-
41 Ferroelectric RAM
ферроэлектрическое ОЗУ
Тип энергонезависимой памяти, прообразом которой является ОЗУ на магнитных сердечниках. Запоминающая ячейка FRAM выполнена на кристалле сегнетоэлектрика с доменной структурой. Под действием внешнего электрического поля домены в сегнетоэлектрике смещаются и кристалл может находиться в поляризованном состоянии сколь угодно долго. Для изменения его состояния необходимо приложить достаточно сильное поле противоположного направления (коэрцитивное поле). Одно из основных преимуществ FRAM - отсутствие деградации ячеек памяти при многократных циклах перезаписи.
[Л.М. Невдяев. Телекоммуникационные технологии. Англо-русский толковый словарь-справочник. Под редакцией Ю.М. Горностаева. Москва, 2002]Тематики
- электросвязь, основные понятия
EN
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > Ferroelectric RAM
См. также в других словарях:
коэффициент прямоугольности петли гистерезиса сегнетоэлектрика — коэффициент прямоугольности Отношение остаточной поляризованности к поляризованности насыщения сегнетоэлектрика. [ГОСТ 21515 76] Тематики материалы диэлектрические Синонимы коэффициент прямоугольности … Справочник технического переводчика
поляризованность насыщения сегнетоэлектрика — Ндп. поляризация насыщения Наибольшее значение поляризованности сегнетоэлектрика, соответствующее началу участка насыщения. Примечание Участок насыщения часть петли диэлектрического гистерезиса, где две ее ветви сходятся вместе. [ГОСТ 21515 76]… … Справочник технического переводчика
Коэффициент прямоугольности петли гистерезиса сегнетоэлектрика — 112. Коэффициент прямоугольности петли гистерезиса сегнетоэлектрика Коэффициент прямоугольности Отношение остаточной поляризованности к поляризованности насыщения сегнетоэлектрика Источник: ГОСТ 21515 76: Материалы диэлектрические. Термины и… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Поляризованность насыщения сегнетоэлектрика — 111. Поляризованность насыщения сегнетоэлектрика Ндп. Поляризация насыщения Наибольшее значение поляризованности сегнетоэлектрика, соответствующее началу участка насыщения. Примечание. Участок насыщения часть петли диэлектрического гистерезиса,… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
коэрцитивная сила сегнетоэлектрика — Ндп. коэрцитивное поле Напряженность электрического или магнитного поля, или механическое напряжение, необходимая(ое) для переориентации сегнетоэлектрических доменов. [ГОСТ 21515 76] Недопустимые, нерекомендуемые коэрцитивное поле Тематики… … Справочник технического переводчика
поляризация сегнетоэлектрика — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.] Тематики электротехника, основные понятия EN ferroelectric polarizationpoling … Справочник технического переводчика
Коэрцитивная сила сегнетоэлектрика — 114. Коэрцитивная сила сегнетоэлектрика Ндп. Коэрцитивное поле Напряженность электрического или магнитного поля, или механическое напряжение, необходимая(ое) для переориентации сегнетоэлектрических доменов Источник: ГОСТ 21515 76: Материалы… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ГОСТ 21515-76: Материалы диэлектрические. Термины и определения — Терминология ГОСТ 21515 76: Материалы диэлектрические. Термины и определения оригинал документа: 32. Абсолютная диэлектрическая проницаемость По ГОСТ 19880 74 Определения термина из разных документов: Абсолютная диэлектрическая проницаемость … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСТВО — электрический аналог ферромагнетизма. Подобно тому как в ферромагнитных веществах при помещении их в магнитное поле проявляется остаточная магнитная поляризация (момент), в сегнетоэлектрических диэлектриках, помещенных в электрическое поле,… … Энциклопедия Кольера
Сегнетоэлектрик — Зависимость поляризации P от напряжённости электрического поля Е в ВЧ диэлектрике … Википедия
FRAM — Типы компьютерной памяти Энергозависимая DRAM (в том числе DDR SDRAM) SRAM Перспективные T RAM Z RAM TTRAM Из истории Память на линиях задержки Запоминающая электронстатическая трубка Запоминающая ЭЛТ Энергонезависимая ПЗУ PROM … Википедия
