-
41 тепловое сопротивление диода
тепловое сопротивление диода
, Rth
Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке к рассеиваемой мощности диода в установившемся режиме.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
21. Тепловое сопротивление диода
D. Wärmewiderstand
E. Thermal resistance
F. Résistance thermique
RΘ
Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке к рассеиваемой мощности диода в установившемся режиме
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > тепловое сопротивление диода
-
42 ток впадины туннельного диода
ток впадины туннельного диода
Iв
IV
Значение прямого тока в точке минимума вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
67. Ток впадины туннельного диода
D. Talstrom der Tunneldiode
E. Valley point current
F. Courant de vallée
Iв
Значение прямого тока в точке минимума вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > ток впадины туннельного диода
-
43 время обратного восстановления диода
время обратного восстановления диода
Ндп. время восстановления обратного сопротивления
tвос, обр, trr
Время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента, когда обратный ток, уменьшаясь от максимального импульсного значения, достигает заданного значения обратного тока.
[ ГОСТ 25529-82]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
EN
DE
FR
33. Время обратного восстановления диода
Ндп. Время восстановления обратного сопротивления
D. Sperrerholungszeit der Diode
E. Reverse recovery time
F. Temps de recouvrement inverse
tвос,обр
Время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое, значение до момента, когда обратный ток, уменьшаясь от максимального импульсного значения, достигает заданного значения обратного тока
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время обратного восстановления диода
-
44 время прямого восстановления диода
время прямого восстановления диода
Ндп. время восстановления прямого сопротивления
tвос.пр, tfr
Время, в течение которого происходит включение диода и прямое напряжение на нем устанавливается от значения, равного нулю, до заданного установившегося значения.
[ ГОСТ 25529-82]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
EN
DE
FR
34. Время прямого восстановления диода
Ндп. Время восстановления прямого сопротивления
D. Durchlasserholungszeit der Diode
E. Forward recovery time
F. Temps de recouvrement direct
tвос.пр
Время, в течение которого происходит включение диода и прямое напряжение на нем устанавливается от значения, равного нулю, до заданного установившегося значения
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время прямого восстановления диода
-
45 выходное шумовое отношение СВЧ диода
выходное шумовое отношение СВЧ диода
Nm
Nr
Отношение мощности шума СВЧ диода в рабочем режиме, отдаваемой в согласованную нагрузку, к мощности тепловых шумов согласованного активного сопротивления при той же температуре и одинаковой полосе частот.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
FR
132. Выходное шумовое отношение СВЧ диода
E. Output noise ratio
F. Rapport de température de bruit
Nm
Отношение мощности шума СВЧ диода в рабочем режиме, отдаваемой в согласованную нагрузку, к мощности тепловых шумов согласованного активного сопротивления при той же температуре и одинаковой полосе частот
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > выходное шумовое отношение СВЧ диода
-
46 динамическое сопротивление выпрямительного диода
динамическое сопротивление выпрямительного диода
rдин
rT
Сопротивление, определяемое наклоном прямой, аппроксимирующей прямую вольт-амперную характеристику выпрямительного диода.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
61. Динамическое сопротивление выпрямительного диода
D. Dynamischer Widerstand der Diode
E. Slope resistance
F. Résistance apparente directe
rдин
Сопротивление, определяемое наклоном прямой, аппроксимирующей прямую вольт-амперную характеристику выпрямительного диода
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > динамическое сопротивление выпрямительного диода
-
47 дифференциальное сопротивление диода
дифференциальное сопротивление диода
rдиф, r
Отношение малого приращения напряжения диода к малому приращению тока в нем при заданном режиме.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
19. Дифференциальное сопротивление диода
D. Differentieller Widerstand der Diode
E. Differential resistance
F. Résistance différentielle
rдиф
Отношение малого приращения напряжения диода к малому приращению тока в нем при заданном режиме
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > дифференциальное сопротивление диода
-
48 емкость корпуса диода
емкость корпуса диода
Скор, Сcase
Значение емкости между выводами корпуса диода при отсутствии кристалла.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
D. Gehäusekapazität der Diode
E. Case capacitance
Cкор
Значение емкости между выводами корпуса диода при отсутствии кристалла
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > емкость корпуса диода
-
49 емкость перехода диода
емкость перехода диода
Спер, Сj
Общая емкость диода без емкости корпуса.
