-
41 intrinsic liquid-crystal interface speed
скорость распространения границы раздела беспримесного расплава и монокристаллаАнгло-русский словарь промышленной и научной лексики > intrinsic liquid-crystal interface speed
-
42 Kikuchi lines
линии Кикучи (светлые и тёмные линии, наложенные на фон электронной дифракционной картины монокристалла; эти линии создаются дифракцией диффузно рассеянных электронов внутри кристалла)Англо-русский словарь промышленной и научной лексики > Kikuchi lines
-
43 photoepitaxy
фотоэпитаксия (изменение текстуры электрического рельефа на поверхности монокристалла при её освещении)Англо-русский словарь промышленной и научной лексики > photoepitaxy
-
44 polygonization
полигонизация (образование структуры монокристалла с многоугольной сеткой малоугловых границ зёрен)Англо-русский словарь промышленной и научной лексики > polygonization
-
45 Schmid’s law
закон Шмида (скольжение монокристалла начинается на плоскости скольжения при достижении разрешённым напряжением сдвига критической величины)Англо-русский словарь промышленной и научной лексики > Schmid’s law
-
46 абразивное зерно
абразивное зерно
зерно
Ндп. шлифовальное зерно
Частица абразивного материала в виде монокристалла, поликристалла или их осколков.
[ ГОСТ 21445-84]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
- обработка абразивная, абразивы
Синонимы
EN
DE
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > абразивное зерно
-
47 выращивание монокристаллов
выращивание монокристаллов
Получение (изготовл.) вещ-в в виде объемных монокристаллов или монокристаллич. эпитаксиальных слоев и пленок кристаллизацией расплавов или из паровой (газовой) фазы.
В основе методов в. м.из расплавов — кристаллизация в тепловом поле, имеющем заданный градиент темп-ры, к-рый определяет направление потока тепла и, соответственно, направление кристаллизации. Такая кристаллизация называется направленной кристаллизацией.
На рис. 1, а приведена схема вертик. устр-ва для выращивания монокристаллов методом Бриджмена. Процесс направленной кристаллизации ведется в герметичных ампулах-контейнерах, в к-рых создан или вакуум, или атмосфера инертного газа. Обычно в кач-ве зародыша кристаллизации используют небольшой монокристалл вещ-ва необходимой кристаллографич. ориентации, который получил название затравки 5. Для направленной кристаллизации перемещают ампулу 2 относит, градиентного темп-рного поля. Такое перемещение достигается или опусканием ампулы 2, или подъемом узла нагрева 1. Диам. монокристалла определяется геометрич. размерами ампулы. При использовании ампул из кварца наиб. размер монокристаллов в попереч. сечении редко превышает 50 мм.
[ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > выращивание монокристаллов
-
48 графитируемость
графитируемость
Свойствоо углеродного материала приобретать структуру графита под действием выс. темп-ры. Г. оценивается «степенью графитации», показыв. в относит. ед. степень приближения структуры данного материала к идеальной структуре монокристалла графита. Хорошую г. имеют нефтяной, пековый, сланцевый кокс и антрацит (> 0,5). Плохая г. у саж, кокса из искусств. смол и т.п. (< 0,2).
[ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > графитируемость
-
49 кристаллофизика
кристаллофизика
Физич. кристаллография, изучает физич. св-ва кристаллов и кристаллич. агрегатов и изменение этих св-в под влиянием разных воздействий. В отношении многих физич. св-в дискретность решетч. строения кристалла не проявл., и кристалл можно рассматривать как однородную, но анизотропную среду. Понятие однородности среды означает рассмотрение физич. явлений в объемах, значит. превыш. нек-рый хар-рный для данной кристалич. среды объем: объем эл-тарной ячейки для монокристалла, ср. объем кристаллита для кристаллич. агрегатов (металла в поликристаллич. форме, горных пород, текстур и т.д.). Анизотропность среды означает, что ее св-ва изменяются с изменен. направления, но одинаковы в направлениях, эквивалентных по симметрии.
[ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > кристаллофизика
-
50 лауэграмма
лауэграмма
Дифракц. изображ. неподвижного монокристалла, получ. с помощью рентг. лучей. Наз. по имени немецк. физика М. Лауэ, предложившего метод, к-рым его сотр. В. Фридрихом и П. Книппингом была получена первая л. (1912 г.): узкий пучок рентг. лучей непрер. спектра подается на неподв. монокристалл, представл. для рентг. лучей дифракц. решетку. Дифракц. картина, создав. кристаллом, регистрир. на фотопленке, помещ. за кристаллом. На л., кроме центр. пятна, образов. неотклон. рентг. пучком, появл. пятна, число и расположение к-рых зависит от типа кристалла и его ориентации относит. пучка.
[ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > лауэграмма
-
51 метод Бриджмена
метод Бриджмена
Метод направл. кристаллизации для получения монокристалла созданием в тигле с расплавом градиента темп-р.
[ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > метод Бриджмена
-
52 метод Чохральского
метод Чохральского
Метод направл. кристаллиз. расплавов для получения монокристалла медлен. вытягиванием его из расплава с использ. водоохлажд. кристаллизатора в форме вогнутой полусферы.
[ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > метод Чохральского
-
53 полоса деформационная
полоса деформационная
Область внутри монокристалла или зерна в форме полосы, повернутая относительно остальной части кристалла на угол в десятки град. Образуется при холодной пластической деформации.
[ http://www.manual-steel.ru/eng-a.html]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > полоса деформационная
-
54 полоса сброса
полоса сброса
Деформационная полоса с одинаковой ориентировкой соседних участков зерна или монокристалла по обе стороны от полосы.
[ http://www.manual-steel.ru/eng-a.html]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > полоса сброса
-
55 фоточувствительный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
фоточувствительный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
фоточувствительный элемент
Часть монокристалла или полупроводникового слоя, обладающего свойствами внутреннего фотоэффекта, имеющего определенную форму, расположение и геометрические размеры и предназначенная для приема оптического излучения.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > фоточувствительный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
См. также в других словарях:
выращивание монокристалла методом зонной плавки — lydomasis monokristalo auginimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. growing by zone melting of a single crystal vok. Einkristallziehen durch Zonenschmelzen, n rus. выращивание монокристалла методом зонной плавки, n pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
выращивание монокристалла путем вытягивания — traukiamasis monokristalo auginimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. growing by pulling of a single crystal vok. Züchtung eines Einkristalles durch Ziehen, f rus. выращивание монокристалла путем вытягивания, n pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
рекристаллизация в виде монокристалла — monokristalinis perkristalizavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. monocrystalline recrystallization vok. monokristalline Rekristallisation, f rus. рекристаллизация в виде монокристалла, f pranc. recristallisation en… … Radioelektronikos terminų žodynas
Лазерная нанокерамика — Эта статья предлагается к удалению. Пояснение причин и соответствующее обсуждение вы можете найти на странице Википедия:К удалению/17 октября 2012. Пока процесс обсужден … Википедия
РЕНТГЕНОВСКОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ — невидимое излучение, способное проникать, хотя и в разной степени, во все вещества. Представляет собой электромагнитное излучение с длиной волны порядка 10 8 см. Как и видимый свет, рентгеновское излучение вызывает почернение фотопленки. Это его… … Энциклопедия Кольера
Лауэграмма — дифракционное изображение неподвижного монокристалла, полученное с помощью рентгеновских лучей. Названо по имени М. Лауэ, предложившего метод, с помощью которого В. Фридрихом и П. Книппингом была получена первая Л. (1912). Метод Лауэ… … Большая советская энциклопедия
Ударно-волновой излучатель — Ударно волновой излучатель, УВИ наиболее эффективный в настоящее время тип взрывного источника радиочастотного электромагнитного излучения с «виртуальным» лайнером. Содержание 1 Принцип действия 2 Устройство и работа … Википедия
РЕНТГЕНОВСКАЯ ТОПОГРАФИЯ — совокупность рентг. дифракц. методов изучения разл. дефектов строения в почти совершенных кристаллах. К таким дефектам относятся: блоки и границы структурных элементов, дефекты упаковки, дислокации, скопления атомов примесей. Осуществляя… … Физическая энциклопедия
Выращивание монокристаллов — [single crystals (monocrystals) growing] получение (изготовление) веществ в виде объемных монокристаллов или монокристаллических эпитаксиальных слоев и пленок кристаллизацией расплавов или из паровой (газовой) фазы. В основе методов выращивания… … Энциклопедический словарь по металлургии
Рентгеновская топография — совокупность рентгеновских дифракционных методов изучения различных дефектов строения в почти совершенных кристаллах. К таким дефектам относятся: блоки и границы структурных элементов, дефекты упаковки, Дислокации, скопления атомов… … Большая советская энциклопедия
Рентгеновский структурный анализ — методы исследования структуры вещества по распределению в пространстве и интенсивностям рассеянного на анализируемом объекте рентгеновского излучения. Р. с. а. наряду с нейтронографией (См. Нейтронография) и электронографией (См.… … Большая советская энциклопедия