-
1 полевой транзистор с изолированным затвором
полевой транзистор с изолированным затвором
Полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически изолированных от проводящего канала.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > полевой транзистор с изолированным затвором
-
2 n-МОП-транзисторная ИС с поликремниевым затвором
abbrmicroel. (самосовмещённым) nMOS-SGT-SchaltkreisУниверсальный русско-немецкий словарь > n-МОП-транзисторная ИС с поликремниевым затвором
-
3 p-канальный МОП-транзистор с поликремниевым затвором
adjelectr. p-Kanal-Si-Gate-FETУниверсальный русско-немецкий словарь > p-канальный МОП-транзистор с поликремниевым затвором
-
4 ИС на МОП-транзисторах с нижним затвором
abbrmicroel. BMOS-SchaltungУниверсальный русско-немецкий словарь > ИС на МОП-транзисторах с нижним затвором
-
5 ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с изолированным затвором
abbr1) brit.engl. Bipolar Insulated-Gate FET2) microel. BIGFET, Bipolar Insulated-Gate Field-Effect Transistor, Bipolar-IGFETУниверсальный русско-немецкий словарь > ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с изолированным затвором
-
6 ИС усилителя с плавающим затвором
abbrmicroel. Floating-Gate-VerstärkerУниверсальный русско-немецкий словарь > ИС усилителя с плавающим затвором
-
7 КМОП ИС с самосовмещённым затвором
abbrelectr. Self-Aligned CMOSУниверсальный русско-немецкий словарь > КМОП ИС с самосовмещённым затвором
-
8 КМОП-структура с самосовмещённым затвором
abbrelectr. Self-Aligned CMOSУниверсальный русско-немецкий словарь > КМОП-структура с самосовмещённым затвором
-
9 МДП-транзистор с нижним затвором
abbrmicroel. Backgate-MISFETУниверсальный русско-немецкий словарь > МДП-транзистор с нижним затвором
-
10 МНОП ИС с самосовмещённым затвором
abbrelectr. Self-Aligned gate MNOSУниверсальный русско-немецкий словарь > МНОП ИС с самосовмещённым затвором
-
11 МНОП-структура с самосовмещённым затвором
abbrelectr. Self-Aligned gate MNOSУниверсальный русско-немецкий словарь > МНОП-структура с самосовмещённым затвором
-
12 МОП ИС с двухуровневым поликремниевым затвором
abbrmicroel. Doppel-Poly-Si-Gate-SchaltkreisУниверсальный русско-немецкий словарь > МОП ИС с двухуровневым поликремниевым затвором
-
13 МОП ИС с инжекционным затвором
abbrmicroel. (плавающим) Gate-Injection MOSУниверсальный русско-немецкий словарь > МОП ИС с инжекционным затвором
-
14 МОП ИС с поликремниевым затвором
abbrmicroel. (самосовмещённым) MOS-SGT-SchaltkreisУниверсальный русско-немецкий словарь > МОП ИС с поликремниевым затвором
-
15 МОП ИС с самосовмещённым затвором
abbrbrit.engl. Self-Aligned Gate MOSУниверсальный русско-немецкий словарь > МОП ИС с самосовмещённым затвором
-
16 МОП транзисторная ИС с поликремниевым затвором
abbrmicroel. (самосовмещённым) nMOS-SGT-SchaltkreisУниверсальный русско-немецкий словарь > МОП транзисторная ИС с поликремниевым затвором
-
17 МОП-прибор с алюминиевым затвором
abbrmicroel. Al-Gate-MOS-Bauelement, MOS-Bauelement mit Al-Gate, MOS-Bauelement mit Al-SteuerelektrodeУниверсальный русско-немецкий словарь > МОП-прибор с алюминиевым затвором
-
18 МОП-прибор с кремниевым затвором
abbrmicroel. MOS-Bauelement mit Si-Gate, MOS-Bauelement mit Si-Steuerelektrode, Si-Gate-MOS-BauelementУниверсальный русско-немецкий словарь > МОП-прибор с кремниевым затвором
-
19 МОП-структура с двойным поликремниевым затвором
abbrmicroel. Doppel-Poly-Si-Gate-MOS-StrukturУниверсальный русско-немецкий словарь > МОП-структура с двойным поликремниевым затвором
-
20 МОП-структура с изолированным затвором
abbr1) brit.engl. Insulated Gate MOS2) microel. IGMOS, MOS-Struktur mit isoliertem Gate, MOS-Struktur mit isolierter SteuerelektrodeУниверсальный русско-немецкий словарь > МОП-структура с изолированным затвором
См. также в других словарях:
Биполярный транзистор с изолированным затвором — Силовая сборка на IGBT IGBT (англ. Insulated Gate Bipolar Transistor биполярный транзистор с изолированным затвором) силовой электронный прибор, предназначенный в основном, для управления электрическими приводами. Выпускаются как отдельные IGBT… … Википедия
МОП-структура с нижним затвором — MOP darinys su apatine užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. back gate MOS structure vok. Back Gate MOS Struktur, f; MOS Struktur mit rückwärtigem Substratanschluß, f rus. МОП структура с нижним затвором, f pranc. structure … Radioelektronikos terminų žodynas
полевой транзистор с гребенчатым затвором — lauko tranzistorius su šukine užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. multiple gate finger field effect transistor vok. Doppelkammgate Feldeffekttransistor, m rus. полевой транзистор с гребенчатым затвором, m pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
полевой транзистор с затвором Шотки — Šotkio lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal Schottky field effect transistor; metal semiconductor field effect transistor; Schottky barrier gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit… … Radioelektronikos terminų žodynas
полевой транзистор с противоположно расположенными затвором и истоком — lauko tranzistorius su priešinėmis užtūra ir ištaka statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. opposed gate source transistor vok. Feldeffekttransistor mit einander gegenüberliegenden Gate und Source, m rus. полевой транзистор с… … Radioelektronikos terminų žodynas
полевой транзистор с изолированным затвором — lauko tranzistorius su izoliuota užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. insulated gate FET; insulated gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate, m; Isolierschicht Feldeffekttransistor, m rus … Radioelektronikos terminų žodynas
полевой транзистор с изолированным кремниевым затвором — lauko tranzistorius su izoliuota silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon insulated gate FET; silicon insulated gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit isoliertem Si Gate, m rus. полевой… … Radioelektronikos terminų žodynas
полевой транзистор с резистивным изолированным затвором — lauko tranzistorius su varžine izoliuota užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. resistive insulated gate FET; resistive insulated gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit isoliertem Widerstandsgate, m rus.… … Radioelektronikos terminų žodynas
полевой транзистор с самосовмещённым затвором — lauko tranzistorius su susitapatinančia užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit selbstjustiertem Gate, m rus. полевой транзистор с самосовмещённым… … Radioelektronikos terminų žodynas
полевой транзистор со смещённым затвором — lauko tranzistorius su paslinkta užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. offset gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit verschobenem Gate, m rus. полевой транзистор со смещённым затвором, m pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
полевой транзистор с плавающим затвором — lauko tranzistorius su plūdriąja užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. floating gate field effect transistor vok. Floating Gate Feldeffekttransistor, m rus. полевой транзистор с плавающим затвором, m pranc. transistor à… … Radioelektronikos terminų žodynas