-
1 дно зоны проводимости
neng. fond de la bande de conduction, minimum de la bande de conductionDictionnaire russe-français universel > дно зоны проводимости
См. также в других словарях:
Дно зоны проводимости — В этой статье не хватает ссылок на источники информации. Информация должна быть проверяема, иначе она может быть поставлена под сомнение и удалена. Вы можете отредактировать эту статью, добавив ссылки на авторитетные источники. Эта отметка… … Википедия
дно зоны проводимости — laidumo juostos apačia statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bottom of conduction band vok. Leitungsband Untergrenze, f; untere Grenze des Leitungsbandes, f rus. дно зоны проводимости, n pranc. fond de la bande de conduction, m … Radioelektronikos terminų žodynas
Ширина запрещённой зоны — это ширина энергетического зазора между дном зоны проводимости и потолком валентной зоны, в котором отсутствуют разрешённые состояния для электрона. У металлов и полуметаллов она равна нулю, в то время как у полупроводников и диэлектриков она… … Википедия
ПОЛУПРОВОДНИКИ — широкий класс в в, характеризующийся значениями уд. электропроводности s, промежуточными между уд. электропроводностью металлов s=106 104 Ом 1 см 1 и хороших диэлектриков s=10 10 10 12 Ом 1см 1 (электропроводность указана при комнатной темп ре).… … Физическая энциклопедия
ЗОННАЯ ТЕОРИЯ — твёрдых тел, квантовая теория энергетич. спектра эл нов в кристалле, согласно к рой этот спектр состоит из чередующихся зон (полос) разрешённых и запрещённых энергий. З. т. объясняет ряд св в и явлений в кристалле, в частности разл. хар р… … Физическая энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКИ — в ва, характеризующиеся увеличением электрич. проводимости с ростом т ры. Хотя часто П. определяют как в ва с уд. электрич. проводимостью а, промежуточной между ее значениями для металлов (s ! 106 104 Ом 1 см 1) и для хороших диэлектриков (s ! 10 … Химическая энциклопедия
Запрещённая зона — Ширина запрещённой зоны различных материалов Материал Форма Энергия в эВ 0 K 300 K Элемент C (мод. Алмаз) непрямая 5,4 5,46–6,4 Si непрямая 1,17 1,12 Ge непрямая 0,75 0,67 Se прямая 1,74 АIV … Википедия
ИНВЕРСИОННЫЙ СЛОЙ — область полупроводника у его поверхности, в к рой равновесная концентрация неосновных носителей заряда больше, чем основных. И. с. возникает, когда поверхность ПП n типа (р типа) по отношению к объёму находится под достаточно большим… … Физическая энциклопедия
p - n-ПЕРЕХОД — (электронно дырочный переход) слой с пониженной электропроводностью, образующийся на границе полупроводниковых областей с электронной (n область) и дырочной ( р область) проводимостью. Различают гомопереход, получающийся в результате… … Физическая энциклопедия
Словарь терминов физики полупроводников — Эта страница глоссарий … Википедия
Фотоэлектронная эмиссия — внешний фотоэффект, испускание электронов твёрдыми телами и жидкостями под действием электромагнитного излучения (фотонов) в вакуум или др. среды. Практическое значение в большинстве случаев имеет Ф. э. из твёрдых тел (металлов,… … Большая советская энциклопедия