-
41 выходная емкость биполярного транзистора
выходная емкость биполярного транзистора
Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала.
Обозначение
C22
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
28. Выходная емкость биполярного транзистора
D. Ausgangskapazität
E. Output capacitance
F. Capacité de sortie
С*22
Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > выходная емкость биполярного транзистора
-
42 выходная мощность биполярного транзистора
выходная мощность биполярного транзистора
Мощность, которую отдает транзистор в типовой схеме генератора (усилителя) на заданной частоте.
Обозначение
Pвых
Pout
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
60. Выходная мощность биполярного транзистора
D. Ausgangsleistung
E. Output power
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > выходная мощность биполярного транзистора
-
43 выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
- Komplexer Kleinsignalausgangsleitwert
- 2. komplexer Kleinsignalausgangsleitwert
- 1. Kleinsignalausgangsleitwert
выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
1. Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току.
Обозначение
h22
2. Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызванному им изменению выходного напряжения при коротком замыкании по переменному току на входе.
Обозначение
y22
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- 1. small-signal value of the open-circuit output admittance
- 2. small-signal value of the short-circuit output admittance
DE
- 1. Kleinsignalausgangsleitwert
- 2. komplexer Kleinsignalausgangsleitwert
FR
- 1. valeur de l'admittance de sortie, entrée en circuit ouvert pour de petits signaux
- 2. valeur de l'admittance de sortie, entrée en court-circuit pour de petits signaux
25. Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D. Komplexer Kleinsignalausgangsleitwert
E. Small-signal value of the short-circuit output admittance
F. Valeur de l’admittance de sortie, entrée en court-circuit pour de petits signaux
y*22
Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызванному им изменению выходного напряжения при коротком замыкании по переменному току на входе
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
-
44 граничная частота коэффициента передачи тока
граничная частота коэффициента передачи тока
Частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к единице.
Обозначение
fгр
ft
Примечание
Частота, равная произведению модуля коэффициента передачи тока на частоту измерения, которая находится в диапазоне частот, где справедлив закон изменения модуля коэффициента передачи тока 6 дБ на октаву.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
30. Граничная частота коэффициента передачи тока
D. Übergangsfrequenz der Stromverstärkung (Transitfrequenz)
E. Transition frequency
F. Fréquence de transition
fгр
Частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к единице.
Примечание. Частота, равная произведению модуля коэффициента передачи тока на частоту измерения, которая находится в диапазоне частот, где справедлив закон изменения модуля коэффициента передачи тока 6 дБ на октаву
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > граничная частота коэффициента передачи тока
-
45 емкость коллекторного перехода
емкость коллекторного перехода
Емкость между выводами базы и коллектора транзистора при заданных обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой эмиттерной цепи.
Обозначение
CК
CC
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
44. Емкость коллекторного перехода
D. Kapazität der Kollektorsperrschicht
E. Collector capacitance
F. Capacité collecteur
Cк
Емкость между выводами базы и коллектора транзистора при заданных обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой эмиттерной цепи
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > емкость коллекторного перехода
-
46 емкость обратной связи биполярного транзистора
емкость обратной связи биполярного транзистора
Емкость биполярного транзистора, измеренная между входным и выходным выводами при коротком замыкании по переменному току на входе в режиме малого сигнала.
Обозначение
C12
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
28a. Емкость обратной связи биполярного транзистора
D. Rückwirkungskapazität
E. Feedback capacitance
F. Capacité de couplage à réaction
С*12
Емкость биполярного транзистора, измеренная между входным и выходным выводами при коротком замыкании по переменному току на входе в режиме малого сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > емкость обратной связи биполярного транзистора
-
47 емкость эмиттерного перехода
емкость эмиттерного перехода
Емкость между выводами эмиттера и базы транзистора при заданных обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутой коллекторной цепи.
Обозначение
CЭ
Ce
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
43. Емкость эмиттерного перехода
D. Kapazität der Emittersperrschicht
E. Emitter capacitance
F. Capacité émetteur
Cэ
Емкость между выводами эмиттера и базы транзистора при заданных обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутой коллекторной цепи
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > емкость эмиттерного перехода
-
48 импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
Обозначение
PИ
PM
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
63. Импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
D. Impulsverlustleistung
E. Peak power dissipation
F. Puissance dissipée de crète
Ри
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
49 коэффициент обратной передачи напряжения
коэффициент обратной передачи напряжения
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на входе к падающей волне на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению.
