f … Radioelektronikos terminų žodynas
уровень легирования — legiravimo lygis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. doping level vok. Dotierungsgrad, m rus. уровень легирования, n pranc. degré de dopage, m; niveau de dopage, m … Radioelektronikos terminų žodynas
профиль легирования — legiravimo profilis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. doping profile vok. Dotierungsprofil, n rus. профиль легирования, m pranc. profil de dopage, m … Radioelektronikos terminų žodynas
установка ионного легирования — jonų implantatorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. implanter; ion implanter vok. Implantationsanlage, f; Ionenimplantationsanlage, f rus. установка для ионной имплантации, f; установка ионного легирования, f pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
жидкий источник для легирования — skystasis legiravimo šaltinis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. liquid dopant source vok. flüssige Dotantenquelle, f rus. жидкий источник для легирования, m pranc. dopant liquide, m … Radioelektronikos terminų žodynas
переход между областями с разным уровнем легирования — stipriai ir silpnai legiruotų sričių sandūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high low junction vok. Übergang zwischen Bereichen mit verschiedenem Legierungsgrad, m rus. переход между областями с разным уровнем легирования, m … Radioelektronikos terminų žodynas