-
61 multifunction device
tunnel effect device — туннельный прибор; туннельный элемент
fail-safe device — безаварийное устройство; надёжный прибор
addressed device — адресуемое устройство; адресуемый прибор
English-Russian dictionary on nuclear energy > multifunction device
-
62 cryoelectronic device
tunnel effect device — туннельный прибор; туннельный элемент
addressed device — адресуемое устройство; адресуемый прибор
voltage-operating device — прибор, управляемый напряжением
The English-Russian dictionary general scientific > cryoelectronic device
-
63 electron-beam device
tunnel effect device — туннельный прибор; туннельный элемент
addressed device — адресуемое устройство; адресуемый прибор
voltage-operating device — прибор, управляемый напряжением
The English-Russian dictionary general scientific > electron-beam device
-
64 package of a semiconductor device
tunnel effect device — туннельный прибор; туннельный элемент
addressed device — адресуемое устройство; адресуемый прибор
voltage-operating device — прибор, управляемый напряжением
The English-Russian dictionary general scientific > package of a semiconductor device
-
65 self-recording device
tunnel effect device — туннельный прибор; туннельный элемент
addressed device — адресуемое устройство; адресуемый прибор
voltage-operating device — прибор, управляемый напряжением
The English-Russian dictionary general scientific > self-recording device
-
66 terminal of a semiconductor device
tunnel effect device — туннельный прибор; туннельный элемент
addressed device — адресуемое устройство; адресуемый прибор
voltage-operating device — прибор, управляемый напряжением
The English-Russian dictionary general scientific > terminal of a semiconductor device
-
67 BINMOS
= bi-NMOS, = bipolar n-channel metal-oxide-semiconductor2) (комбинированная) технология изготовления ИС на-биполярных транзисторах и-МОП-транзисторах с-каналом n-типа -
68 BINMOS
сокр. от bipolar n-channel metal-oxide-semiconductor2) (комбинированная) технология изготовления ИС на биполярных транзисторах и МОП-транзисторах с каналом n-типаThe New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > BINMOS
-
69 bipolar-insulated gate fet ic
English-Russian big polytechnic dictionary > bipolar-insulated gate fet ic
-
70 floating-gate ic
English-Russian big polytechnic dictionary > floating-gate ic
-
71 MOSAIC
1. metal-oxide-semiconductor array integral circuit; MOS array integrated circuit - матричная интегральная схема со структурой "металл-оксид-полупроводник", матричная МОП БИС; матричная БИС на МОП-транзисторах;2. metal-oxide-silicon active integrated circuit - активная интегральная схема со структурой "металл-оксид-кремний";3. mosaic optical self scanned array imaging camera - камера телескопа с самосканирующей решёткой оптических мозаичных приёмников;4. Motorola oxide-isolated self-aligned implanted circuit - технология ионно-имплантированных биполярных интегральных схем с оксидной изоляцией фирмы Моторола -
72 bipolar MOS FET
-
73 BIMOSFET
bipolar MOS FET - МОП ИС на биполярных и полевых транзисторах
См. также в других словарях:
прибор на биполярных и МОП-транзисторах — įtaisas su dvipoliais ir MOP tranzistoriais statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bipolar MOS device vok. Bipolar und MOS Transistor Baustein, m rus. прибор на биполярных и МОП транзисторах, m pranc. dispositif à transistors MOS… … Radioelektronikos terminų žodynas
МОП Структура — (МОП Металл Оксид полупроводник) наиболее широко используемый тип полевых транзисторов. Название МОП является традиционным названием такой структуры. Структура состоит из металла и полупроводника, разделённых слоем оксида SiO2. В общем случае… … Википедия
МОП структура — (МОП Металл Оксид полупроводник) наиболее широко используемый тип полевых транзисторов. Название МОП является традиционным названием такой структуры. Структура состоит из металла и полупроводника, разделённых слоем оксида SiO2. В общем случае… … Википедия
МОП-структура — (металл оксид полупроводник) наиболее широко используемый тип полевых транзисторов. Структура состоит из металла и полупроводника, разделённых слоем оксида кремния SiO2. В общем случае структуру называют МДП (металл … … Википедия
Bipolar-und-MOS-Transistor-Baustein — įtaisas su dvipoliais ir MOP tranzistoriais statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bipolar MOS device vok. Bipolar und MOS Transistor Baustein, m rus. прибор на биполярных и МОП транзисторах, m pranc. dispositif à transistors MOS… … Radioelektronikos terminų žodynas
bipolar-MOS device — įtaisas su dvipoliais ir MOP tranzistoriais statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bipolar MOS device vok. Bipolar und MOS Transistor Baustein, m rus. прибор на биполярных и МОП транзисторах, m pranc. dispositif à transistors MOS… … Radioelektronikos terminų žodynas
dispositif à transistors MOS bipolaires — įtaisas su dvipoliais ir MOP tranzistoriais statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bipolar MOS device vok. Bipolar und MOS Transistor Baustein, m rus. прибор на биполярных и МОП транзисторах, m pranc. dispositif à transistors MOS… … Radioelektronikos terminų žodynas
įtaisas su dvipoliais ir MOP tranzistoriais — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bipolar MOS device vok. Bipolar und MOS Transistor Baustein, m rus. прибор на биполярных и МОП транзисторах, m pranc. dispositif à transistors MOS bipolaires, m … Radioelektronikos terminų žodynas
IGBT — Условное графическое обозначение IGBT. IGBT, БТИЗ (от англ. Insulated gate bipolar transistor … Википедия
Триггер — У этого термина существуют и другие значения, см. Триггер (значения). Триггер (триггерная система) класс электронных устройств, обладающих способностью длительно находиться в одном из двух устойчивых состояний и чередовать их под… … Википедия
Логические элементы — Логические элементы устройства, предназначенные для обработки информации в цифровой форме (последовательности сигналов высокого «1» и низкого «0» уровней в двоичной логике, последовательность «0», «1» и «2» в троичной логике,… … Википедия