-
21 generation-recombination wave
генерационно-рекомбинационная волна, ГР-волна ( носителей заряда в полупроводниках)Англо-русский словарь промышленной и научной лексики > generation-recombination wave
-
22 GRW
generation-recombination wave — генерационно-рекомбинационная волна, ГР-волна ( носителей заряда в полупроводниках) -
23 photon drag
Англо-русский словарь промышленной и научной лексики > photon drag
-
24 Эффект Холла
Эффект ХоллаЯвление возникновения поперечной разности потенциалов (называемой также Холловским напряжением) при помещении проводника с постоянным током в магнитное поле. Эффект Холла – один из наиболее информативных методов изучения энергетического спектра носителей заряда в металлах и полупроводниках. -
25 Hall Effect
Эффект ХоллаЯвление возникновения поперечной разности потенциалов (называемой также Холловским напряжением) при помещении проводника с постоянным током в магнитное поле. Эффект Холла – один из наиболее информативных методов изучения энергетического спектра носителей заряда в металлах и полупроводниках. -
26 спинтроника
Спинтроника (Спиновая электроника)Область квантовой электроники, использующая эффект спинового токопереноса (спин-поляризованного транспорта) в гетероструктурах ферромагнетик-парамагнетик или ферромагнетик-сверхпроводник. В таких гетероструктурах источником спин- поляризованных электронов (спин- инжектором) является проводящий ферромагнетик (проводник или полупроводник), обладающий в намагниченном состоянии спонтанной, спиновой упорядоченностью носителей заряда; в ферромагнитных полупроводниках достигаются уровни спиновой поляризации значительно более высокие (до 100%), чем в металлах (до 10%). -
27 spintronics
Спинтроника (Спиновая электроника)Область квантовой электроники, использующая эффект спинового токопереноса (спин-поляризованного транспорта) в гетероструктурах ферромагнетик-парамагнетик или ферромагнетик-сверхпроводник. В таких гетероструктурах источником спин- поляризованных электронов (спин- инжектором) является проводящий ферромагнетик (проводник или полупроводник), обладающий в намагниченном состоянии спонтанной, спиновой упорядоченностью носителей заряда; в ферромагнитных полупроводниках достигаются уровни спиновой поляризации значительно более высокие (до 100%), чем в металлах (до 10%). -
28 Эффект Холла
Эффект ХоллаЯвление возникновения поперечной разности потенциалов (называемой также Холловским напряжением) при помещении проводника с постоянным током в магнитное поле. Эффект Холла – один из наиболее информативных методов изучения энергетического спектра носителей заряда в металлах и полупроводниках. -
29 Hall Effect
Эффект ХоллаЯвление возникновения поперечной разности потенциалов (называемой также Холловским напряжением) при помещении проводника с постоянным током в магнитное поле. Эффект Холла – один из наиболее информативных методов изучения энергетического спектра носителей заряда в металлах и полупроводниках. -
30 спинтроника
Спинтроника (Спиновая электроника)Область квантовой электроники, использующая эффект спинового токопереноса (спин-поляризованного транспорта) в гетероструктурах ферромагнетик-парамагнетик или ферромагнетик-сверхпроводник. В таких гетероструктурах источником спин- поляризованных электронов (спин- инжектором) является проводящий ферромагнетик (проводник или полупроводник), обладающий в намагниченном состоянии спонтанной, спиновой упорядоченностью носителей заряда; в ферромагнитных полупроводниках достигаются уровни спиновой поляризации значительно более высокие (до 100%), чем в металлах (до 10%). -
31 spintronics
Спинтроника (Спиновая электроника)Область квантовой электроники, использующая эффект спинового токопереноса (спин-поляризованного транспорта) в гетероструктурах ферромагнетик-парамагнетик или ферромагнетик-сверхпроводник. В таких гетероструктурах источником спин- поляризованных электронов (спин- инжектором) является проводящий ферромагнетик (проводник или полупроводник), обладающий в намагниченном состоянии спонтанной, спиновой упорядоченностью носителей заряда; в ферромагнитных полупроводниках достигаются уровни спиновой поляризации значительно более высокие (до 100%), чем в металлах (до 10%). -
32 doping
- наложение защитных покрытий
- легирование (в полупроводниках)
- добавление присадок
- введение примеси
- введение добавок
введение примеси
легирование
примесь
—
[Л.Г.Суменко. Англо-русский словарь по информационным технологиям. М.: ГП ЦНИИС, 2003.]Тематики
Синонимы
EN
добавление присадок
(напр. в топливо)
[А.С.Гольдберг. Англо-русский энергетический словарь. 2006 г.]Тематики
EN
легирование
Введение легирующей добавки в полупроводник для изменения его электрических свойств путем создания концентрации носителей n-типа или p-типа. Легирование обычно выполняется с помощью процессов диффузии или ионной имплантации.
