-
21 обратная переходная нормированная характеристика ФЭПП
обратная переходная нормированная характеристика ФЭПП
Отношение фототока, описывающего реакцию ФЭПП в зависимости от времени, к начальному значению фототока при резком прекращении воздействия излучения.
Обозначение
h’0(X)
Примечание
Поток излучения при резком прекращении воздействия описывается выражением
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
189. Обратная переходная нормированная характеристика ФЭПП
D. Normierte Umkehrübergangscharacteristik
E. Normalized inverse transfer characteristic
F. Caractéristique de transmission inverse normalisée
h0' (t)
Отношение фототока, описывающего реакцию ФЭПП в зависимости от времени, к начальному значению фототока при резком прекращении воздействия излучения.
Примечание. Поток излучения при резком прекращении воздействия описывается выражением
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > обратная переходная нормированная характеристика ФЭПП
-
22 порог чувствительности ФЭПП
порог чувствительности ФЭПП
порог
Среднее квадратичное значение первой гармоники действующего на ФЭПП модулированного потока излучения сигнала с заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратичное значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему квадратичному значению напряжения (тока) шума в заданной полосе на частоте модуляции потока излучения.
Обозначение
ФП
Фmin
Фλ min
Примечание
Полосу частот выбирают, как правило, в пределах 20% от частоты модуляции, так, чтобы изменением спектральной плотности шума в ее пределах можно было пренебречь.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
Синонимы
EN
DE
FR
78. Порог чувствительности ФЭПП
Порог
D. Äquivalente Rauschleistung
E. Noise equivalent power
F. Puissance équivalente au bruit
Фп
Среднее квадратичное значение первой гармоники действующего на ФЭПП модулированного потока излучения сигнала с заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратичное значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему квадратичному значению напряжения (тока) шума в заданной полосе на частоте модуляции потока излучения.
Примечание. Полосу частот выбирают, как правило, в пределах 20 % от частоты модуляции, так, чтобы изменением спектральной плотности шума в ее пределах можно было пренебречь
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > порог чувствительности ФЭПП
-
23 порог чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот
- puissance équivalente au bruit dans une bande passante des fréquences unitaire
порог чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот
порог в единичной полосе частот
Среднее квадратичное значение первой гармоники действующего на ФЭПП модулированного потока излучения источника фотосигнала с заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратичное значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему квадратичному значению напряжения (тока) шума, приведенному к единичной полосе на частоте модуляции потока излучения.
Обозначение
ФП1
NEP
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
Синонимы
EN
DE
FR
- puissance équivalente au bruit dans une bande passante des fréquences unitaire
79. Порог чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот
Порог в единичной полосе частот
D. Äquivalente Rauschleistung im Einheitsfrequenzband
E. Unit frequency bandwidth noise equivalent power
F. Puissance équivalente au bruit dans une bande passante des fréquences unitaire
Фп1
Среднее квадратичное значение первой гармоники действующего на ФЭПП модулированного потока излучения источника фотосигнала с заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратичное значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему квадратичному значению напряжения (тока) шума, приведенному к единичной полосе на частоте модуляции потока излучения
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > порог чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот
-
24 абсолютная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП
абсолютная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП
Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП, измеренной в абсолютных единицах, от длины волны регистрируемого потока излучения.
Обозначение
Sабс(λ)
Sabs(λ)
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
152. Абсолютная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП
D. Absolute spektrale Empfrndlichkeitskennlinie
E. Absolute spectral-response characteristic
F. Caractéristique de sensibilité spectrale absolue
Sабс(λ)
Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП, измеренной в абсолютных единицах, от длины волны регистрируемого потока излучения
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > абсолютная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП
-
25 вольтовая чувствительность фототранзистора
вольтовая чувствительность фототранзистора
Отношение изменения напряжения на входе фототранзистора к потоку излучения, вызвавшему это изменение при холостом ходе на входе и коротком замыкании на выходе по переменному току.
