-
1 структура металл -> оксид -> полупроводник
сокр. МОПУниверсальный немецко-русский словарь > структура металл -> оксид -> полупроводник
-
2 MOS-Struktur f
МОП-структура; структура металл-оксид-полупроводникDeutsch-Russische Wörterbuch der Elektronik > MOS-Struktur f
-
3 Mößbauer-Emissionsspektroskopie f
структура металл-оксид-полупроводник; МОП-структураDeutsch-Russische Wörterbuch der Elektronik > Mößbauer-Emissionsspektroskopie f
-
4 MAOS-Struktur f
Синонимы: Metall-Al2O3-SiO2-Si-StrukturDeutsch-Russische Wörterbuch der Elektronik > MAOS-Struktur f
-
5 Metall-Al2O3-SiO2-Si-Struktur f
Синонимы: MAOS-StrukturDeutsch-Russische Wörterbuch der Elektronik > Metall-Al2O3-SiO2-Si-Struktur f
-
6 Vertical MOS
прил.2) микроэл. V-МОП-структура, V-МОП-технология, МОП-структура с V-образной изолирующей канавкой, вертикальная МОП-структура, технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками -
7 VMOS
I f, сокр. от V-MOS1) МОП-структура с V-образной изолирующей канавкой, V-МОП-структура2) технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками, V-МОП-технологияII f, сокр. от Vertical MOSвертикальная МОП-структура, МОП-структура с вертикальными транзисторами -
8 V-groove MOS
сущ.микроэл. V-МОП-структура, V-МОП-технология, МОП-структура с V-образной изолирующей канавкой, вертикальная МОП-структура, технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками -
9 VMOS
прил.1) сокр. V-MOS -
10 Self-Aligned Gate MOS
прил.1) брит. МОП ИС с самосовмещённым затвором, МОП-структура с самосовмещённым затвором, технология МОП ИС с самосовмещёнными затворами2) микроэл. МОП-структура с самосовмещёнными затворами, технология МОП-структур с самосовмещёнными затворамиУниверсальный немецко-русский словарь > Self-Aligned Gate MOS
-
11 U-groove MOS
1. сокр.электр. U-МОП-структура, МОП-структура с U-образной изолирующей канавкой2. сущ. -
12 n-Kanal-MOS-Struktur
сокр.микроэл. n-МОП-структура, n-канальная МОП-структура, МОП-структура с каналом n-типаУниверсальный немецко-русский словарь > n-Kanal-MOS-Struktur
-
13 SAMOS
сущ.1) сокр. Stacked gate Avalanche injection MOS2) микроэл. Self-Aligned Gate MOS, Stacked-Gate Avalanche Injection MOS, МОП-структура с самосовмещёнными затворами, лавинно-инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами, технология ( получения) МОП-структур с самосовмещёнными затворами, технология (получения) лавинно-инжекционных МОП-структур с многоуровневыми затворами -
14 V-MOS
сокр.электр. V-МОП-структура, V-МОП-технология, МОП-структура с V-образной изолирующей канавкой, технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками -
15 SAMOS
I f, сокрю от Self-Aligned gate MOS II f, сокрю от Stacked gate Avalanche injection MOS1) [Stacked gate Avalanche injection MOS] лавинно-инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами2) [Stacked gate Avalanche injection MOS] технология получения лавинно-инжекционных МОП-структур с многоуровневыми затворами -
16 Complementary MOS
сущ.1) брит. КМОП-структура, КМОП-технология, комплементарная МОП-структура, комплементарная структура "металл-оксид-полупроводник", технология КМОП ИС2) микроэл. (Symmetrical) КМОП-структура, (Symmetrical) КМОП-технология, (Symmetrical) комплементарная МОП-структура -
17 ATMOS
сущ. -
18 D-MOS
1. сокр.сокр. Double diffusion MOS2. сущ.микроэл. Double-Diffused MOS, ДМОП-структура, ДМОП-технология, технология ( изготовления) двухдиффузионных МОП-транзисторов, технология МОП ИС с применением метода двойной диффузии, двухдиффузионная МОП-структура -
19 Double-Diffused MOS
сущ.микроэл. ДМОП-структура, ДМОП-технология, двухдиффузионная МОП-структура, технология получения МОП-структур методом двойной диффузии -
20 FAMOS-Struktur
прил.микроэл. лавинно-инжекционная МОП-структура с изолированным затвором, лавинно-инжекционная МОП-структура с плавающим затвором
См. также в других словарях:
МОП Структура — (МОП Металл Оксид полупроводник) наиболее широко используемый тип полевых транзисторов. Название МОП является традиционным названием такой структуры. Структура состоит из металла и полупроводника, разделённых слоем оксида SiO2. В общем случае… … Википедия
МОП структура — (МОП Металл Оксид полупроводник) наиболее широко используемый тип полевых транзисторов. Название МОП является традиционным названием такой структуры. Структура состоит из металла и полупроводника, разделённых слоем оксида SiO2. В общем случае… … Википедия
МОП-структура — (металл оксид полупроводник) наиболее широко используемый тип полевых транзисторов. Структура состоит из металла и полупроводника, разделённых слоем оксида кремния SiO2. В общем случае структуру называют МДП (металл … … Википедия
МОП-структура — MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. MOS structure vok. MOS Struktur, f rus. МОП структура, f pranc. structure MOS, f ryšiai: palygink – metalo oksido puslaidininkio darinys … Radioelektronikos terminų žodynas
МОП-структура с каналом n-типа — MOP darinys su n kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. n channel MOS; n channel MOS structure; n MOS structure vok. n Kanal MOS Struktur, f rus. n канальная МОП структура, f; МОП структура с каналом n типа, f pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
МОП-структура с каналом p-типа — MOP darinys su p kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. p channel MOS; p channel MOS structure vok. p Kanal MOS Struktur, f rus. p канальная МОП структура, f; МОП структура с каналом p типа, f pranc. structure MOS à canal… … Radioelektronikos terminų žodynas
МОП-структура с нижним затвором — MOP darinys su apatine užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. back gate MOS structure vok. Back Gate MOS Struktur, f; MOS Struktur mit rückwärtigem Substratanschluß, f rus. МОП структура с нижним затвором, f pranc. structure … Radioelektronikos terminų žodynas
МОП-структура с однотипными каналами — MOP darinys su vienarūšiais kanalais statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. single channel MOS; single channel MOS structure vok. Einkanal MOS Struktur, f rus. МОП структура с однотипными каналами, f pranc. structure MOS à canaux… … Radioelektronikos terminų žodynas
МОП-структура на транзисторах, работающих в режимах обогащения и обеднения — praturtintosios ir nuskurdintosios veikos MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. enhancement/depletion MOS; enhancement/depletion MOS structure vok. Enhancement/Depletion MOS Struktur, f; MOS Struktur des Anreicherungs… … Radioelektronikos terminų žodynas
МОП-структура с инжекционным затвором — MOP darinys su injekuojamąja užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. gate injection MOS; gate injection MOS structure vok. Injektionsgate MOS Struktur, f rus. МОП структура с инжекционным затвором, f pranc. structure MOS à… … Radioelektronikos terminų žodynas
МОП-структура с V-образными канавками — MOP darinys su V grioveliais statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. V groove MOS; V groove MOS structure vok. V Graben MOS Struktur, f rus. МОП структура с V образными канавками, f pranc. structure MOS à rainure en V, f … Radioelektronikos terminų žodynas