[ http://www.cscleansystems.com/glossary.html]Тематики
EN
наложение защитных покрытий
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > doping
- 1
- 2
См. также в других словарях:
РАССЕЯНИЕ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — в кристаллич. твёрдых телах процесс взаимодействия электрона проводимости (дырки) с нарушениями идеальной периодичности кристалла, сопровождающийся переходом электрона из состояния с импульсом p в состояние с импульсом Рассеяние наз. упругим,… … Физическая энциклопедия
КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ — неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении электрич. тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом или через контакт двух различных полупроводников (гетеропереход )либо через границу двух областей одного и того … Физическая энциклопедия
ДРЕЙФ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — упорядоченное движение подвижных носителей заряда в твёрдом теле под действием внеш. полей. Д. н. з. накладывается на их беспорядочное (тепловое) движение, но скорость Д. н. з. vдр обычно мала по сравнению со скоростью теплового движения. Под… … Физическая энциклопедия
ИНЖEКЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — увеличение концентрации носителей заряда в полупроводнике (диэлектрике) в результате переноса носителей током из областей с повыш. концентрацией (металлич. контактов, гетеропереходов )под действием внеш. электрич. поля. И. н. з. приводит к… … Физическая энциклопедия
ЭКСТРАКЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — в полупроводниках, обеднение приконтактной области ПП неосновными носителями заряда при протекании тока через контакт ПП с металлом (см. ШОТКИ БАРЬЕР) или др. полупроводником (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОДГЕТЕРОПЕРЕХОД,) при запорном… … Физическая энциклопедия
ДИФФУЗИЯ НОСИТЕЛЕЙ — перемещение носителей заряда в полупроводниках, обусловленное неоднородностями их концентрации. В результате Д. н. в ПП возникает электрич. ток плотностью: j=eDngradrn eDpgradp, где е заряд эл на, n концентрация эл нов проводимости, р дырок, Dn,… … Физическая энциклопедия
ЗАХВАТ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — в полупроводниках переход электрона из зоны проводимости на примесный уровень в запрещённой зоне полупроводника либо с примесного уровня в валентную зону (последний случай удобнее рассматривать как переход дырки из валентной зоны на примесный… … Физическая энциклопедия
Подвижность носителей тока — Подвижность носителей заряда коэффициент пропорциональности между дрейфовой скоростью носителей и приложенным внешним электрическим полем. Определяет способность электронов и дырок в металлах и полупроводниках реагировать на внешнее воздействие.… … Википедия
Подвижность носителей заряда — коэффициент пропорциональности между дрейфовой скоростью носителей и приложенным внешним электрическим полем. Определяет способность электронов и дырок в металлах и полупроводниках реагировать на внешнее воздействие. Размерность подвижности… … Википедия
Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках — Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках, исчезновение пары электрон проводимости ‒ дырка в результате перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону. Избыток энергии может выделяться в виде излучения (излучательная Р.).… … Большая советская энциклопедия
легирование (в полупроводниках) — легирование Введение легирующей добавки в полупроводник для изменения его электрических свойств путем создания концентрации носителей n типа или p типа. Легирование обычно выполняется с помощью процессов диффузии или ионной имплантации.… … Справочник технического переводчика
