-
1 степень легирования
степень легированияступень легіраванняРусско-белорусский словарь математических, физических и технических терминов > степень легирования
-
2 геттерирование методом ионного легирования
1) Engineering: implantation gettering2) Microelectronics: ion implantation getteringУниверсальный русско-английский словарь > геттерирование методом ионного легирования
-
3 глубина легирования
1) Microelectronics: doping depth2) Automation: alloying depthУниверсальный русско-английский словарь > глубина легирования
-
4 диод из материала со сверхкритическим уровнем легирования
Electronics: overcritically doped diodeУниверсальный русско-английский словарь > диод из материала со сверхкритическим уровнем легирования
-
5 золото, упрочнённое в результате легирования медью
Makarov: copper-hardened goldУниверсальный русско-английский словарь > золото, упрочнённое в результате легирования медью
-
6 золото, упрочнённое путём легирования медью
Metallurgy: copper-hardened goldУниверсальный русско-английский словарь > золото, упрочнённое путём легирования медью
-
7 зона легирования с переплавом поверхностных слоёв
Automation: alloyed melt zoneУниверсальный русско-английский словарь > зона легирования с переплавом поверхностных слоёв
-
8 компенсация легирования
Household appliances: doping compensationУниверсальный русско-английский словарь > компенсация легирования
-
9 логическая интегральная схема, изготовленная методом легирования золотом
Engineering: gold-transistor logicУниверсальный русско-английский словарь > логическая интегральная схема, изготовленная методом легирования золотом
-
10 маска для ионного легирования
Information technology: implantation maskУниверсальный русско-английский словарь > маска для ионного легирования
-
11 маска для легирования
Engineering: doping maskУниверсальный русско-английский словарь > маска для легирования
-
12 маска для селективного легирования
Engineering: selective maskУниверсальный русско-английский словарь > маска для селективного легирования
-
13 маскирующий материал для легирования
Microelectronics: dopant masking materialУниверсальный русско-английский словарь > маскирующий материал для легирования
-
14 метод двойного легирования
1) Electronics: double-doping method, double-doping technique2) Microelectronics: double-doped technique3) Automation: double doping method (примесями двух различных типов)Универсальный русско-английский словарь > метод двойного легирования
-
15 метод двукратного легирования
Microbiology: double-doping techniqueУниверсальный русско-английский словарь > метод двукратного легирования
-
16 метод двухкратного легирования
Electronics: double-doping method, double-doping techniqueУниверсальный русско-английский словарь > метод двухкратного легирования
-
17 метод легирования
Solar energy: doping technique -
18 метод легирования донорной примесью
Microelectronics: n-type doping techniqueУниверсальный русско-английский словарь > метод легирования донорной примесью
-
19 метод легирования из газовой фазы
1) Electronics: gas-doping technique2) Makarov: gas-doping technique (пп)Универсальный русско-английский словарь > метод легирования из газовой фазы
-
20 метод легирования из паровой фазы
Electronics: gas-doping techniqueУниверсальный русско-английский словарь > метод легирования из паровой фазы
См. также в других словарях:
Покрытия, полученные способом электроискрового легирования — 2.6. Покрытия, полученные способом электроискрового легирования 2.6.1. По внешнему виду покрытие должно быть сплошным, равномерного цвета, без инородных включений, без трещин, сколов, отслоений, вспучиваний. 2.6.2. Толщина покрытия должна… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
СТЕПЕНЬ ЛЕГИРОВАНИЯ СПЛАВА — суммарное содержание легирующих компонентов в сплаве, %, массовая доля. При указании степени легирования сплавов, например стали и чугуна, углерод не учитывают. Точно так же не учитывают содержание цинка в легированной латуни и т. д … Металлургический словарь
уменьшение уровня легирования бором — legiravimo lygio mažinimas boru statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. boron depletion vok. Borverarmung, f rus. уменьшение уровня легирования бором, n pranc. déplétion de dopage par bore, f … Radioelektronikos terminų žodynas
окно в маске для проведения легирования — legiravimo kaukės langelis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. doping mask window vok. Diffusionsfenster, n; Diffusionsmaskenfenster, n rus. окно в маске для проведения легирования, n pranc. fenêtre de diffusion au masque, f … Radioelektronikos terminų žodynas
установка для легирования — legiravimo įrenginys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. doper vok. Dotieranlage, f rus. установка для легирования, f pranc. installation à doper, f … Radioelektronikos terminų žodynas
плотность легирования — legiravimo tankis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. doping density vok. Dotierungsdichte, f rus. плотность легирования, f pranc. densité de dopage, f … Radioelektronikos terminų žodynas
уровень легирования — legiravimo lygis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. doping level vok. Dotierungsgrad, m rus. уровень легирования, n pranc. degré de dopage, m; niveau de dopage, m … Radioelektronikos terminų žodynas
профиль легирования — legiravimo profilis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. doping profile vok. Dotierungsprofil, n rus. профиль легирования, m pranc. profil de dopage, m … Radioelektronikos terminų žodynas
установка ионного легирования — jonų implantatorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. implanter; ion implanter vok. Implantationsanlage, f; Ionenimplantationsanlage, f rus. установка для ионной имплантации, f; установка ионного легирования, f pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
жидкий источник для легирования — skystasis legiravimo šaltinis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. liquid dopant source vok. flüssige Dotantenquelle, f rus. жидкий источник для легирования, m pranc. dopant liquide, m … Radioelektronikos terminų žodynas
переход между областями с разным уровнем легирования — stipriai ir silpnai legiruotų sričių sandūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high low junction vok. Übergang zwischen Bereichen mit verschiedenem Legierungsgrad, m rus. переход между областями с разным уровнем легирования, m … Radioelektronikos terminų žodynas