заряда+в+базе

См. также в других словарях:

• накопление неравновесных носителей заряда в базе — накопление заряда в базе Увеличение концентрации и величины зарядов, образованные неравновесными носителями заряда в базе в результате увеличения инжекции или в результате генерации носителей заряда. [ГОСТ 15133 77] Тематики полупроводниковые… …   Справочник технического переводчика

• рассасывание неравновесных носителей заряда в базе — рассасывание заряда в базе Уменьшение концентрации и величины зарядов, образованные неравновесными носителями заряда в базе в результате уменьшения инжекции или в результате рекомбинации. [ГОСТ 15133 77] Тематики полупроводниковые приборы… …   Справочник технического переводчика

• накопление неравновесных носителей заряда в базе — накопление неравновесных носителей заряда в базе; накопление заряда в базе Увеличение концентрации и величины заряда неравновесных носителей в базе полупроводникового прибора в результате увеличения инжекции и (или) увеличения толщины базы …   Политехнический терминологический толковый словарь

• накопление заряда в базе — накопление неравновесных носителей заряда в базе; накопление заряда в базе Увеличение концентрации и величины заряда неравновесных носителей в базе полупроводникового прибора в результате увеличения инжекции и (или) увеличения толщины базы …   Политехнический терминологический толковый словарь

• рассасывание неравновесных носителей заряда в базе — рассасывание неравновесных носителей заряда в базе; рассасывание заряда в базе Уменьшение концентрации и величины заряда неравновесных носителей в базе полупроводникового прибора в результате уменьшения инжекции и (или) уменьшения толщины базы …   Политехнический терминологический толковый словарь

• рассасывание заряда в базе — рассасывание неравновесных носителей заряда в базе; рассасывание заряда в базе Уменьшение концентрации и величины заряда неравновесных носителей в базе полупроводникового прибора в результате уменьшения инжекции и (или) уменьшения толщины базы …   Политехнический терминологический толковый словарь

• 14,5-мм корабельные пулеметные установки на базе КПВ — В 1943 году в инициативном порядке в отделе главного конструктора завода № 2 (г. Ковров) началось проектирование 14,5 мм пулемета на базе 20 мм малосерийной авиационной пушки В 20. Пулемет создавался под патрон 14,5 мм противотанкового… …   Военная энциклопедия

• Биполярный транзистор — Обозначение биполярных транзисторов на схемах Простейшая наглядная схема устройства транзистора Биполярный транзистор  трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно… …   Википедия

• P — n-переход — (n  negative  отрицательный, электронный, p  positive  положительный, дырочный), или электронно дырочный переход  разновидность гомопереходов, Зоной p n перехода называется область полупроводника, в которой имеет место… …   Википедия

• Р — n-переход — p  n переход (n  negative  отрицательный, электронный, p  positive  положительный, дырочный), или электронно дырочный переход  разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости …   Википедия

• Электронно-дырочный переход — p  n переход (n  negative  отрицательный, электронный, p  positive  положительный, дырочный), или электронно дырочный переход  разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости …   Википедия