-
41 обеднение носителей
n -
42 эмиттер основных носителей
Dictionnaire russe-français universel > эмиттер основных носителей
-
43 инжекционный фотодиод
инжекционный фотодиод
Фотодиод, работающий в режиме внутреннего усиления фотосигнала за счет инжекции свободных носителей заряда.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
D. Injektionsphotodiode
E. Injection photodiode
F. Photodiode d'injection
-
Фотодиод, работающий в режиме внутреннего усиления фотосигнала за счет инжекции свободных носителей заряда
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > инжекционный фотодиод
-
44 биполярный транзистор
биполярный транзистор
транзистор
Полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда.
Примечание
Работа биполярного транзистора зависит от носителей обеих полярностей.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > биполярный транзистор
-
45 время жизни
-
46 диффузионное распространение
adjradio. propagation par diffusion, propagation par diffusion (носителей заряда)Dictionnaire russe-français universel > диффузионное распространение
-
47 длина дрейфа
-
48 лавинное размножение
Dictionnaire russe-français universel > лавинное размножение
-
49 объёмное время жизни
adjeng. durée de vie du volume (напр. носителей заряда)Dictionnaire russe-français universel > объёмное время жизни
-
50 подповерхностная концентрация
Dictionnaire russe-français universel > подповерхностная концентрация
-
51 увеличение концентрации
nradio. enrichissement (носителей заряда)Dictionnaire russe-français universel > увеличение концентрации
-
52 умножение под действием света
nradio. (носителей заряда) photomultiplicationDictionnaire russe-français universel > умножение под действием света
-
53 фотоинжекция
n -
54 активная часть базовой области
активная часть базовой области
Часть базовой области биполярного транзистора, в которой накопление или рассасывание неосновных носителей заряда происходит за время перемещения их от эмиттерного перехода к коллекторному переходу.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > активная часть базовой области
-
55 бездрейфовый транзистор
бездрейфовый транзистор
Ндп. диффузионный транзистор
Биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базовую область осуществляется в основном посредством диффузии.
[ ГОСТ 15133-77]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
EN
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > бездрейфовый транзистор
-
56 дрейфовый транзистор
дрейфовый транзистор
Биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базовую область осуществляется в основном посредством дрейфа.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > дрейфовый транзистор
-
57 инжекционно-пролетный диод
инжекционно-пролетный диод
Полупроводниковый диод, работающий в режиме инжекции носителей заряда в область запорного слоя и предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > инжекционно-пролетный диод
-
58 лавинно-пролетный диод
лавинно-пролетный диод
Полупроводниковый диод, работающий в режиме лавинного размножения носителей заряда при обратном смещении электрического перехода и предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > лавинно-пролетный диод
-
59 лавинный пробой p-n перехода
лавинный пробой p-n перехода
Электрический пробой p-n перехода, вызванный лавинным размножением носителей заряда под действием сильного электрического поля.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > лавинный пробой p-n перехода
-
60 лавинный транзистор
лавинный транзистор
Биполярный транзистор, действие которого основано на использовании режима лавинного размножения носителей заряда в коллекторном переходе.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > лавинный транзистор
См. также в других словарях:
ДРЕЙФ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — упорядоченное движение подвижных носителей заряда в твёрдом теле под действием внеш. полей. Д. н. з. накладывается на их беспорядочное (тепловое) движение, но скорость Д. н. з. vдр обычно мала по сравнению со скоростью теплового движения. Под… … Физическая энциклопедия
ИНЖEКЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — увеличение концентрации носителей заряда в полупроводнике (диэлектрике) в результате переноса носителей током из областей с повыш. концентрацией (металлич. контактов, гетеропереходов )под действием внеш. электрич. поля. И. н. з. приводит к… … Физическая энциклопедия
ЭКСТРАКЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — в полупроводниках, обеднение приконтактной области ПП неосновными носителями заряда при протекании тока через контакт ПП с металлом (см. ШОТКИ БАРЬЕР) или др. полупроводником (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОДГЕТЕРОПЕРЕХОД,) при запорном… … Физическая энциклопедия
ЗАХВАТ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — в полупроводниках переход электрона из зоны проводимости на примесный уровень в запрещённой зоне полупроводника либо с примесного уровня в валентную зону (последний случай удобнее рассматривать как переход дырки из валентной зоны на примесный… … Физическая энциклопедия
РАССЕЯНИЕ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — в кристаллич. твёрдых телах процесс взаимодействия электрона проводимости (дырки) с нарушениями идеальной периодичности кристалла, сопровождающийся переходом электрона из состояния с импульсом p в состояние с импульсом Рассеяние наз. упругим,… … Физическая энциклопедия
ИНЖЕКЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — ИНЖЕКЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА, увеличение концентрации носителей заряда (см. НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА) в полупроводнике или диэлектрике в результате переноса носителей током из областей с более высокой концентрацией (обычно через контакт с металлом, p n… … Энциклопедический словарь
Подвижность носителей заряда — коэффициент пропорциональности между дрейфовой скоростью носителей и приложенным внешним электрическим полем. Определяет способность электронов и дырок в металлах и полупроводниках реагировать на внешнее воздействие. Размерность подвижности… … Википедия
накопление неравновесных носителей заряда в базе — накопление заряда в базе Увеличение концентрации и величины зарядов, образованные неравновесными носителями заряда в базе в результате увеличения инжекции или в результате генерации носителей заряда. [ГОСТ 15133 77] Тематики полупроводниковые… … Справочник технического переводчика
подвижность носителей заряда — отношение скорости направленного движения носителей заряда в веществе под действием электрического поля к напряжённости этого поля. 1) В газе подвижность ионов и электронов обратно пропорциональна давлению газа, массе частиц и их средней… … Энциклопедический словарь
избыточная концентрация носителей заряда полупроводника — избыточная концентрация Избыток концентрации неравновесных носителей заряда в полупроводнике над концентрацией равновесных носителей заряда. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы избыточная концентрация … Справочник технического переводчика
скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда полупроводника — скорость поверхностной рекомбинации Отношение плотности потока носителей заряда, рекомбинировавших на поверхности полупроводника, к концентрации избыточных носителей заряда у поверхности. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые… … Справочник технического переводчика