-
21 majority-carrier concentration
Электроника: концентрация основных носителейУниверсальный англо-русский словарь > majority-carrier concentration
-
22 majority-carrier density
Электроника: концентрация основных носителейУниверсальный англо-русский словарь > majority-carrier density
-
23 Majoritätsträgerdichte
f электрон.Deutsch-Russische Wörterbuch polytechnischen > Majoritätsträgerdichte
-
24 majority-carrier concentration
фпп концентрация основных носителейEnglish-russian dictionary of physics > majority-carrier concentration
-
25 concentration majoritaire
сущ.Французско-русский универсальный словарь > concentration majoritaire
-
26 Majoritätsladungsträgerdichte
сущ.микроэл. концентрация основных носителейУниверсальный немецко-русский словарь > Majoritätsladungsträgerdichte
-
27 Majoritätsladungsträgerkonzentration
сущ.микроэл. концентрация основных носителейУниверсальный немецко-русский словарь > Majoritätsladungsträgerkonzentration
-
28 Majoritätsträgerdichte
сущ.микроэл. концентрация основных носителей (заряда)Универсальный немецко-русский словарь > Majoritätsträgerdichte
-
29 Majoritätsträgerkonzentration
сущ.микроэл. концентрация основных носителей (заряда)Универсальный немецко-русский словарь > Majoritätsträgerkonzentration
-
30 majority concentration
English-Russian scientific dictionary > majority concentration
-
31 majority equilibrium concentration
English-Russian scientific dictionary > majority equilibrium concentration
-
32 обедненный слой
обедненный слой
Слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда меньше разности концентрации ионизованных доноров и акцепторов.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > обедненный слой
-
33 обогащенный слой
обогащенный слой
Слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда больше разности концентрации ионизованных доноров и акцепторов.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > обогащенный слой
-
34 couche de déplétion
обедненный слой
Слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда меньше разности концентрации ионизованных доноров и акцепторов.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > couche de déplétion
-
35 couche enrichie
обогащенный слой
Слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда больше разности концентрации ионизованных доноров и акцепторов.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > couche enrichie
-
36 Verarmungsschicht
обедненный слой
Слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда меньше разности концентрации ионизованных доноров и акцепторов.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Verarmungsschicht
-
37 Anreicherungsschicht
обогащенный слой
Слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда больше разности концентрации ионизованных доноров и акцепторов.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Anreicherungsschicht
-
38 обедненный слой
обедненный слой
Слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда меньше разности концентрации ионизованных доноров и акцепторов.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
обеднённый слой
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > обедненный слой
-
39 обогащенный слой
обогащенный слой
Слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда больше разности концентрации ионизованных доноров и акцепторов.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > обогащенный слой
-
40 обедненный слой
обедненный слой
Слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда меньше разности концентрации ионизованных доноров и акцепторов.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > обедненный слой
См. также в других словарях:
концентрация основных носителей (электронов) — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.] Тематики электротехника, основные понятия EN majority electron density … Справочник технического переводчика
Концентрация неравновесных носителей заряда полупроводника — 27. Концентрация неравновесных носителей заряда полупроводника Неравновесная концентрация Концентрация носителей заряда в полупроводнике, отличная от равновесной Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
концентрация — 3.4 концентрация: Объемная доля φi(Vi Vtot) компонента i в газовой смеси. Концентрация может быть выражена также в процентах (φi x 102), млн 1 или см3/м3 (φi х 106). При расчете массы компонента в 1 нм3 отработавшего газа концентрация, равная 1… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Концентрация вырождения полупроводника — 40. Концентрация вырождения полупроводника Концентрация вырождения Минимальная концентрация носителей заряда, соответствующая вырождению полупроводника при данной температуре Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Равновесная концентрация носителей заряда полупроводника — 26. Равновесная концентрация носителей заряда полупроводника Равновесная концентрация Концентрация подвижных носителей заряда в полупроводнике в условиях термодинамического равновесия Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Собственная концентрация носителей заряда полупроводника — 25. Собственная концентрация носителей заряда полупроводника Собственная концентрация Концентрация равновесных носителей заряда в собственном полупроводнике Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Диффузионная длина неосновных носителей заряда полупроводника — 33. Диффузионная длина неосновных носителей заряда полупроводника Диффузионная длина Расстояние, на котором в однородном полупроводнике при одномерной диффузии в отсутствие электрического и магнитного полей избыточная концентрация неосновных… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Избыточная концентрация носителей заряда полупроводника — 28. Избыточная концентрация носителей заряда полупроводника Избыточная концентрация Избыток концентрации неравновесных носителей заряда в полупроводнике над концентрацией равновесных носителей заряда Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ — неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении электрич. тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом или через контакт двух различных полупроводников (гетеропереход )либо через границу двух областей одного и того … Физическая энциклопедия
Неосновные носители заряда полупроводника — 16. Неосновные носители заряда полупроводника Неосновные носители Носители заряда, концентрация которых в данном полупроводнике меньше, чем концентрация основных носителей заряда Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации