-
1 имплантация ионов высокой энергии
Electronics: high-energy ion implantationУниверсальный русско-английский словарь > имплантация ионов высокой энергии
-
2 имплантация ионов высокой энергии
Русско-английский физический словарь > имплантация ионов высокой энергии
-
3 имплантация ионов высокой энергии
Русско-английский словарь по микроэлектронике > имплантация ионов высокой энергии
-
4 имплантация
ж.- двукратная ионная имплантация
- имплантация атомов отдачи
- имплантация ионов акцепторной примеси
- имплантация ионов бора
- имплантация ионов высокой энергии
- имплантация ионов донорной примеси
- имплантация ионов мышьяка
- имплантация ионов фосфора
- имплантация металлических ионов
- имплантация неметаллических ионов
- импульсная имплантация
- импульсно-периодическая имплантация
- ионная имплантация
- локальная ионная имплантация
- непрерывная имплантация
- одновременная имплантация
- одноэлементная имплантация
- последовательная имплантация
- самоотжиговая имплантация
- самоотжиговая ионная имплантация -
5 ионная имплантация
Ионная имплантацияСпособ введения посторонних атомов внутрь твердого тела путем бомбардировки его поверхности пучком ионов c высокой энергией (до 1 МэВ). Имплантируемые ионы внедряются в материал мишени на глубину от 0,01 до 1,0 мкм, формируя в ней особое структурно-фазовое состояние. Толщина слоя зависит от энергии и от массы ионов, а также от массы атомов мишени. Широко используется для формирования легированных областей на поверхности полупроводника при создании полупроводниковых приборов. Является стандартным технологическим приемом, используемым в планарной технологии.Англо-русский словарь по нанотехнологиям > ионная имплантация
-
6 ионная имплантация
Ионная имплантацияСпособ введения посторонних атомов внутрь твердого тела путем бомбардировки его поверхности пучком ионов c высокой энергией (до 1 МэВ). Имплантируемые ионы внедряются в материал мишени на глубину от 0,01 до 1,0 мкм, формируя в ней особое структурно-фазовое состояние. Толщина слоя зависит от энергии и от массы ионов, а также от массы атомов мишени. Широко используется для формирования легированных областей на поверхности полупроводника при создании полупроводниковых приборов. Является стандартным технологическим приемом, используемым в планарной технологии.Russian-English dictionary of Nanotechnology > ионная имплантация
-
7 high-energy ion implantation
English-russian dictionary of physics > high-energy ion implantation
-
8 high-energy ion implantation
English-Russian electronics dictionary > high-energy ion implantation
-
9 high-energy ion implantation
The New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > high-energy ion implantation
-
10 high-energy ion implantation
English-Russian dictionary of microelectronics > high-energy ion implantation
-
11 high-energy ion implantation
English-Russian dictionary of electronics > high-energy ion implantation
-
12 high-energy ion implantation
Электроника: имплантация ионов высокой энергииУниверсальный англо-русский словарь > high-energy ion implantation
-
13 ion implantation
Ионная имплантацияСпособ введения посторонних атомов внутрь твердого тела путем бомбардировки его поверхности пучком ионов c высокой энергией (до 1 МэВ). Имплантируемые ионы внедряются в материал мишени на глубину от 0,01 до 1,0 мкм, формируя в ней особое структурно-фазовое состояние. Толщина слоя зависит от энергии и от массы ионов, а также от массы атомов мишени. Широко используется для формирования легированных областей на поверхности полупроводника при создании полупроводниковых приборов. Является стандартным технологическим приемом, используемым в планарной технологии. -
14 ion implantation
Ионная имплантацияСпособ введения посторонних атомов внутрь твердого тела путем бомбардировки его поверхности пучком ионов c высокой энергией (до 1 МэВ). Имплантируемые ионы внедряются в материал мишени на глубину от 0,01 до 1,0 мкм, формируя в ней особое структурно-фазовое состояние. Толщина слоя зависит от энергии и от массы ионов, а также от массы атомов мишени. Широко используется для формирования легированных областей на поверхности полупроводника при создании полупроводниковых приборов. Является стандартным технологическим приемом, используемым в планарной технологии.Russian-English dictionary of Nanotechnology > ion implantation
См. также в других словарях:
имплантация ионов высокой энергии — didelės energijos jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high energy ion implantation vok. energiereiche Ionenimplantierung, f; Implantierung von Ionen hoher Energie, f rus. имплантация ионов высокой энергии, f… … Radioelektronikos terminų žodynas
Ионная имплантация — Схема установки для ионной имплантации и селекции ионов по энергии. Ионная имплантация способ введения атомов примесей в поверхностный слой пластины или эпитаксиальной пленки путем бомбардировки ег … Википедия
ионная имплантация — Ion Implantation Ионная имплантация Способ введения посторонних атомов внутрь твердого тела путем бомбардировки его поверхности пучком ионов c высокой энергией (до 1 МэВ). Имплантируемые ионы внедряются в материал мишени на глубину от 0,01 до … Толковый англо-русский словарь по нанотехнологии. - М.
Implantierung von Ionen hoher Energie — didelės energijos jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high energy ion implantation vok. energiereiche Ionenimplantierung, f; Implantierung von Ionen hoher Energie, f rus. имплантация ионов высокой энергии, f… … Radioelektronikos terminų žodynas
didelės energijos jonų implantavimas — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high energy ion implantation vok. energiereiche Ionenimplantierung, f; Implantierung von Ionen hoher Energie, f rus. имплантация ионов высокой энергии, f pranc. implantation d ions à grande… … Radioelektronikos terminų žodynas
energiereiche Ionenimplantierung — didelės energijos jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high energy ion implantation vok. energiereiche Ionenimplantierung, f; Implantierung von Ionen hoher Energie, f rus. имплантация ионов высокой энергии, f… … Radioelektronikos terminų žodynas
high-energy ion implantation — didelės energijos jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high energy ion implantation vok. energiereiche Ionenimplantierung, f; Implantierung von Ionen hoher Energie, f rus. имплантация ионов высокой энергии, f… … Radioelektronikos terminų žodynas
implantation d'ions à grande énergie — didelės energijos jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high energy ion implantation vok. energiereiche Ionenimplantierung, f; Implantierung von Ionen hoher Energie, f rus. имплантация ионов высокой энергии, f… … Radioelektronikos terminų žodynas
ДЦ60 — … Википедия
ПИ-МЕЗОНЫ — (p мезоны, пионы), группа из трёх нестабильных бесспиновых элем. ч ц двух заряженных (p+ и p ) и одной нейтральной (p°), относящихся к классу адронов и являющихся среди них наиболее лёгкими. Масса пионов промежуточная между массами протона и эл… … Физическая энциклопедия
Медицина — I Медицина Медицина система научных знаний и практической деятельности, целями которой являются укрепление и сохранение здоровья, продление жизни людей, предупреждение и лечение болезней человека. Для выполнения этих задач М. изучает строение и… … Медицинская энциклопедия