-
1 ионное распыление
Русско-английский новый политехнический словарь > ионное распыление
-
2 ионное распыление
1) Engineering: ion sputtering, ion-beam sputtering2) Makarov: ionic sputtering -
3 ионное распыление
sputtering by ion bombardment, ion sputtering -
4 ионное распыление
Русско-английский словарь по микроэлектронике > ионное распыление
-
5 ионное распыление
Русско-английский политехнический словарь > ионное распыление
-
6 ионное распыление
Русско-английский словарь по электроэнергетике > ионное распыление
-
7 ионное распыление
Русско-английский словарь по машиностроению > ионное распыление
-
8 ионное распыление в двухэлектродной вакуумной установке
Microelectronics: diode sputteringУниверсальный русско-английский словарь > ионное распыление в двухэлектродной вакуумной установке
-
9 ионное распыление в двухэлектродной установке
Engineering: diode sputteringУниверсальный русско-английский словарь > ионное распыление в двухэлектродной установке
-
10 ионное распыление в трёхэлектродной вакуумной установке
Microelectronics: triode sputteringУниверсальный русско-английский словарь > ионное распыление в трёхэлектродной вакуумной установке
-
11 высокочастотное ионное распыление
Microelectronics: RF sputteringУниверсальный русско-английский словарь > высокочастотное ионное распыление
-
12 диодное ионное распыление
Engineering: diode sputteringУниверсальный русско-английский словарь > диодное ионное распыление
-
13 диодное ионное распыление со смещением
Engineering: bias DC sputtering (с подачей небольшого отрицательного напряжения на подложку), biased DC sputtering (с подачей небольшого отрицательного напряжения на подложку)Универсальный русско-английский словарь > диодное ионное распыление со смещением
-
14 реактивное ионное распыление
Microelectronics: reactive sputteringУниверсальный русско-английский словарь > реактивное ионное распыление
-
15 триодное ионное распыление
Engineering: triode sputtering (в трёхэлектродной установке)Универсальный русско-английский словарь > триодное ионное распыление
-
16 распыление
с.; физ. пов.sputtering; spraying; atomization- асимметричное распыление
- высокочастотное распыление диэлектриков
- ионное распыление
- катодное распыление
- магнетронное распыление
- многократное распыление
- неупругое распыление
- обратное распыление
- распыление атомами отдачи
- распыление бомбардировкой частицами
- распыление в пламени
- распыление жидкости
- распыление ионной бомбардировкой
- распыление мишени
- распыление под действием нейтронов
- распыление резиста
- распыление струи
- реактивное распыление
- столкновительное распыление
- физическое распыление
- химическое распыление
- электростатическое распыление -
17 распыление
с. atomization; spraying; sputtering; dusting -
18 распыление
Авиация и космонавтика. Русско-английский словарь > распыление
-
19 распыление в двухэлектродной установке
Engineering: diode sputtering (ионное)Универсальный русско-английский словарь > распыление в двухэлектродной установке
-
20 магнетронное распыление
Русско-английский новый политехнический словарь > магнетронное распыление
- 1
- 2
См. также в других словарях:
ионное распыление — joninis dulkinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ionic sputtering vok. Ionenstrahlzerstäubung, f; Ionenzerstäubung, f rus. ионное распыление, n pranc. pulvérisation ionique, f … Radioelektronikos terminų žodynas
высокочастотное ионное распыление — aukštadažnis joninis dulkinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. radio frequency ion sputtering vok. HF Sputtern, n; Hochfrequenzsputtern, n rus. высокочастотное ионное распыление, n pranc. pulvérisation ionique à haute… … Radioelektronikos terminų žodynas
реактивное ионное распыление — reaktyvusis joninis dulkinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reactive ion sputtering vok. reaktives Sputtern, n rus. реактивное ионное распыление, n pranc. pulvérisation ionique réactive, f … Radioelektronikos terminų žodynas
РАСПЫЛЕНИЕ — твёрдых тел разрушение твёрдых тел под действием бомбардировки их поверхности заряженными и нейтральными частицами (атомами, ионами, нейтронами, электронами и др.) и фотонами. Впервые наблюдалось как разрушение катода в газовом разряде (отсюда… … Физическая энциклопедия
Ионное внедрение — ионное легирование, введение посторонних атомов внутрь твёрдого тела путём бомбардировки его поверхности ионами. Средняя глубина проникновения ионов в мишень тем больше, чем больше энергия ионов (ионы с энергиями Ионное внедрение 10 100… … Большая советская энциклопедия
ИОННОЕ ВНЕДРЕНИЕ — (ионное легирование, ионная имплантация), введение посторонних атомов внутрь тв. тела бомбардировкой его поверхности ионами. Ср. глубина проникновения ионов в мишень тем больше, чем больше энергия ионов (ноны с энергиями ?и=10 100 кэВ проникают… … Физическая энциклопедия
ИОННОЕ ТРАВЛЕНИЕ — удаление вещества с поверхности твёрдого тела под действием ионной бомбардировки. Процесс И. т. зависит от интенсивности пучка, вида, энергии н угла падения ионов, а также от материала и состояния мишени. В процессе И. т. вследствие распыления,… … Физическая энциклопедия
Катодное распыление — ионное распыление, разрушение отрицательного электрода (катода) в газовом разряде под действием ударов положительных ионов. В более широком смысле разрушение твёрдого вещества при его бомбардировке заряженными или нейтральными частицами.… … Большая советская энциклопедия
КАТОДНОЕ РАСПЫЛЕНИЕ — распыление в ва с поверхности твёрдого тела при бомбардировке его ионами. Первоначально наблюдалось как разрушение катодов в электровакуумных и газоразрядных приборах. Используется для очистки поверхностей и выявления структуры в ва (ионное… … Большой энциклопедический политехнический словарь
Магнетронное распыление — Магнетронное распыление это технология нанесения тонких плёнок на подложку с помощью магнетрона. Основы технологии Принцип магнетронного распыления основан на образовании над поверхностью катода кольцеобразной плазмы в результате… … Википедия
НАПЫЛЕНИЕ ВАКУУМНОЕ — нанесение пленок или слоев на пов сть деталей или изделий в условиях вакуума (1,0 1 Х 10 7 Па). Н. в. используют в планарной технологии полупроводниковых микросхем, в произ ве тонкопленочных гибридных схем, изделий пьезотехники, акустоэлектроники … Химическая энциклопедия