(Ionenimplantation)

См. также в других словарях:

• Ionenimplantation — Die Ionenimplantation ist ein Verfahren zur Einbringung von Fremdatomen (in Form von Ionen) in ein Grundmaterial (Dotierung). Auf diese Weise lassen sich die Materialeigenschaften (meistens die elektrischen Eigenschaften) des Grundmaterials… …   Deutsch Wikipedia

• Ionenimplantation — Io|nen|im|plan|ta|ti|on: zur ↑ Dotierung entwickeltes Verfahren, bei dem Halbleiterwerkstoffe gebündelten ↑ Ionenstrahlen ausgesetzt werden, deren Eindringtiefe von der Beschleunigungsenergie (keV – MeV) abhängt. * * * Ionenimplantation,  … …   Universal-Lexikon

• Ionenimplantation — jonų implantavimas statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. ion implantation vok. Ionenimplantation, f rus. имплантация ионов, f pranc. implantation d’ions, f; implantation ionique, f …   Fizikos terminų žodynas

• Ionenimplantation durch eine Maske — kaukinis jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. masked ion implantation vok. Ionenimplantation durch eine Maske, f; maskierte Ionenimplantation, f rus. ионная имплантация через маску, f pranc. implantation… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Ionenimplantation ohne Maske — bekaukis jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. maskless ion implantation vok. Ionenimplantation ohne Maske, f; unmaskierte Ionenimplantation, f rus. безмасочная ионная имплантация, f pranc. implantation ionique… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Ionenimplantation in bipolaren Geräten — dvipolių darinių implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bipolar ion implantation vok. Ionenimplantation in bipolaren Geräten, f rus. ионная имплантация для биполярных приборов, f pranc. implantation ionique pour… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Ionenimplantation in den amorphen Halbleiter — jonų implantavimas į amorfinį puslaidininkį statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. amorphous ion implantation vok. Ionenimplantation in den amorphen Halbleiter, f rus. ионная имплантация в аморфный полупроводник, f pranc.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Ionenimplantation zur Erzeugung von MOS-Strukturen — jonpluoštis MOP darinių legiravimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. MOS ion implantation vok. Ionenimplantation zur Erzeugung von MOS Strukturen, f rus. ионное легирование для формирования МОП структур, n pranc. implantation …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Ionenimplantation zur Erzeugung von Verarmungsgebieten — skurdinamasis jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. depletion ion implantation vok. Ionenimplantation zur Erzeugung von Verarmungsgebieten, f rus. ионная имплантация для формирования обеднённой области, f pranc …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Ionenimplantation — Io|nen|im|plan|ta|ti|on* die; , en: Verfahren der Halbleitertechnologie zur gezielten Dotierung (vgl. ↑dotieren 2) von Halbleitermaterial durch Beschuss mit einem gebündelten Strahl stark beschleunigter Ionen zur Erzielung besserer… …   Das große Fremdwörterbuch

• Plasma Immersions Ionenimplantation — Bei der Plasma Immersions Ionenimplantation handelt es sich um ein Vakuumverfahren zur meist großflächigen Implantation von Ionen in Festkörperoberflächen. Es ist daher eng verwandt mit der Ionenimplantation. Das wesentlichste Merkmal ist das… …   Deutsch Wikipedia