-
21 GaAs-Logikschaltung
микроэл. логическая ИС на GaAs, логическая ИС на арсениде галлия -
22 GaAs-MESFET
микроэл. полевой транзистор (с затвором) Шоттки на GaAs, полевой транзистор (с затвором) Шоттки на арсениде галлия -
23 GaAs-MESFET-IS
микроэл. ИС на GaAs, ИС на полевом транзисторе Шоттки на арсениде галлия -
24 GaAs-MODFET
микроэл. модуляционно-легированный полевой транзистор на GaAs, модуляционно-легированный полевой транзистор на арсениде галлия -
25 GaAs-MOS-Bauelement
микроэл. МОП-прибор на GaAs, МОП-прибор на арсениде галлия -
26 GaAs-Mikrowellen-FET
микроэл. полевой СВЧ-транзистор на GaAs, полевой СВЧ-транзистор на арсениде галлияУниверсальный немецко-русский словарь > GaAs-Mikrowellen-FET
-
27 GaAs-SFET
микроэл. полевой транзистор с p-n-переходом на GaAs, полевой транзистор с p-n-переходом на арсениде галлия -
28 GaAs-Schottky-Diode
микроэл. диод Шоттки на GaAs, диод Шоттки на арсениде галлия -
29 GaAs-Transistor
микроэл. транзистор на GaAs, транзистор на арсениде галлия -
30 GaAs-Transistor mit inverser Basis
Универсальный немецко-русский словарь > GaAs-Transistor mit inverser Basis
-
31 GaAs-Transistor mit permeabler Basis
Универсальный немецко-русский словарь > GaAs-Transistor mit permeabler Basis
-
32 Gallium-Arsenide FETT
сущ.Универсальный немецко-русский словарь > Gallium-Arsenide FETT
-
33 Galliumarsenid-FET
предл.микроэл. полевой транзистор (Шоттки) на GaAs, полевой транзистор (Шоттки) на арсениде галлия -
34 Galliumarsenid-Gunnelement
предл.микроэл. прибор Ганна на GaAs, прибор Ганна на арсениде галлияУниверсальный немецко-русский словарь > Galliumarsenid-Gunnelement
-
35 Galliumarsenid-IS
предл.микроэл. ИС на арсениде галлия -
36 Galliumarseniddiode
сущ.микроэл. GaAs-диод, арсенидгаллиевый диод, диод на арсениде галлия -
37 IBT
сущ.микроэл. Inversion Base Transistor, Ion-Implanted Base Transistor, Transistor mit inverser Basis, транзистор ( на арсениде галлия) с инверсной базой, транзистор с ионно-имплантированной базой -
38 Inversion Base Transistor
сущ.Универсальный немецко-русский словарь > Inversion Base Transistor
-
39 TED-FET-IS
-
40 Transistor mit inverser Basis
сущ.Универсальный немецко-русский словарь > Transistor mit inverser Basis
См. также в других словарях:
логический элемент на арсениде галлия — loginis galio arsenido elementas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. GaAs logic gate vok. GaAs Logikgatter, n; Galiumarsenid Logikgatter, n rus. логический элемент на арсениде галлия, m pranc. porte logique en GaAs, f … Radioelektronikos terminų žodynas
полевой транзистор на арсениде галлия — galio arsenido lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. gallium arsenide field effect transistor vok. Galiumarsenid Feldeffekttransistor, m rus. полевой транзистор на арсениде галлия, m pranc. transistor à effet… … Radioelektronikos terminų žodynas
логическая схема на арсениде галлия — loginis galio arsenido grandynas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. gallium arsenide logic vok. Galliumarsenidlogik, f rus. логическая схема на арсениде галлия, f pranc. logique en arséniure de gallium, f … Radioelektronikos terminų žodynas
ИНДИЯ ФОСФИД — ИНДИЯ ФОСФИД, InP, монокристаллический полупроводниковый материал, относящийся к классу соединений AIIIBV. Монокристаллы фосфида индия имеют наибольшие перспективы широкого промышленного производства и применения после арсенида галлия (см. ГАЛЛИЯ … Энциклопедический словарь
МИКРОДЕФЕКТЫ — в полупроводниках (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ), любые локальные нарушения периодичности кристаллической структуры размером от сотых долей до нескольких десятков мкм, выявляемые с помощью прямых методов наблюдения (оптических или дифракционных). Для… … Энциклопедический словарь
ATM — У этого термина существуют и другие значения, см. ATM (значения). ATM (англ. Asynchronous Transfer Mode асинхронный способ передачи данных) сетевая высокопроизводительная технология коммутации и мультиплексирования, основанная на … Википедия
Леговец, Курт — Курт Леговец Kurt Lehovec Дата рождения: 12 июня 1918(1918 06 12) Место рождения: Ледвице … Википедия
ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ — ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ, нарушения кристаллической структуры, размеры которых во всех трех измерениях сравнимы с одним или несколькими междуатомными расстояниями. Точечный дефект может иметь простую или сложную структуру. Виды точечных дефектов Вакансия … Энциклопедический словарь
Ганна диод — полупроводниковый прибор, работа которого основана на Ганна эффекте. Основным элементом Г. д. является полупроводниковый кристалл из арсенида галлия, фосфида индия или др. толщиной от единиц до сотен мкм, к которому присоединены 2… … Большая советская энциклопедия
Наследов, Дмитрий Николаевич — (12.VIII.1903 8.I.1975) советский физик. Р. в Киеве. Окончил Киевский ун т (1924). В 1924 30 работал в Украинском рентгенологическом ин те, с 1930 в Ленинградском физико техническом ин те и Политехническом ин те (с 1934 профессор). Работы… … Большая биографическая энциклопедия
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ — определение хим. состава и исследование энергетич. структуры примесей в полупроводниках по спектрам их примесной фотопроводимости. В Ф. с. используется двухступенчатая ионизация примесных атомов: сначала атом примеси поглощает фотон и переходит в … Физическая энциклопедия