Примечание
В случае, когда диод имеет p-j-n структуру, допускается использовать термин "емкость структуры" и буквенное обозначение "Сстр ".
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
D. Sperrschichtkapazität der Diode
E. Junction capacitance
F. Capacité de jonction
Cпер
Общая емкость диода без емкости корпуса.
Примечание. В случае, когда диод имеет p-i-n структуру, допускается использовать термин «емкость структуры» и буквенное обозначение «Cстр»
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > емкость перехода диода
-
50 импульсное обратное напряжение диода
импульсное обратное напряжение диода
Uобр.и, URM
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения диода.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
4. Импульсное обратное напряжение диода
D. Spitzensperrspannung der Diode
E. Peak reverse voltage
F. Tension inverse de crête
Uобр.и
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения диода
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > импульсное обратное напряжение диода
-
51 импульсное прямое напряжение диода
импульсное прямое напряжение диода
Uпр.и, UFM
Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения, обусловленное импульсным прямым током диода заданного значения.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
2. Импульсное прямое напряжение диода
D. Spitzendurchlassspannung der Diode
E. Peak forward voltage
F. Tension directe de crête
Uпр.и
Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения, обусловленное импульсным прямым током диода заданного значения
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > импульсное прямое напряжение диода
-
52 импульсный обратный ток диода
импульсный обратный ток диода
Iобр.и, IRM
Наибольшее мгновенное значение обратного тока диода, обусловленного импульсным обратным напряжением.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
11. Импульсный обратный ток диода
D. Spitzensperrstrom der Diode
E. Peak reverse current
F. Courant inverse de crête
Iобр.и
Наибольшее мгновенное значение обратного тока диода, обусловленного импульсным обратным напряжением
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > импульсный обратный ток диода
-
53 импульсный прямой ток диода
импульсный прямой ток диода
Iпр.и
IFM
Наибольшее мгновенное значение прямого тока диода, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
8. Импульсный прямой ток диода
D. Spitzendurchlassstrom der Diode
E. Peak forward current
F. Courant direct de crête
Iпр.и
Наибольшее мгновенное значение прямого тока диода, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > импульсный прямой ток диода
-
54 индуктивность диода
индуктивность диода
Lп, Ls
Последовательная эквивалентная индуктивность диода при заданных условиях.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
D. Induktvität der Diode
E. Total series equivalent inductance
F. Inductance série totale équivalente
Lп
Последовательная эквивалентная индуктивность диода при заданных условиях
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > индуктивность диода
-
55 накопленный заряд диода
накопленный заряд диода
Qик, Qs
Заряд электронов или дырок в базе диода или i-области p-i-n структуры, накопленный при протекании прямого тока.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
FR
E. Stored charge
F. Charge stockée
Qик
Заряд электронов или дырок в базе диода или i-области p-i-n структуры, накопленный при протекании прямого тока
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > накопленный заряд диода
-
56 напряжение впадины туннельного диода
напряжение впадины туннельного диода
Uв
UV
Значение прямого напряжения, соответствующее току впадины туннельного диода.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
70. Напряжение впадины туннельного диода
D. Talspannung der Tunneldiode
E. Valley point voltage
F. Tension de vallée
Uв
Значение прямого напряжения, соответствующее току впадины туннельного диода
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > напряжение впадины туннельного диода
-
57 напряжение пика туннельного диода
напряжение пика туннельного диода
UП
UP
Значение прямого напряжения, соответствующее пиковому току туннельного диода.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
69. Напряжение пика туннельного диода
D. Höckerspannung der Tunneldiode
E. Peak point voltage
F. Tension de pic
Uп
Значение прямого напряжения, соответствующее пиковому току туннельного диода
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > напряжение пика туннельного диода
-
58 напряжение раствора туннельного диода
напряжение раствора туннельного диода
Uрр
UРР
Значение прямого напряжения на второй восходящей ветви вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором ток равен пиковому.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
71. Напряжение раствора туннельного диода
D. Projezierte Höckerspannug
E. Projected peak point voltage
F. Tension isohypse
Uрр
Значение прямого напряжения на второй восходящей ветви вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором ток равен пиковому
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > напряжение раствора туннельного диода
-
59 неповторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода
неповторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода
Uобр.и.нп, URSM
Наибольшее мгновенное значение неповторяющегося переходного обратного напряжения выпрямительного диода.
Примечание
Неповторяющееся переходное напряжение обусловливается обычно внешней причиной и предполагается, что его действие исчезает полностью до появления следующего переходного напряжения.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
37. Неповторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода
D. Nichtperiodische Spitzensperrspannung der Diode
E. Non-repetitive (surge) reverse voltage
F. Tension inverse de pointe non-répétitive
Uобр.и.нп
Наибольшее мгновенное значение неповторяющегося переходного обратного напряжения выпрямительного диода.
Примечание. Неповторяющееся переходное напряжение обусловливается обычно внешней причиной и предполагается, что его действие исчезает полностью до появления следующего переходного напряжения
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > неповторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода
-
60 общая емкость диода
общая емкость диода
СД
Сtot
Значение емкости между выводами диода при заданном режиме.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
D. Gesamtkapazität der Diode
E. Terminal capacitance
F. Capasité aux bornes
Cд
Значение емкости между выводами диода при заданном режиме
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > общая емкость диода
См. также в других словарях:
диода — (грч. dis, odos) 1. електронска цевка со две електроди: катода и анода 2. денес, во електрониката: секој уред (на пр., полупроводник) низ кој електричната струја може да се движи само во еден правец … Macedonian dictionary
вольт-амперная характеристика диода Ганна — Uпор.Г постоянное пороговое напряжение диода Ганна; Iпор пороговый ток диода Ганна; Up постоянное рабочее напряжение диода Ганна; Ip постоянный рабочий ток диода Ганна. Черт.4 [ГОСТ 25529 82] Тематики полупроводниковые приборы … Справочник технического переводчика
постоянное прямое напряжение диода — постоянное прямое* напряжение диода Uпр, UF Постоянное значение прямого напряжения при заданном прямом токе полупроводникового диода. Примечание В каждом конкретном случае использования термина следует в его наименовании слова "диод"… … Справочник технического переводчика
заряд восстановления диода — Ндп. заряд переключения Qвос, Qr Полный заряд диода, вытекающий во внешнюю цепь при переключении диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение. Примечания 1. Заряд восстановления включает накопленный заряд и заряд емкости… … Справочник технического переводчика
переходное тепловое сопротивление диода — Z(th)t Отношение разности изменения температуры перехода и температуры в контрольной точке в конце заданного интервала времени, вызывающего изменение температуры, к скачкообразному изменению рассеиваемой мощности диода в начале этого интервала … Справочник технического переводчика
переходное тепловое сопротивление переход - корпус диода — пер кор, Z(th)jc Переходное тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура корпуса диода. [ГОСТ 25529 82] Тематики полупроводниковые приборы EN transient thermal impedance junction to case … Справочник технического переводчика
повторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода — Uобр.и.п, URRM Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения выпрямительного диода, включая повторяющиеся переходные напряжения, но исключая неповторяющиеся переходные напряжения. Примечание Повторяющееся напряжение обычно определяется… … Справочник технического переводчика
температурный коэффициент спектральной плотности напряжения (мощности) шумового диода — αSU, αSp αSU, αSP Отношение относительного изменения спектральной плотности напряжения (мощности) шумового диода к абсолютному изменению температуры окружающей среды при постоянном токе диода. [ГОСТ 25529 82] Тематики… … Справочник технического переводчика
тепловое сопротивление переход - корпус диода — пер кор, Rthjс Тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура корпуса диода. Примечание Если полупроводниковый кристалл имеет многослойную структуру, может быть использован термин "тепловое … Справочник технического переводчика
ток перегрузки выпрямительного диода — Iпрг I(OV) Значение прямого тока выпрямительного диода, длительное протекание которого вызвало бы превышение максимально допустимой температуры перехода, но который так ограничен во времени, что эта температура не превышается. Примечание За время … Справочник технического переводчика
шумовая постоянная туннельного диода — NШ Nn Величина, определяемая соотношением: NШ = 20lg Iр/gпер, где Iр ток в рабочей точке туннельного диода, gпер отрицательная проводимость туннельного диода. [ГОСТ 25529 82] Тематики полупроводниковые приборы Обобщающие термины туннельные диоды… … Справочник технического переводчика