Обозначение
hэ13
hб13
hк13
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
125. Вольтовая чувствительность фототранзистора
D. SpannungsempfmdUchkeit eines Phototransistors
E. Voltage responsivity of the phototransistor
F. Réponse en tension du phototransistor
Отношение изменения напряжения на входе фототранзистора к потоку излучения, вызвавшему это изменение при холостом ходе на входе и коротком замыкании на выходе по переменному току
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > вольтовая чувствительность фототранзистора
-
26 входная вольт-амперная характеристика фототранзистора
- caractéristique couranttension d’entrée
- Caractéristique couranttension d'entrée
входная вольт-амперная характеристика фототранзистора
Зависимость электрического тока от напряжения на входе фототранзистора при постоянном напряжении на выходе и фиксированном потоке излучения.
Обозначение
Iвх(U)
Im(U)
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- caractéristique couranttension d’entrée
155. Входная вольт-амперная характеристика фототранзистора
D. Eingangs-Strom-Spannungs-Kennlinie
E. Input current-voltage characteristic
F. Caractéristique couranttension d'entrée
Iвх (U)
Зависимость электрического тока от напряжения на входе фототранзистора при постоянном напряжении на выходе и фиксированном потоке излучения
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > входная вольт-амперная характеристика фототранзистора
-
27 выходная вольт-амперная характеристика фототранзистора
выходная вольт-амперная характеристика фототранзистора
Зависимость электрического тока от напряжения на выходе фототранзистора при постоянном токе на входе и фиксированном потоке излучения.
Обозначение
Iвых(U)
I0(U)
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
156. Выходная вольт-амперная характеристика фототранзистора
D. Ausgangs-Strom-Spannungs-Kennlinie
E. Output current-voltage characteristic
F. Caractéristique couranttension de sortie
Iвых (U)
Зависимость электрического тока от напряжения на выходе фототранзистора при постоянном токе на входе и фиксированном потоке излучения
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > выходная вольт-амперная характеристика фототранзистора
-
28 дифференциальная чувствительность ФЭПП
дифференциальная чувствительность ФЭПП
Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением малых приращений измеряемого параметра фотоприемника и потока излучения.
Обозначение
Sд
Sd
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
73. Дифференциальная чувствительность ФЭПП
D. Differentielle EmpfindUchkeit
E. Differential responsivity
F. Réponse différentielle
SД
Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением малых приращений измеряемого параметра фотоприемника и потока излучения
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > дифференциальная чувствительность ФЭПП
-
29 импульсная чувствительность ФЭПП
импульсная чувствительность ФЭПП
Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением амплитудных значений электрической величины на выходе ФЭПП и импульсного потока излучения заданной формы модуляции.
Обозначение
Sимп
Sp
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
74. Импульсная чувствительность ФЭПП
D. Impulsempfindlichkeit
E. Pulse responsivity
F. Réponse d'impulsions
Sимп
Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением амплитудных значений электрической величины на выходе ФЭПП и импульсного потока излучения заданной формы модуляции
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > импульсная чувствительность ФЭПП
-
30 напряжение фотосигнала ФЭПП
напряжение фотосигнала ФЭПП
Изменение напряжения на ФЭПП, вызванное действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала.
Обозначение
Uc
US
Примечание
Так как по переменному току нагрузка обычно подключена параллельно ФЭПП, то напряжение фотосигнала можно измерять на нагрузке.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
61. Напряжение фотосигнала ФЭПП
D. Photosignalspannung
E. Photoelectric signal voltage
F. Tension de signal photoélectrique
uc
Изменение напряжения на ФЭПП, вызванное действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала.
Примечание. Так как по переменному току нагрузка обычно подключена параллельно ФЭПП, то напряжение фотосигнала можно измерять на нагрузке
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > напряжение фотосигнала ФЭПП
-
31 неравномерность чувствительности ФЭПП по элементу
неравномерность чувствительности ФЭПП по элементу
Разность наибольшего и наименьшего значений чувствительности ФЭПП S(x,y), измеренной при перемещении в пределах фоточувствительного элемента оптического зонда с заданным спектральным распределением излучения и диаметром, отнесенная к среднему значению чувствительности.
