-
1 концентрация легирующей примеси
nmicroel. Dotantenkonzentration, Dotierstoffkonzentration, Dotierungekonzentration, Dotierungsdichte, DotierungskonzentrationУниверсальный русско-немецкий словарь > концентрация легирующей примеси
-
2 концентрация легирующей примеси
Dotantenkonzentration, Dotierstoffkonzentration, Dotierungsdichte, DotierungskonzentrationRussian-german polytechnic dictionary > концентрация легирующей примеси
-
3 концентрация легирующей примеси в эмиттере
nmicroel. EmitterdotierungУниверсальный русско-немецкий словарь > концентрация легирующей примеси в эмиттере
-
4 концентрация примеси
n1) electr. (легирующей) Dotierung, (легирующей) Störstellendichte, (легирующей) Störstellenkonzentration2) microel. Störstellendichte, Störstellenkonzentration, Verunreinigungsgrad, DotierungУниверсальный русско-немецкий словарь > концентрация примеси
-
5 концентрация примеси в подложке
nmicroel. (легирующей) SubstratdotierungУниверсальный русско-немецкий словарь > концентрация примеси в подложке
-
6 результирующая концентрация примеси
adjmicroel. (легирующей) Nettostörstellendichte, (легирующей) NettostörstellenkonzentrationУниверсальный русско-немецкий словарь > результирующая концентрация примеси
См. также в других словарях:
электронно-дырочный переход — то же, что р n переход. * * * ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД (p n переход, n p переход), переходная область полупроводника (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ), в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости от… … Энциклопедический словарь
Полупроводниковые материалы — Для улучшения этой статьи желательно?: Викифицировать статью. Полупроводниковые материалы вещества с чётко в … Википедия
ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… … Энциклопедия Кольера
ЭЛЕМЕНТАРНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ — (простые полупроводники), химические элементы, простые вещества которых проявляют полупроводниковые свойства (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ). Полупроводниковые свойства проявляют 12 химических элементов, находящихся в средней части Периодической системы Д.… … Энциклопедический словарь
ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ — ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ, нарушения кристаллической структуры, размеры которых во всех трех измерениях сравнимы с одним или несколькими междуатомными расстояниями. Точечный дефект может иметь простую или сложную структуру. Виды точечных дефектов Вакансия … Энциклопедический словарь
Омический контакт — контакт между металлом и полупроводником или двумя полупроводниками, характеризующийся линейной симметричной вольт амперной характеристикой (ВАХ). Если ВАХ является асимметричной и нелинейной, контакт является не омическим а выпрямляющим,… … Википедия
ТЕРМОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ — испускание электронов нагретыми телами (эмиттерами) в вакуум или др. среду. Выйти из тела могут только те электроны, энергия к рых больше энергии покоящегося вне эмиттера электрона (см. Работа выхода). Число таких электронов (обычно это электроны … Физическая энциклопедия
Стабилитрон — У этого термина существуют и другие значения, см. Стабилитрон (значения) … Википедия
ИНДИЯ ФОСФИД — ИНДИЯ ФОСФИД, InP, монокристаллический полупроводниковый материал, относящийся к классу соединений AIIIBV. Монокристаллы фосфида индия имеют наибольшие перспективы широкого промышленного производства и применения после арсенида галлия (см. ГАЛЛИЯ … Энциклопедический словарь
P — n-переход — (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, Зоной p n перехода называется область полупроводника, в которой имеет место… … Википедия
Р — n-переход — p n переход (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости … Википедия