-
1 диффузионная ёмкость
Большой русско-немецкий полетехнический словарь > диффузионная ёмкость
-
2 диффузионная ёмкость
Универсальный русско-немецкий словарь > диффузионная ёмкость
-
3 диффузионная ёмкость базы
adjmicroel. BasisdiffusionskapazitätУниверсальный русско-немецкий словарь > диффузионная ёмкость базы
-
4 диффузионная ёмкость коллектора
adjmicroel. KollektordiffusionskapazitätУниверсальный русско-немецкий словарь > диффузионная ёмкость коллектора
-
5 диффузионная ёмкость коллекторного перехода
adjmicroel. KollektordiffusionskapazitatУниверсальный русско-немецкий словарь > диффузионная ёмкость коллекторного перехода
-
6 диффузионная ёмкость эмиттера
adjmicroel. EmitterdiffusionskapazitätУниверсальный русско-немецкий словарь > диффузионная ёмкость эмиттера
-
7 диффузионная ёмкость эмиттерного перехода
adjmicroel. EmitterdiffusionskapazitätУниверсальный русско-немецкий словарь > диффузионная ёмкость эмиттерного перехода
См. также в других словарях:
диффузионная ёмкость — difuzinė talpa statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. diffusion capacitance vok. Diffusionskapazität, f rus. диффузионная ёмкость, f pranc. capacité de diffusion, f … Radioelektronikos terminų žodynas
P — n-переход — (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, Зоной p n перехода называется область полупроводника, в которой имеет место… … Википедия
Р — n-переход — p n переход (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости … Википедия
Электронно-дырочный переход — p n переход (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости … Википедия
Полупроводниковый диод — двухэлектродный электронный прибор на основе полупроводникового (ПП) кристалла. Понятие «П. д.» объединяет различные приборы с разными принципами действия, имеющие разнообразное назначение. Система классификации П. д. соответствует общей… … Большая советская энциклопедия
Электронно-дырочный переход — (p n переход) область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости (от электронной n к дырочной p). Поскольку в р области Э. д. п. концентрация дырок гораздо выше, чем в n области, дырки из n области… … Большая советская энциклопедия
ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД — (р n переход), область полупроводника, в к рой имеет место пространств. изменение типа проводимости от электронной n к дырочной p. Т. к. в р области Э. д. п. концентрация дырок гораздо выше, чем в n области, дырки из р области стремятся… … Физическая энциклопедия
Транзисторно-транзисторная логика — Эта статья или раздел нуждается в переработке. Пожалуйста, улучшите статью в соответствии с правилами написания статей. Транзисторно транзисторная логика … Википедия
Transistor-transistor logic — Транзисторно транзисторная логика (ТТЛ, TTL) разновидность цифровых микросхем, построенных на основе биполярных транзисторов и резисторов. Название транзисторно транзисторный возникло из за того, что транзисторы используются как для выполнения… … Википедия
Diffusionskapazität — difuzinė talpa statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. diffusion capacitance vok. Diffusionskapazität, f rus. диффузионная ёмкость, f pranc. capacité de diffusion, f … Radioelektronikos terminų žodynas
capacité de diffusion — difuzinė talpa statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. diffusion capacitance vok. Diffusionskapazität, f rus. диффузионная ёмкость, f pranc. capacité de diffusion, f … Radioelektronikos terminų žodynas