Обозначение
S12
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
DE
47. Коэффициент обратной передачи напряжения
D. Spannungsübertragungsfaktor rückwärts
S*12
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на входе к падающей волне на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > коэффициент обратной передачи напряжения
-
50 коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала
коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала
Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению напряжения на выходе в режиме холостого хода во входной цепи по переменному току.
Обозначение
h12
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- valeur du rapport de transfert inverse de la tension, entrée en circuit ouvert de petits signaux
15. Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D. Kleinsignalspannungsrückwirkung
E. Small-signal value of the open-circuit reverse voltage transfer ratio
F. Valeur du rapport de transfert inverse de la tension, entrée en circuit ouvert de petits signaux
h*12
Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению напряжения на выходе в режиме холостого хода во входной цепи по переменному току
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала
-
51 коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора
коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению.
Обозначение
S11
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
DE
46. Коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора
D. Eingangsreflexionsfaktor
S*11
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора
-
52 коэффициент отражения выходной цепи биполярного транзистора
коэффициент отражения выходной цепи биполярного транзистора
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению.
Обозначение
S22
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
DE
49. Коэффициент отражения выходной цепи биполярного транзистора
D. Ausgangsreflexionsfaktor
S*22
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > коэффициент отражения выходной цепи биполярного транзистора
-
53 коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала
коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала
Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току.
Обозначение
h21
h21
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- valeur du rapport de transfert direct du courant, sortie en court-circuit pour de petits signaux
16. Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D. Kleinsignalstromverstärkung
E. Small-signal value of the short-circuit forward current transfer ratio
F. Valeur du rapport de transfert direct du courant, sortie en court-circuit pour de petits signaux
h*21
Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала
-
54 коэффициент полезного действия коллектора
коэффициент полезного действия коллектора
Отношение выходной мощности транзистора к мощности, потребляемой от источника коллекторного питания.
Обозначение
ηК
ηC
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
35. Коэффициент полезного действия коллектора
D. Kollektorwirkungsgrad
E. Collector efficiency
F. Efficacité du collocteur
ηK
Отношение выходной мощности транзистора к мощности, потребляемой от источника коллекторного питания
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > коэффициент полезного действия коллектора
-
55 коэффициент прямой передачи напряжения
коэффициент прямой передачи напряжения
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на выходе и падающей волны на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению.
Обозначение
S21
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
DE
48. Коэффициент прямой передачи напряжения
D. Spannungsübertragungsfaktor vorwätrs
S*21
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на выходе и падающей волны на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > коэффициент прямой передачи напряжения
-
56 коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения.
Обозначение
KyP
Gp
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
D. Leistungsverstärkung
E. Power gain
F. Gain en puissance
КyP
Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
-
57 коэффициент шума биполярного транзистора
коэффициент шума биполярного транзистора
Отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала.
Обозначение
Kш
F
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
32. Коэффициент шума биполярного транзистора
D. Rauschzahl
E. Noise figure
F. Facteur de bruit
Kш
Отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > коэффициент шума биполярного транзистора
-
58 максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
Обозначение
Pи max
PM max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
80. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
D. Maximal zulässige Impulsverlustleistung
E. Maximum peak power dissipation
F. Puissance dissipée de crête maximale
* В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно «б» или «э» для отечественных буквенных обозначений и «b» и «е» для международных обозначений.
** Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс «max».
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
59 максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора
максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора
-
Обозначение
PК max
PС max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- maximum collector power dissipation (d.c.)
DE
FR
78. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора
D. Maximal zulässige Kollektorverlustleistung
E. Maximum collector power dissipation (d.c.)
F. Puissance dissipée au collecteur (continue) maximale
РК max
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора
-
60 максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
-
Обозначение
UКЭ, max
UСEM max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
76. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
D. Maximal zulässige Kollektor-Emitter-Impulsspannung
E. Maximum peak collector-emitter voltage
F. Tension de crête collecteur-émetteur maximale
UКЭ, и max
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
Перевод: со всех языков на все языки
со всех языков на все языки- Со всех языков на:
- Все языки
- Со всех языков на:
- Все языки
- Английский
- Немецкий
- Русский
- Французский
гост+20003-74:+транзисторы+биполярные.+термины,+определения+и+буквенные+обозначения+параметров
Страницы