Обозначение
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
142. Неравномерность чувствительности ФЭПП по элементу
D. Flächenungleichmässigkeit der Empfindlichkeit
E. Spacing response non-uniformity
F. Non-uniformité de la réponse spatiale
Разность наибольшего и наименьшего значений чувствительности ФЭПП S (x, у) измеренной при перемещении в пределах фоточувствительного элемента оптического зонда с заданным спектральным распределением излучения и диаметром, отнесенная к среднему значению чувствительности
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > неравномерность чувствительности ФЭПП по элементу
-
32 нестабильность чувствительности ФЭПП
- coefficient de l’instabilité de la réponse
- Coefficient de l'instabilité de la réponse
нестабильность чувствительности ФЭПП
Отношение максимального отклонения напряжения фотосигнала от среднего значения в течение заданного интервала времени при постоянных значениях потока излучения, температуры и постоянном напряжении питания ФЭПП к среднему значению.
Обозначение
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- coefficient de l’instabilité de la réponse
145. Нестабильность чувствительности ФЭПП
D. Instabilitätskoeffizient der Empfindlichkeit
E. Response unstability coefficient
F. Coefficient de l'instabilité de la réponse
Отношение максимального отклонения напряжения фотоситнала от среднего значения в течение заданного интервала времени при постоянных значениях потока излучения, температуры и постоянном напряжении питания ФЭПП к среднему значению
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > нестабильность чувствительности ФЭПП
-
33 общий ток коллектор-база фототранзистора
общий ток коллектор-база фототранзистора
Общий ток коллектор-база, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением.
Обозначение
Iбобщ к
ICB H
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
123. Общий ток коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Gesamtstrom eines Phototransistors
E. Collector-base total current of a phototransistor
F. Courant total collecteur-base de phototransistor
Общий ток коллектор-база, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > общий ток коллектор-база фототранзистора
-
34 общий ток коллектор-эмиттер фототранзистора
общий ток коллектор-эмиттер фототранзистора
Общий ток коллектор-эмиттер, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением.
Обозначение
Iэобщ к
ICE H
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
122. Общий ток коллектор-эмиттер фототранзистора
D. Kollektor-Emitter-Gesamtstrom eines Phototransistors
E. Collector-emitter total current of a phototransistor
F. Courant total collecteur-émetteur de phototransistor
Общий ток коллектор-эмиттер, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > общий ток коллектор-эмиттер фототранзистора
-
35 плоский угол зрения ФЭПП
плоский угол зрения ФЭПП
Угол в нормальной к фоточувствительному элементу плоскости между направлениями падения параллельного пучка излучения, при которых напряжение или ток фотосигнала ФЭПП уменьшается до заданного уровня
Обозначение
2ß
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
D. Gesichtsfeldwinkel
E. Angular field of view
F. Angle d'ouverture
2b
Угол в нормальной к фоточувствительному элементу плоскости между направлениями падения параллельного пучка излучения, при которых напряжение или ток фотосигнала ФЭПП уменьшается до заданного уровня
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > плоский угол зрения ФЭПП
-
36 предельная частота ФЭПП
предельная частота ФЭПП
Частота синусоидальномодулированного потока излучения, при которой чувствительность ФЭПП падает до значения 0,707 от чувствительности при немодулированном излучении.
Обозначение
f0
fg
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
D. Grenzfrequenz
E. Cut-off frequency
F. Fréquence de coupure
f0
Частота синусоидальномодулированного потока излучения, при которой чувствительность ФЭПП падает до значения 0,707 от чувствительности при немодулированном излучении
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > предельная частота ФЭПП
-
37 пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uкпр к
UBR CBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
106. Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
E. Collector-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage collecteur-base de
phototransistor
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
-
38 пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uэпр к
UBR CEO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
105. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
D. Kollektor-Emitter-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
E. Collector-emitters breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage collecteur-émetteur de phototransistor
Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
-
39 пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uбпрэ
UBR EBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
107. Пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
D. Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors
E. Emitter-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage emetteur-base de
pbototransistor
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
-
40 пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uкпрэ
UBR ECO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
108. Пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
D. Emitter-Kollektor-Durch-bruchspannung eines Phtototransistors
E. Emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage émetteur-collecteur de phototransistor
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
См. также в других словарях:
ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения — Терминология ГОСТ 21934 83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа: 12. p i n фотодиод D. Pin Photodiode E. Pin Photodiode F. Pin Photodiode Фотодиод, дырочная и … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Фотоэлектродвижущая сила — 16. Фотоэлектродвижущая сила Фото ЭДС Электродвижущая сила, возникающая в полупроводнике на р п переходе под действием оптического излучения Источник: ГОСТ 21934 83: Приемники излучения … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации